This paper presents calculated results for the infinite phased arrays of the probe-fed rectagualr microstrip patches. A numerical model that is based on a rigorous Green's function and galerkin solutionsis is described. In an arbitrary scan plane, the input impedance and the input reflection coefficient versus the scand angle are calculated. The effects of substrate parameters on the phased arry antenna are considered. The scan blindness phenomenon due to the surface wave is observed and the input impedance bandwidth in the arbitrary scan plane is calculated.
Scan Element Pattern(SEP) and Scan Impedance(SI) concepts are used to analyze the characteristics of open-ended waveguide array, which is the representative phased array antenna element in C-band and X-band. Transmit SEP's are calculated for 15$\sim$15 subarray and SI's are obtained by applying periodic boundary conditions for a unit cell of the given array condition. CST's MWS and Ansoft's HFSS are utilized for each analysis. Some relations are reviewed between the two results, which are based on mutual coupling effects. For validation purpose, an 8$\sim$8 subarray is constructed and tested. Transmit SEP measured in MTG's far-field range shows good agreement with the calculated transmit SEP.
본 논문에서는 직사각형 개방형 도파관들이 삼각 격자 형태로 배열된 구조의 조향 특성을 연구하였다. 무한배열 해석 이론에서의 도파관 모드와 플로케 모드 함수를 이용하여 도파관 내부와 외부의 전계 성분을 적분방정식으로 유도하고 이를 프로그램화하여 조향 소자 패턴과 조향 임피던스를 수치해석하였다. CST사의 MWS(Microwave Studio)와 Ansoft사의 HFSS(High Frequency Structure Simulator)를 이용하여 얻어진 시뮬레이션 결과와 계산된 결과를 비교하였고, 아울러 $8{\times}8$ 부배열을 제작하고 측정하여 시뮬레이션과 계산 결과와 비교함으로써 접근 방법의 타당성을 검증하였다. 제작된 부배열 안테나는 X-대역에 있는 중심주파수의 10.5 % 대역 내에서 E-면(방위각)과 H-면(고각) 조향 범위 ${\pm}45^{\circ}C,\;{\pm}20^{\circ}C$ 내에서 평탄한 이득을 갖고 또한 -10 dB 이하의 반사 손실을 갖는 것을 확인하였다.
Effects of the GaAs semiconductor particles on electrophysical phenomena at the Pt electrode/10S0-3TM KCl aqueous electrolyte interfaces have been studied using voltammetric time based and electrochemical impedance techniques. The anodic decomposition effect f the GaAs semiconductor particles on electrophysical phenomena was significantly observed during the positive potential scan (0 to 1.0 V vs. SCE). On the other hand, the cathodic decomposition effect of the GaAs semiconductor particles was negligible during thenegative potential scan (0 to -1.0 V vs. SCE). The GaAs semiconductor particles act as current activators or mediators during the anodic process and act as charge screens during the cathodic process. The electrolyte resistance and related impedance was increased due to the presence of the GaAs semiconductor particles. The anodic decomposition effect of the GaAs semiconductor particles can directly be applied to activate the hydrogen evolution.
본 연구는 뇌졸중 편마비 환자 24명을 대상으로 마비측과 비마비측의 바이오 임피던스 값을 비교 분석하고자 하는 것이다. 본 연구에서는 2015년 10월부터 11월 까지 뇌졸중으로 진단 받은 편마비환자 24명을 대상으로 하였다. MultiScan 5000을 이용하여 바이오임피던스를 측정하였고 프래딕션마커(Prediction mark), 저항성분(resistance), 리액턴스(reactance), 위상각(phase angle)을 비교분석하였다. 뇌졸중 편마비 환자와 바이오임피던스 값의 비교분석을 위해 뇌졸중 편마비 가 아닌 일반인 6명의 오른쪽과 왼쪽을 비교분석하였다. 뇌졸중 편마비 환자의 마비측과 비마비측 부위에서 임피던스 값을 측정하여 정량화된 수치로 나타낸 결과 뇌졸중 편마비 환자의 마비측과 비마비측의 프래딕션마커(Prediction mark), 리액턴스(reactance), 위상각(phase angle)의 값의 유의한 차이를 보였다(p<0.05). 일반인을 대상으로 오른쪽과 왼쪽의 프래딕션마커(Prediction mark), 리액턴스(reactance), 위상각(phase angle)의 값의 유의한 차이를 보이지 않았다(p>0.05). 본 연구 결과를 통해 뇌졸중 편마비 환자의 마비측과 비마비측의 임피던스값의 유의한 차이가 있다는 것을 알 수 있었고 또한, 이를 통해 임상의 재활치료를 받는 뇌졸중 환자의 치료에 정량화된 수치로 측정할 수 있는 유용한 평가도구로서의 가능성을 제시하였다. 향후 연구에서는 임피던스 분석을 이용하여 뇌졸중환자의 마비측과 비마비측의 분석뿐만 아니라 다양한 대상군, 다양한 신체부위 그리고 재활치료 중재의 효과 등을 측정하는 연구가 필요할 것으로 보인다.
