• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1995.07c
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• pp.1419-1421
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• 1995

Nickel micro-structures are fabricated by electroless plating which shows better uniformity. Positive resist AZ4562 of 7 um thickness is patterned with minimum width of 2 um on poly-silicon as for sacrificial layer. The growth rate of Ni electroless plating is 10um/h both for the seed layer of Pt and TiW. TiW is found to be more practical than Pt, since it is very difficult to remove Pt with negligible damage to Ni structures.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.11a
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• pp.260-260
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• 2009

In high-efficiency crystalline silicon solar cell, If high-efficiency solar cells are to be commercialized, It is need to develop superior contact formation method and material that can be inexpensive and simple without degradation of the solar cells ability. For reason of plated metallic contact is not only high metallic purity but also inexpensive manufacture. It is available to apply mass production. Especially, Nickel, Copper are applied widely in various electronic manufactures as easily formation is available by plating. Ni is shown to be a suitable barrier to Cu diffusin as well as desirable contact metal to silicon. Nickel monosilicide has been suggested as a suitable silicide due to its lower resistivitym lower sintering temperature and lower layer stress than $TiSi_2$. In this paper, Nickel as a seed layer and diffusion barrier is plated by electroless plating to make nickel monosilicide.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.229-229
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• 2012

Adhesion of Copper film on the aluminum oxide layer formed by anodizing an aluminum plate was enhanced by applying ion beam mixing method. Forming an conductive metal layer on the insulating oxide surface without using adhesive epoxy bonds provide metal-PCB(Printed Circuit Board) better thermal conductivities, which are crucial for high power electric device working condition. IBM (Ion beam mixing) process consists of 3 steps; a preliminary deposition of an film, ion beam bombardment, and additional deposition of film with a proper thickness for the application. For the deposition of the films, e-beam evaporation method was used and 70 KeV N-ions were applied for the ion beam bombardment in this work. Adhesions of the interfaces measured by the adhesive tape test and the pull-off test showed an enhancement with the aid of IBM and the adhesion of the ion-beam-mixed films were commercially acceptable. The mixing feature of the atoms near the interface was studied by scanning electron microscopy, Auger electron spectroscopy, and X-ray photoelectron spectroscopy.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.06a
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• pp.250-250
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• 2009

Thin film of $SnO_2$ was fabricated from plasma enhanced atomic layer deposition technology with bubbler type injector system by using TEMASn (tetrakisethylmethylamino tin) precursor. Mostly crystalline of $SnO_2$ films can be obtained with oxygen plasma and with water at relatively low temperature of $150^{\circ}C$. $SnO_2$ was deposited as an uniform rate of $1.0A^{\circ}$/cycle. In order to obtain uniform film, a seed oxide material was used before TEMASn deposition in ALD process. The process parameters were controlled to obtain dense thin film by atomic deposition methodology. The morphology and characterization of thin film with optimized process condition will be discussed.

• International Journal of Industrial Entomology and Biomaterials
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• v.24 no.1
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• pp.1-5
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• 2012

A newly developed silkworm variety, GoldenSilk makes bright yellow cocoon. In this article, the basic characteristics of GoldenSilk cocoon were examined through color analysis, degumming characteristics and UV spectrophotometer. The colorant of GoldenSilk cocoon was not distributed evenly throughout the cocoon layer but existed in the outer layer of the cocoon. The colorant has not good resistance against sunlight. The degumming loss percentage of GoldenSilk cocoon was 29.2%, which is relatively higher than that of the authorized one. UV spectrophotometer showed specific absorption band around 400 to 500 nm, which is the specific yellow colorant of the GoldenSilk cocoon extracted to the degumming solution during the degumming process.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.379-379
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• 2011

본 연구에서는 황화납(PbS)을 감응 물질로 하는 양자점 감응형 태양전지를 제작하고 효율을 측정해보았다. 기판에 진공증착을 통해 seed layer를 형성하고 수열합성법으로 산화아연(ZnO) 나노선 어레이를 기른 후 SILAR(Successive ionic layer adsorption and reaction)법으로 PbS 양자점을 합성하였고, 농도와 cycle에 따른 특성의 변화를 주사전자현미경(SEM), X-선 회절, UV-visible spectrometer를 통해 확인하였다. SILAR법을 통해 PbS가 ZnO 나노선 위에 film 형태로 균일하게 성장한 것을 확인할 수 있었고, 이렇게 합성한 물질을 직접 태양전지로 제작하여 그 효율을 측정하였다. 또한 co-sensitizer 물질로 CdS를 합성하여 두 물질의 감응 물질로서의 성능을 확인하였다. PbS는 비교적 작은 밴드갭을 가지며 양자 제한 효과가 커 밴드갭 조절이 용이하며 여러 종류의 태양전지에서 이용되고 있다. 이러한 PbS를 감응 물질로 하는 양자점 감응형 태양전지 제작을 통해 태양전지에의 적용 가능성을 살펴보고 그러기 위해 필요한 부분들을 모색해보았다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.371-371
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• 2011

