• STI Policy Review
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• 제3권1호
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• pp.117-138
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• 2012

Governments around the world place great hopes in innovation in their search for new sources of growth and for responses to grand challenges, such as climate change, new or re-emerging infectious diseases, accelerating urbanisation, ageing, food security, and availability of clean water. However they must devise their relevant support policies -- including through sponsored research within public research institutes -- taking into account that innovation processes are currently undergoing a major transformation. New innovation patterns include a broadening scope of relevant activities, a growing importance but changing nature of scientific roots of technological development, a stronger demand-pull, the emergence of new local and national STI powerhouses, and the rise of more open and globalised innovation networks. They translate into new opportunities but also constraints for policies to enhance the contribution of public research institutes to national innovation performance. The article derives the main policy implications regarding the desirable evolution of the mission, research focus, as well as the funding and steering of public research institutes, with a special reference to Korea.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집
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• pp.189-192
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• 2001

Recently, STI process is getting attention as a necessary technology for making high density of semiconductor by devices isolation method. However, it does have various problems caused by CMP process, such as torn oxide defects, nitride residues on oxide, damages of si active region, contaminations due to post-CMP cleaning, difficulty of accurate end point detection in CMP process, etc. In this work, the various defects induced by CMP process was introduced and the above mentioned Problems of CMP process was examined in detail. Finally, the guideline of future CMP process was presented to reduce the effects of these defects.

• 기술혁신학회지
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• 제14권2호
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• pp.246-259
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• 2011

시장구조와 혁신의 가치간 관계를 구명하는 것은 경쟁과 STI 정책수행에 중요하다. 만일 혁신의 가치가 특정 시장구조에서 상승된다면 정부는 해당 산업의 시장구조를 변화시킬 수 있다. 선형수요와 고정된 한계비용의 경우, 꾸르노 경쟁에서의 major와 minor 기술혁신에 대한 인센티브가 합병과 공동 연구개발의 경우보다 더 작다는 결과를 단순한 캘리브레이션을 통해 도출할 수 있다. 이는 또다시 독점이 필요악임을 시사한다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2007년도 춘계학술발표회 초록집
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• pp.151-152
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• 2007

최근들어 Device 크기가 100nm 이하로 줄어듦에 따라 High Density Plasma Chemical Vapor Deposition(HDP-CVD) 기술로는 100nm 이하의 gap에 Aspect ratio가 6:1 이상 되는 STI(Shallow Trench Isolation) 구조를 Void 없이 채우는 것이 불가능해 지고 있다. 이를 극복하기 위하여 여러 방면으로 연구가 수행되어지고 있다. 그 방법 중의 하나인 Dep/Etch/Dep Cycle이 이번 연구에서 사용되었으며, 일반적인 HDP CVD보다 더 낮은 압력에서 증착과 식각이 수행되었다. 그 결과 다른 여러 방법들보다 좋은 막질을 얻을 수 있었으며, Gap fill 성능을 향상 시킬 수 있었다.

• STI Policy Review
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• 제2권2호
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• pp.25-44
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• 2011

• 천문학회보
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• 제27권1호
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• pp.37-37
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• 2002

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2005년도 추계종합학술대회
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• pp.615-618
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• 2005

In this work, the effects of corner transistors in SOI MOSFETs were investigated. We fabricated SOI MOSFETs with various widths and a fixed length and characterized them. The SOI thickness was $4000{\AA}$ and the buried oxide(BOX) thickness was $4000{\AA}$. The isolation of active region was simply done by silicon etching and TEOS sidewall formation. Several undesirable characteristics have been reported for LOCOS isolation in fabrication on SOI wafers so far. Although we used an STI-like process instead of LOCOS, there were still a couple of abnormal phenomena such as kinks and double humps in drain current. Above all, we investigated the location of the parasitic transistors and found that they were at the corners of the SOI in width direction by high-resolution SEM inspection. It turned out that their characteristics are strongly dependent on the channel width. We made a contact pad through which we can control the body potential and figured out the dependency of operation on the body potential. The double humps became more prominent as the body bias went more negative until the full depletion of the channel where the threshold voltage shift did not occur any more. Through these works, we could get insights on the process that can reduce the effects of corner transistors in SOI MOSFETs, and several possible solutions are suggested at the end.