To examine the effects of a two-cation ionic liquid as an electrolyte component of a supercapacitor, 1,4-bis(3-methylimidazolium-1-yl)butane tetrafluoroborate ($MIBBF_4$), dissolved in propylene carbonate (PC) or acetonitrile (ACN), is newly synthesized and tested here for potential use as an electrolyte of capacitor. The $MIBBF_4$ salt exhibits higher ionic conductivity in ACN than in PC. The supercapacitive properties of capacitors containing an activated carbon electrode and various electrolytes are evaluated using cyclic voltammetry and electrochemical impedance spectroscopy. The capacitor adopting the $MIBBF_4$/ACN electrolyte shows the largest specific capacitance at low scan rates, whereas the capacitor adopting the 1-ethyl-3-methylimidazolium tetrafluoroborate $(EMIBF_4)$/ACN electrolyte shows the largest specific capacitance at high scan rates.
넛치 안테나는 진행파형 안테나로서 공진형 안테나에 비해 광대역 특성과 넓은 빔 폭을 가지므로 광대역 위상 배열 안테나의 복사 소자로 사용되어진다. 본 논문에서는 단일 복사 소자의 해석으로 무한 배열 안테나를 모의할 수 있는 도파관 시뮬레이터를 이용하여 3 : 1 이상의 주파수 대역과 $\pm$45$^{\circ}$의 빔 조향 범위를 만족하는 광대역 E-평면 넛치 위상 배열 안테나를 설계하였다. 설계된 단일 소자의 등가회로 모델링을 통해 단일 소자와 무한 배열소자에서의 임피던스 특성을 비교하였으며, 설계된 결과를 이용하여 1$\times$9배열 E-평면 넛치 위상 배열 안테나 전체를 해석하였다. 이때 구해진 안테나간 상호 결합 계수를 이용하여 각 소자의 빔 조향 각도에 따른 능동 반사 계수를 구하였으며, 능동 소자 패턴을 통해 빔 조향에 따른 이득의 변화를 살펴보았다.
EMI emission characteristics of 42" AC-PDP panel are investigated in this paper. First, EMI emission source was modeled the scan electrode and the sustain electrode to a simple electric and magnetic dipole type radiator. Second, EMI emission source was modeled as reconfigured the scan electrode and the sustain electrode. The primary source of EMI emission was investigated using FEM calculation of the wave impedance and 3 dB beam width. The third. the EMI emission level was estimated using the measured sustain electrode current. Also, EMI emission level of 42" AC-PDP was measured. The results show that the calculated EMI emission level from the simple electric dipole model was shown to agree with that from the corresponding FEM simulation.
큰 입력지향을 갖는 20개의 sample and hold가 MOSFET으로 switching되는 간편하면서도 비용이 적게드는 analog 기억장치를 제작하였다. 이것은 digital로 3KHz.까지 임의로 조절되는 shift register로 연결되어 있다. 이 장치의 유용성을 보이기 위해 square와 sine파 및 fast-scan voltammetry와 differential pulse polarography의 전류-시간 변화와 같은 전기화학적 실험을 행하였다.
Nam, Ji Hyun;Woo, Cho Hyeon;Kim, Kwang Man;Ryu, Kwang Sun;Ko, Jang Myoun
Journal of Electrochemical Science and Technology
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제3권2호
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pp.80-84
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2012
The polyaniline (PANI) electrodes are prepared by chemical synthesis and electrodeposition methods and their supercapacitive properties are characterized and compared by morphology observation, cyclic voltammetry as a function of scan rate, and impedance spectra analysis. In particular, the supercapacitive properties obtained in the range of higher potential scan rates (e.g., over $200mV\;s^{-1}$) are emphasized to be capable of utilizing adequately the high power capability of supercapacitor. As a result, the PANI electrode by the electrodeposition shows superior specific capacitance (max. $474F\;g^{-1}$ at $10mV\;s^{-1}$ and about $390F\;g^{-1}$ at $500mV\;s^{-1}$) than those by the chemical synthesis method. This is mainly due to highly porous structure obtained by the electrodeposition to yield higher specific surface area.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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