본 연구에서는 황화납(PbS)과 황화카드뮴(CdS)을 감응물질로 하는 양자점 감응형 태양전지를 만들고 효율을 측정하였다. Sputter를 이용하여 고진공의 상태에서 산화아연(ZnO) film을 seed layer로 증착한 후 수열합성법으로 ZnO 나노선을 합성한다. 합성된 나노선을 successive ionic layer adsorption and reaction (SILAR) 법으로 PbS, CdS 양자점을 합성하고 이를 주사전자 현미경(SEM), X-선 회절(XRD)을 통해 확인하였다. 또한 PbS와 CdS의 co-sensitizer를 합성하고 diffused reflectance spectra (DRS)를 측정함으로써 넓은 범위의 광흡수도를 확인할 수 있었다. Co-sensitizer의 합성 방법을 달리하여 PbS/CdS를 합성한 후 각각의 효율을 측정해보고, 더 높은 효율을 내기 위한 방안에 대해 고찰하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.475-475
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• 2011

현재 수열합성법으로 이용하여 1차원으로 수직 성장한 ZnO 나노와이어는 밴드 갭이 3.37ev로 큰 밴드 갭을 갖는 물질이며 밀도 조절이 매우 어려운 것으로 알려져 있다. ZnO 나노와이어는 기존의 리소그래피 기반을 둔 Top-Down 방식과 달리 자발적인 형성과정으로 높은 결정성을 가지게 되는데, 이는 ZnO 나노와이어가 큰 종횡비 와 전자친화도를 가지고 있어 높은 전계방출 효과를 기대하게 되는 부분이다. 본 연구에서는 실버를 열처리하여 형성된 실버 나노파티클을 마스킹층으로 사용하여 ZnO 나노와어의 밀도 조절을 하고자 하였다. 실버막을 AZO seed layer 기판 위에 증착한뒤 $200{\sim}600^{\circ}C$ 까지 열처리 후 수열합성법을 이용하여 ZnO nanowire를 성장하였다. 또한 전구체인 ZN(NO3)2${\cdot}$6H2O 와 HMT 에 각각 Ammonium chloride와 PEI를 첨가하였고, PEI 의 몰농도를 변화하여 성장된 ZnO 나노와이어의 구조적, 광학적 특성을 평가함으로서 전자소자 적용 가능성을 확인하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2005.07c
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• pp.2380-2382
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• 2005

UV-LIGA 공정을 이용하여 3차원 마이크로 인덕터 제작 기술에 관하여 연구하였다. 마이크로 인덕터의 코일, 비아(via), 코어(core)의 Multi-layer 제작을 위해 UV-LIGA 공정을 이용하였으며, 전해도금(electro plating)을 위한 씨올기(seed layer)로서는 e-beam evaporator를 이용하여 금속을 증착하였다. 3차원 마이크로 인덕터의 도금 방법으로는 전해도금을 사용하였으며, 코일과 비아 부분은 구리(Cu) 전해도금, 코어 부분은 니켈(Ni)과 철(Fe)의 합금인 퍼멀로이(Ni/Fe) 전해도금을 하였다. 3차원 마이크로 인덕터의 샘플크기로는 코어의 폭은 $300{\mu}m$, 전체 길이는 9.2mm, 두께는 $20{\mu}m$의 구조로 제작되었으며, 코일 부분은 폭이 $40{\mu}m$, 두께는 $30{\mu}m$이며, 코일턴 수는 70회의 구조로 제작하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.429-429
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• 2010

TFT 제조 방법 중 LTPS (Low Temperature Polycrystalline Silicon)는 저온과 저비용 등의 이점으로 인하여 flat panel display 제작에 널리 사용된다. 이동도와 전류 점멸비 등에서 이점을 가지는 ELA(Excimer Laser Annealing)가 널리 사용되고 있지만, 이 방법은 uniformity 등의 문제점을 가지고 있다. 이를 극복하기 위한 방법으로 MICC(Metal Induced Capping Crystallization)이 사용되고 있다. 이 방법은 $SiN_x$, $SiO_2$, SiON등의 capping layer를 diffusion barrier로 위치시키고, Ni 등의 금속을 capping layer에 도핑 한 뒤, 다시 한번 열처리를 통하여 a-Si에 Ni을 확산시키킨다. a-Si 층에 도달한 Ni들이 seed로 작용하여 Grain size가 매우 큰 film을 제작할 수 있다. 채널의 grain size가 클 경우 grain boundary에 의한 캐리어 scattering을 줄일 수 있기 때문에 MIC 방법을 사용하였음에도 ELA에 버금가는 소자의 성능과 안정성을 얻을 수있었다. 본 연구에서는 large grain TFT의 Gate bias stress에 따른 소자의 안정성 측정 및 분석에 목표를 두었다.