• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1
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• pp.386-391
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• 2003

Sing1e crystal $CuAlSe_2$ layers were grown on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate at $410^{\circ}C$ with hot wall epitaxy (HWE) system by evaporating $CuAlSe_2$source at $680^{\circ}C$. The crystalline structure of the single crystal thin films was investigated by the photoluminescence(PL) and double crystal X-ray diffraction (DCXD). The carrier density and mobility of single crystal $CuAlSe_2$ thin films measured with Hall effect by van der Pauw method are $9.24{\times}10^{16}\;cm^{-3}$ and $295\;cm^2/V{\cdot}\;s$ at 293 K, respectively. The temperature dependence of the energy band gap of the $CuAlSe_2$ obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, $E_g(T)\;=\;2.8382\;eV\;-\;(8.86\;{\times}\;10^{-4}\;eV/K)T^2/(T\;+\;155K)$. After the as-grown single crystal $CuAlSe_2$ thin films were annealed in Cu-, Se-, and Al-atmospheres, the origin of point defects of single crystal $CuAlSe_2$ thin films has been investigated by PL at 10 K. The native defects of $V_{Cd}$, $V_{Se}$, $Cd_{int}$, and $Se_{int}$ obtained by PL measurements were classified as donors or accepters. And we concluded that the heat-treatment in the Cu-atmosphere converted single crystal $CuAlSe_2$ thin films to an optical n-type. Also, we confirmed that Al in $CuAlSe_2/GaAs$ did not form the native defects because Al in single crystal $CuAlSe_2$ thin films existed in the form of stable bonds.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제16권10호
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• pp.871-880
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• 2003

Single crystal CuAlSe$_2$ layers were grown on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate at 410 C with hot wall epitaxy (HWE) system by evaporating CuAlSe$_2$ source at 680 C. The crystalline structure of the single crystal thin films was investigated by the photoluminescence(PL) and double crystal X -ray diffraction (DCXD). The carrier density and mobility of single crystal CuAlSe$_2$ thin films measured with Hall effect by van der Pauw method are 9.24${\times}$10$\^$16/ cm$\^$-3/ and 295 cm$^2$/V $.$ s at 293 K, respectively. The temperature dependence of the energy band gap of the CuAlSe$_2$ obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, Eg(T) = 2.8382 eV - (8.86 ${\times}$ 10$\^$-4/ eV/K)T$^2$/(T + 155K). After the as-grown single crystal CuAlSe$_2$ thin films were annealed in Cu-, Se-, and Al-atmospheres, the origin of point defects of single crystal CuAlSe$_2$ thin films has been investigated by PL at 10 K. The native defects of V$\_$cd/, V$\_$se/, Cd$\_$int/, and Se$\_$int/ obtained by PL measurements were classified as donors or acceptors. And we concluded that the heat-treatment in the Cu-atmosphere converted single crystal CuAlSe$_2$ thin films to an optical n-type. Also, we confirmed that Al in CuAlSe$_2$/GaAs did not form the native defects because Al in single crystal CuAlSe$_2$ thin films existed in the form of stable bonds.

• Current Photovoltaic Research
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• 제3권3호
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• pp.85-90
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• 2015

Two-step processes for preparing $Cu(In,Ga)Se_2$ absorber layers consist of precursor layer formation and subsequent annealing in a Se-containing atmosphere. Among the various deposition methods for precursor layer, the nonvacuum (wet) processes have been spotlighted as alternatives to vacuum-based methods due to their potential to realize low-cost, scalable PV devices. However, due to its porous nature, the precursor layer deposited on Mo substrate by nonvacuum methods often suffers from thick $MoSe_2$ formation during selenization under a high Se vapor pressure. On the contrary, selenization under a low Se pressure to avoid $MoSe_2$ formation typically leads to low crystal quality of absorber films. Although TiN has been reported as a diffusion barrier against Se, the additional sputtering to deposit TiN layer may induce the complexity of fabrication process and nullify the advantages of nonvacuum deposition of absorber film. In this work, Mo oxide layers via thermal oxidation of Mo substrate have been explored as an alternative diffusion barrier. The morphology and phase evolution was examined as a function of oxidation temperature. The resulting Mo/Mo oxides double layers were employed as a back contact electrode for $CuInSe_2$ solar cells and were found to effectively suppress the formation of $MoSe_2$ layer.

