• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2006년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.493-494
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• 2006

SU-8 can be implemented as a mask for micro Abrasive Jet Machining (micro-AJM) process [1]. In this paper, we will evaluate the quality of micro grooving result on glass substrate by micro-AJM process which using SU-8 as a mask. It was evaluated on width and edge profile of the micro grooving. The result was having distortion compare with the master film used to pattern the SU-8 mask. The value of distortion with other properties which came along with it, such as depth and surface roughness, can be optimized in order to fabricate micro-channel for micro-fluidic application.

• 한국정밀공학회지
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• 제24권1호
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• pp.71-78
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• 2007

Abrasive jet machining (AJM) has been traditionally used for removing rusts or paints. Nowadays, this is promising technology for micro bulk machining where brittle substrate materials are used. In order to get accurate details, masks such as metal, polymer or elastomer is inevitable. Among them, photo polymer which is sensitive to the light has been attractive for it's high accuracy using photolithography. In this research, SU-8 as a photo polymer is used since it is adequate for making thick mask. So, this paper describes how to make AJM masks using SU-8 with a photolithography process, and investigates the characteristics of SU-8 masks during AJM process. Also, an example of fabrication using AJM was shown.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2006년도 추계학술대회 논문집
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• pp.503-504
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• 2006

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2007년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.663-664
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• 2007

• 한국정보과학회논문지:소프트웨어및응용
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• 제27권3호
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• pp.241-247
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• 2000

본 논문에서는 동영상으로부터 기존의 화소 단위의 변화 영역 검출 방법에 비해 빠른 변화 영역 검출 방법을 제안한다. 제안된 방법은 블록 및 화소 단위의 변화 영역 검출을 결합함으로써 변화 영역 검출의 속도 및 변화 검출 마스크의 화질을 개선한다. 제안된 방법은 16 ${\times}$ 16 크기의 블록 단위 변화 영역 검출의 결과로 생성된 초기 변화 검출 마스크의 경계 블록 내의 4개의 부 블록들에 대하여 블록 단위의 변화 영역을 검출한다. 그리고 나서, 변화 검출 마스크의 8 ${\times}$ 8 경계 블록에 대하여 화소 단위의 변화 영역 검출을 수행한다. 제안된 방법에서 사용된 블록 단위의 변화 영역 검출은 변화 영역 검출의 속도를 개선할 뿐만 아니라, 잡음에 의한 영향을 최소화하는 이점이 있다. 이와 함께, 8 ${\times}$ 8 경계 블록에 대해 화소 단위의 변화 영역 검출을 수행함으로써 변화 검출 마스크의 화질 또한 향상시키는 이점이 있다. 실험 결과, 제안된 방법이 기존의 방법에 비해 9:1 정도의 속도 개선과 화질에서의 향상을 가져옴을 확인 할 수 있었다.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2012년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.535-536
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• 2012

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2005년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.1175-1178
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• 2005

Brittle materials, especially single-crystal silicon wafer, are widely used for sensors, IC industry, and MEMS applications. e general machining process of crack easy materials is by chemical agents, but it is hazardous and time consuming. Also, it is difficult to get high aspect ratio micro structure. As an alternative tool, an AJM(Abrasive jet machining) is promising method in terms of high aspect ratio and production cost. In this study, to get more precise detail compared to general AJM, photo polymer mask, SU-8, used in photolithography was applied in AJM. Process parameters such as abrasive diameter, air pressure, nozzle diameter, flow rate of abrasive in AJM and a variety of conditions in spin coating were decided. Finally, micro channel and mixer was fabricated to see the efficiency of the AJM with photo polymer mask.

• 한국정밀공학회지
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• 제25권1호
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• pp.138-144
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• 2008

Micro-machining of a brittle material such as glass, silicon, etc., is important in micro fabrication. Particularly, micro-abrasive jet machining (${\mu}-AJM$) has become a useful technique for micro-machining of such materials. The ${\mu}-AJM$ process is mainly based on the erosion of a mask which protects brittle substrate against high velocity of micro-particle. Therefore, fabrication of an adequate mask is very important. Generally, for the fabrication of a mask in the ${\mu}-AJM$ process, a photomask based on the semi-conductor fabrication process was used. In this research a rapid mask fabrication technology has been developed for the ${\mu}-AJM$. By scanning the focused UV laser beam, a micro-mask pattern was fabricated directly without photolithography process and photomask. Two kinds of mask patterns were fabricated using SU-8 and photopolymer (Watershed 11110). Using fabricated mask patterns, abrasive-jet machining of Si wafer were conducted successfully.

• 대한기계학회논문집A
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• 제30권10호
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• pp.1314-1319
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• 2006

This paper describes the novel fabrication method of the high-aspect-ratio nano structure which is impossible by conventional method using a shadow mask and a Deep X-ray Lithography (DXRL). The shadow mask with $1{\mu}m-sized$ apertures is fabricated on the silicon membrane using a conventional UV-lithography. The size of aperture is reduced to 200nm by accumulated low stress silicon nitride using a LPCVD (low pressure chemical vapor deposition) process. The X-ray mask is fabricated by depositing absorber layer (Au, $3{\mu}m$) on the back side of nano shadow mask. The thickness of an absorber layer must deposit dozens micrometers to obtain contrast more than 100 for a conventional DXRL process. The thickness of $3{\mu}m-absorber$ layer can get sufficient contrast using a central beam stop method, blocking high energy X-rays. The nano circle and nano line, 200nm in diameter in width, respectively, were demonstrated 700nm in height with a negative photoresist of SU-8.

• 한국재료학회지
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• 제8권9호
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• pp.871-875
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• 1998

사진식각 공정으로 종횡비가 매우 큰 유리 미세구조물을 제작하였다. 미세구조물의 제작에는 압축응력에 강하고 전기적 절연체인 감광성 유리를 사용하였다. 감광성 유리는 석영기판 위에 크롬이 패턴된 마스크를 사용하여 파장이 312nm인 자외선에 노광되었다. $500^{\circ}C$ 이상의 열처리공정을 거친 후 초음파 분위기에서 10%의 불산용액으로 식각함으로써 유리 미세구조물을 제작하였다. 미세구조물의 최종 형상은 감광성 유리의 두께, 마스크 패턴, 자외선 노광조건 및 식각조건에 크게 의존하였으며, 종횡비가 30이상인 스트라이프 구조의 유리 미세구조물을 제작할 수 있었다.