• 기술혁신학회지
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• 제16권1호
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• pp.199-229
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• 2013

이명박 정부 들어 큰 변화를 겪은 과학기술계는 차기 정부의 과학기술행정체제 개편을 둘러싸고 다양한 논의를 전개했다. 최근 우리나라는 추격의 대상이 주어졌던 과거와 달리 스스로 문제를 던지고 해결해야 하는 탈추격 상황에 있다. 그 과정에서 과학기술혁신정책은 삶의 질 제고, 지속가능한 발전, 불균형 해소 등 다양한 사회적 목표를 포괄하는 3세대 혁신정책 또는 통합형 혁신정책으로의 진화를 모색하며 관련 정책 및 부처 간의 연계 조정을 핵심 과제로 다루고 있다. 본 연구는 우리나라 혁신 거버넌스를 둘러싼 과학기술혁신의 활동 환경 정책 패러다임 변화를 살펴보고 차기 정부가 나아가야 할 혁신 거버넌스 개편 방향과 철학을 몇 가지 안으로 제시했다. 탈추격 혁신정책, 통합형 혁신정책 등의 철학적 기반 하에 혁신 거버넌스 개편 안으로 현행 체제를 유지하되 소프트웨어 개편을 강조하는 1안, 과학기술부 부총리 체제와 지경부의 발전적 해체를 강조하는 2안, 국과위의 발전적 개편을 강조하는 3안을 주장하였다.

• 한국진공학회지
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• 제6권3호
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• pp.267-274
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• 1997

고밀도 유도결합 $Cl_2$ 및 HBr/$Cl_2$ 플라즈마를 이용하여 차세대 반도체 집적회로에 사용가능한 STI(Shallow Trench Isolation)구조에서 trench 식각시 trench etch profile 및 격자손상에 영향을 미치는 공정변수의 효과에 대하여 연구하였다. 식각결과 $Cl_2$만을 사용한 경우에는 trench 식각공정 동안 화학적 측면식각의 증가로 인하여 등방성 식각이 얻어지고 이는 유도입력 전력이 증가하고 바이어스 전압이 감소함에 따라 이의 경향이 증가하였다. 측면식각의 정도는 $Cl_2$에 $N_2$ 및 $O_2$의 첨가에 따라 감소하였다. 순수 HBr을 사용한 경우에 있어서는 Br 라디칼이 Cl 라디칼에 비하여 자발적인 실리콘 식각의 민감도가 감소하여 positive angle의 식각형상이 얻어졌으며 HBr내에 $Cl_2$의 증가에 따라 이방성 식각이 얻어졌 다. 물리적인 격자손상을 투과전자현미경으로 관찰한 결과 <$Cl_2/N_2$및 HBr을 함유한 식각가 스를 사용한 경우에 trench표면에서 결함이 관찰되었다.

• 한국소음진동공학회논문집
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• 제25권7호
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• pp.462-469
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• 2015

This study was carried out to examine characteristics of various acoustic indicators evaluating speech intelligibility such as reverberation time(T₃₀), D₅₀, C₅₀ and speech transmission index(STI) in Korean elementary school classrooms. Results showed that mean T₃₀ at middle frequencies(500 Hz to 2000 Hz) measured in 9 classrooms was about 0.75 s, which exceeds a regulation specified on American National Standards(ANSI); 0.60 s. Mean D₅₀, C₅₀ and STI were 60 % to 66 %, +2 dB to +3 dB, and 0.65, respectively. The maximum difference in D₅₀ and C₅₀ according to different receiver points in a classroom was 13 % and 2.5 dB, while the maximum difference in T₃₀ was 0.03 s. Whereas STI measured in classrooms has relatively low correlation with other indicators, correlation between D₅₀ and C₅₀ was high, R²=.9964. In addition, T₃₀ and C₅₀ were fitted well as logarithmic regression curve with R²=.9610. It was +3.73 dB in C₅₀ and 68 % in D₅₀ which are the value corresponding to 0.60 s in T₃₀ on this curve.