• 한국재료학회지
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• 제21권10호
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• pp.550-555
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• 2011

A high-quality CIGS film with a selenization process needs to be developed for low-cost and large-scale production. In this study, we used $Cu_2In_3$, CuGa and $Cu_2Se$ sputter targets for the deposition of a precursor. The precursor deposited by sputtering was selenized in Se vapor. The precursor layer deposited by the co-sputtering of $Cu_2In_3$, CuGa and $Cu_2Se$ showed a uniform distribution of Cu, In, Ga, and Se throughout the layer with Cu, In, CuIn, CuGa and $Cu_2Se$ phases. After selenization at $550^{\circ}C$ for 30 min, the CIGS film showed a double-layer microstructure with a large-grained top layer and a small-grained bottom layer. In the AES depth profile, In was found to have accumulated near the surface while Cu had accumulated in the middle of the CIGS film. By adding a Cu-In-Ga interlayer between the co-sputtered precursor layer and the Mo film and adding a thin $Cu_2Se$ layer onto the co-sputtered precursor layer, large CIGS grains throughout the film were produced. However, the Cu accumulated in the middle of CIGS film in this case as well. By supplying In, Ga and Se to the CIGS film, a uniform distribution of Cu, In, Ga and Se was achieved in the middle of the CIGS film.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제20권3호
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• pp.240-244
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• 2007

We investigated the diffraction grating efficiency by the Diode Pumped Solid State(DPSS 532 nm) laser beam wavelength to improve the diffraction efficiency on $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35},\;Ag/As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ and $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}/Ag/As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ thin film. Diffraction efficiency was obtained from DPSS laser, used (P:P)polarized laser beam on each thin films. As a result, for the laser beam intensity in $0.24mW/cm^2$, single $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ thin film shows the highest value of 0.161% diffraction efficiency at 300 s and for laser beam intensity in $2.4mW/cm^2$, it was recorded with the fastest speed of 50 s(0.013%), which the diffraction grating forming speed is faster than that of $0.24mW/cm^2$ beam. $Ag/As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ double layer and $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}/Ag/As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ multi-layered thin film also show the faster grating forming speed at $2.4mW/cm^2$ and higher value of diffraction efficiency at $0.24mW/cm^2$.

• Journal of Applied Biological Chemistry
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• 제62권4호
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• pp.391-398
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• 2019

부평초 추출물 및 부평초 분획물의 기능성 화장품 소재로서의 효능을 측정하기 위하여 항산화, 항주름 및 미백 활성을 평가하였다. DPPH와 ABTS⁺ 라디칼 소거 활성은 부평초 70% 에탄올추출물의 에틸아세테이트 분획물(SE-E) 100 ㎍/mL 농도에서 각각 44.2와 74.3%로 나타났다. 항주름 활성을 측정하기 위하여 세포내에서의 procollagen 생합성 활성과 MMP-1 저해 활성을 측정하였다. 그 결과 부평초 70% 에탄올추출물(SE)은 25 ㎍/mL 농도에서 48.5%, 같은 농도에서 SE-E는 가장 높은 57.8%의 생합성 활성을 나타내었다. SE와 SE-E의 MMP-1 저해활성은 25 ㎍/mL 농도에서 각각 13.4와 28.5%로 나타났다. 마지막으로 미백 효과를 검증하기 위해 melanin 생합성 저해 활성과 세포내 tyrosinase 저해 활성을 측정한 결과, 25 ㎍/mL 농도에서 SE는 각각 9.6과 13.8%의 저해활성을 나타내었으며 SE-E는 각각 15.4와 22.0%의 값을 나타내었다. 본 연구의 결과로부터 SE와 SE-E의 높은 항주름 및 미백 활성이 확인되어 우수한 기능성 소재로 개발 가능성이 높아 졌으며 추가적인 항균, 항염, 항암 등의 연구가 진행된다면 제약, 화장품, 기능성 식품 등의 분야에 효과적인 소재로 활용될 수 있을 것으로 사료된다.

• 생물환경조절학회지
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• 제18권2호
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• pp.124-131
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• 2009

소형의 담액 수경재배기를 이용하여 기본 배양액에 셀레늄(Se) 1mg $L^{-1}$과 계면활성제 PVA-95(polyvinyl alcohol-95) 1, 2, 4mg $L^{-1}$과 CLS(calcium lignosulfonate) 5, 25, 50, 100mg $L^{-1}$을 처리하여 청경채와 상추 식물체의 Se과 양이온 함량, 생육, 그리고 비타민 C 함량을 조사하였다. 생육은 처리간에 차이는 있지만 종류와 농도 별로 일정한 경향을 보이지 않았다. 총 비타민 C 함량은 두 작물 모두 모든 처리구에서 대조구에 비해 약간 증가하는 경향을 보였으나 유의성은 없었다. K 함량은 싱추의 경우는 일정한 경향이 없었지만, 청경채의 경우 Se 1+PVA-95 4mg $L^{-1}$ 처리구가 가장 높았고, Se 1+CLS 처리에서는 대조구에 비해 5mg $L^{-1}$ 농도에서는 증가하였지만 처리 농도가 증가할수록 감소하였다. Ca 함량은 두 작물 모두 Se 1+PVA-95와 CLS 처리에서 대조구에 비해 증가하였다. Mg 함량은 상추에서는 계면 활성제 처리에 의한 Mg 함량의 변화가 없었으며, 청경채에는 Se 1+CLS 25mg $L^{-1}$ 처리구가 대조구에 비해 증가하였고 기타 처리는 차이가 없었다. 식물체내 Se 함량은 상추에서는 계면 활성제 PVA-95 처리와 CLS 처리가 대조구에 비해 Se 함량이 모두 높았고, PVA-95 처리에서는 농도의 증가에 따라 Se 함량이 낮아졌으며, CLS 처리에서는 50mg $L^{-1}$ 까지는 높아졌지만 100mg $L^{-1}$에서는 낮아졌다. 청경채의 엽내 Se 함량은 계면활성제 PVA-95 처리가 큰 효과가 없었으나 CLS 25mg $L^{-1}$ 처리에서 현저히 증가되었다.

• Journal of Animal Science and Technology
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• 제48권6호
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• pp.897-906
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• 2006

본 연구는 셀레늄강화 한우고기 생산을 위하여 셀레늄강화 버섯폐배지(Se-SMC)가 함유된 셀레늄사료(사료내 셀레늄함량: 0.9ppm)를 활용하여 급여사양기간(2개월, 3개월, 4개월)을 달리 하였을 때, 비육후기 거세한우의 조직 내 셀레늄 함량과 혈중 글루타치온 과산화효소(GSH-Px) 활성에 미치는 영향을 조사하여 최대 포화축적기간을 제시하고자 실시하였다. 본 연구에 사용된 비육후기 거세한우는 30두로 각 급여기간(2개월: 평균 체중 677kg, 3개월: 평균 체중 610kg 및 4개월: 평균 체중 524kg)에 대한 대조구 및 Se-SMC 급여구로 나누어 처리구당 5두씩 배치하여 총 6처리구로 구분하여 실시하였다. 대조구와 Se-SMC 급여구에 사용된 실험사료는 0.1과 0.9ppm의 셀레늄을 각각 함유하였다. 각 급여기간이 종료되면 도축하여 후지와 간을 채취하였으며 이를 셀레늄 함량분석에 이용하였다. 그리고 혈중 셀레늄 농도 및 글루타치온 과산화효소활성을 분석하기 위하여 도축 시에 채혈을 실시하였다. 건물섭취량은 Se-SMC 급여 및 급여기간에 의하여 유의한 차이가 나타나지 않았다. 또한 일당증체량은 대조구 및 Se-SMC 급여구간 그리고 급여기간 간에 유의한 차이가 나타나지 않았을 뿐만 아니라 총증체량 또한 각 급여기간내 대조구와 Se-SMC 급여구 간에 유의한 차이가 나타나지 않았다. Se-SMC 급여는 혈중 셀레늄농도를 유의하게 증가시켰으나(P<0.001), 급여기간에 따른 혈중셀레늄 농도에는 유의한 영향을 미치지 않았다. 아울러 혈중 GSH-Px 활성은 혈중 셀레늄농도에서 나타난 양상과 유사한 경향을 나타내었고, 급여기간에 의한 효과는 나타나지 않았다. 후지내 셀레늄 함량은 급여기간(P<0.05)이 증가함에 따라, 그리고 Se-SMC 급여(P<0.001)에 의하여 유의하게 증가하였다. 하지만, Se-SMC의 3개월 급여군과 4개월 급여군 간에는 유의한 차이가 나타나지 않았다. 간내 셀레늄 함량은 Se-SMC의 급여기간이 증가함에 따라 다소 증가하는 경향을 나타내었으나 유의한 효과는 나타나지 않았다. 하지만, 동일한 급여기간 내 Se-SMC는 대조구에 비하여 유의하게 높았다(P<0.01).이상의 결과로부터 근육내 셀레늄 축적을 위한 적정 Se-SMC 급여기간은 후지와 간내 셀레늄 함량을 고려할 때 약 2 내지 3개월의 급여가 충분할 것으로 사료된다.

• 생물환경조절학회지
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• 제9권4호
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• pp.193-200
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• 2000

본 실험은 바실의 양액재배시 기능성 원소 selenium(Se)을 처리하였을 때 basil의 저장중 품질 변화를 조사하기 위하여 수행되었다. European Vegetable R ' B center에서 개발한 허브 배양액 1배액을 사용하여 담액 순환식으로 재배하였으며, Se을 sodium selenate($Na_2$Se $O_4$)의 형태로 수확 3주전에 2, 4mg. $L^{-1}$를 양액 내 처리하였다. 1$0^{\circ}C$에서 40um ceramic film로 PET 상자를 사용하여 MA저장을 15일간 하였다. 바실의 수경재배시 기능성 물질의 첨가가 저장중 품질 변화에 미치는 영향은 다음과 같다. Se 함량은 양액내 처리 농도에 따라 증가하였고 저장 후에도 같은 경향을 나타내었다. 포장재에 따른 휘발량의 차이는 크지않았다. 엽록소와 정유함량은 Se처리에 의해 증가되었다. 정유 함량은 $Na_2$Se $O_4$.4mg. $L^{-1}$ 처리가 저장후 감소율이 가장 적었다. Se 함량은 2mg. $L^{-1}$처리시 저장전 함량이 112.73ug. $g^{-1}$DM이었고 저장중 감소량은 50%정도였다. 저장중 품질유지와 소비자가 안전하게 Se를 섭취할 수 있는 적정 농도는 2mg. $L^{-1}$이며, 40um ceramic film을 이용한 MA저장이 효과적이었다. 이상에서 바실의 양액재배시 Se처리는 작물의 품질 증진 및 저장중 품질 유지에 효과가 인정되었다. 또 Se 휘발에 의한 정유성분의 변화는 나타나지 않았다. 또 Se 휘발에 의한 정유성분의 변화는 나타나지 않았다.

• 현장농수산연구지
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• 제6권1호
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• pp.116-135
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• 2004

본 연구는 비육후기 거세한우 20두를 공시하여 셀레늄강화 한우고기 생산을 위한 기초연구로서 셀레늄강화버섯 폐배지의 반추동물에 대한 셈레늄사료원으로서의 가치를 평가하기위해 0.1, 0.3, 0.6, 0.9ppm의 셀레늄이 함유되도록 셀레늄강화버섯 폐배지와 일반버섯 폐배지를 이용하여 배합하였고, 각 처리구당 5두씩 배치하여 90일간 사육하였다. 전 실험기간동안 사료 중 셀레늄농도는 건물섭취량에 유의한 영향을 미치지 않았다. 그리고 증가하는 수준의 셀레늄 섭취는 증체량에도 영향을 미치지 않았다. 폐배지 배합으로 인한 사료 내 증가하는 수준의 셈레늄농도는 혈중 셀레늄농도를 유의하게 직선적으로 증가시켰고(p<0.01), 사양 시험 8주째에 혈중 셀레늄농도가 일정수준으로 유지되었다(p<0.001). GSH-Px활성은 혈액 내 셈레늄농도와 유사한 경향을 나타내었고, 폐배지 내 셀레늄은 한우의 GSH-Px활성을 유의하게 증가시켰으며(p<0.001), 특히 셈레늄 의존형 GSH-Px활성에 대하여 유의한 증가를 나타내었다. 후지 내 셈레늄함량은 폐배지 기인 셀레늄섭취증가로 대조구(0.273㎍/건조 g)에 비해 처리구(0.368 ~ 0.457㎍/건조 g)에서 유의하게 증가하였고(p<0.01), 사료 중 셀레늄농도 0.9ppm에서 가장 높았다. 근육 내 셈레늄 증가율은 등심보다 후지에서 확실한 효과가 나타났고, 후지에서의 최대 증가율은 약 70%에 이르렀다. 셀레늄 축적율은 버섯 폐배지의 셀레늄으로 인하여 최대 약 30%까지 축적되는 것으로 평가되었다. 사료 중 셀레늄농도는 혈중 GSH-Px활성 및 근육조직 내 셀레늄 함량과 유의한 상관관계를 가졌다(p<0.01). 이상의 결과로부터, 셀레늄강화버섯 폐배지에 존재하는 셀레늄은 한우에서 혈증 셈레늄 및 혈장 내 GSH-Px활성을 증가시켜 생물학적 이용률이 높은 것으로 평가되었고, 근육 내 셀레늄함량을 증가시켜 셀레늄 강화 한우고기생산을 위한 셀레늄 사료원으로 충분한 가치가 입증되었다.