• 한국재료학회지
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• 제10권2호
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• pp.160-165
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• 2000

Sputter Cu(1-4.5at.%Mg) alloy를 100mTorr이하의 산소압력에서 온도를 증가시키며 열처리하였을 때 표연과 계면에서 형성된 MgO의 확산방지막 특성을 살펴보았다 먼저, $Cu(Mg)/SiO_2/Si$ 구조의 샘플을 열처리했을 때 계면에서는 $2Mg+SiO_2{\rightarrow}2MgO+Si$의 화학반응에 의해 MgO가 형성되는데 이 MgO충에 의해 Cu가 $SiO_2$로 확산되는 것이 현저하게 감소하였다. TiN/Si 기판 위에서도 Cu(Mg)과 TiN 계면에 MgO가 형성되어 Cu(4.5at.%Mg)의 경우 $800^{\circ}C$까지 Cu와 Si의 확산을 방지할 수 있었다. 표면에 형성된 MgO위에 Si을 증착하여 $Si/MgO(150\;{\AA})/Cu(Mg)/SiO_2/Si$구조로 만든 후 열처리했을 때 $150\;{\AA}$의 MgO는 $700^{\circ}C$까지 Si과 Cu의 확산을 방지할 수 있었다. 표면에 형성된 MgO($150\;{\AA}$)의 누설전류특성은 break down 5V, 누설전류 $10^{-7}A/\textrm{cm}^2$의 값을 나타냈다. 또한 $Si_3N_4/MgO$ 이중구조에서는 매우 낮은 누설전류밀도를 나타냈으며 MgO에 의해 $Si_3N_4$ 증착시 안정적인 계면이 형성됨을 확인하였다.

• 대한기계학회논문집A
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• 제36권4호
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• pp.405-412
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• 2012

종래 아연의 부식 속도를 줄이는 가장 일반적인 방법은 $Cr^{+6}$를 도포하여 화학적으로 개조하는 것이었다. 그러나 $Cr^{+6}$는 현재 환경 보호법 때문에 사용이 제한되어 있다. 따라서 자자들은 Si를 가지는 유/무기 용액에 대한 아연도금강판의 최적 조건을 연구하였다. 최적 내식성은 $190^{\circ}C$에서 5분간 열처리한 조건으로 나타났다. 본 연구에서는 내식성 평가를 위하여 우레탄 용액(Urethane 20 wt.% ; S-700), Si를 가지는 유/무기 용액(Si polysilicate 10 wt.% + Urethane 10 wt.% LR-0317) 및 Si와 Ti를 가지는 2종류의 유/무기 용액(Si polysilicate 7 wt.% + Urethane 13 wt.% + Ti amorphous 0.5 wt.% ; LR-0727(1), Si polysilicate 7 wt.% + Urethane 7 wt.% + Ti amorphous 0.5 wt.% + epoxy 6wt.% ; LR-0727(2))을 사용하였다. 내식성 평가는 냉간압연 강판을 사용하여 염수분무 시험으로 실시하였다. 7시간의 염수 분무 시험에서 LR-0727(1)과 LR-0727(2) 용액이 냉간 압연 강판에 대하여 우수한 내식성을 나타내었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1994년도 제7회 학술발표회 및 한·일 CVD 심포지움 논문개요집
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• pp.129-129
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• 1994

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 1993년도 춘계연구발표회 논문개요집
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• pp.70-71
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• 1993

• 전기전자학회논문지
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• 제28권1호
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• pp.46-52
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• 2024

이번 연구에서 우리는 게이트 산화막을 형성하기 위해 Si을 증착한 후 산화시킨 SiC MOSFET의 전기적 특성을 연구했다. 고품질의 Si/SiO₂ 계면을 제작하기 위해 얇은 Si 층을 SiC epi 층 위에 약 20 nm을 증착한 후 산화하여 게이트 산화막을 약 55 nm로 형성했다. SiC를 산화하여 게이트 산화막을 제작한 소자와 계면 트랩 밀도, 온저항, 전계-효과 이동도의 측면에서 비교했다. 위 소자는 향상된 계면 트랩 밀도 (~8.18 × 10¹¹ eV^-1cm^-2), 전계-효과 이동도 (27.7 cm²/V·s), 온저항 (12.9 mΩ·cm²)을 달성하였다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제27권11호
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• pp.62-68
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• 1990

표준 Si 공정기술을 이용하여 칩의 크기가 $1.7{\times}1.7{mm^2}$인 소형 압저항형 Si 압력센서를 제작하고 그 동작 특성을 평가하였다. 제작된 센서는 크기 $1.0{\times}1.0{mm^2}$, 두께 $20{\mu}m$의 n형 Si 다이아프램상에 4개의 붕소 확산저항이 브릿지 형태로 연결된 칩 구조를 가지며 최종적으로 게이지압을 측장할 수 있도록 상온 상압하에서 패키징하였다. 이 센서의 동작특성은 상온에서 압력감도 $14.2{\mu}V/V{\cdot}mmHg$ 정격 압력범위 0~760mmHg, 최대 비선형성 $1.0{\%}$ FS로 평가되었다.

• 한국원자력학회:학술대회논문집
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• 한국원자력학회 1995년도 춘계학술발표회논문집(2)
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• pp.745-752
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• 1995

고연소도 액체금속로용 금속연료를 개발하고자 U-l0wt%Zr 합금중 Zr 원소 대신에 X(:Si, Ta, Nb, W, Mo) 원소를 첨가한 U-7wt%Zr-3wt%X(:Si, Ta, Nb, W, Mo) 합금을 제조하여 미세조직에 미치는 합금원소 첨가의 영향을 조사하였다. 그 결과 U-7 wt%Zr-3wt%Si 합금을 제외한 모든 U-7wt%Zr-3wt%X(:Ta, Nb, W, Mo) 합금은 Matrix에 있어서 Laminar Structure를 그대로 유지하였다. U-7wt%Zr-3wt%Si 함금을 제외한 모든 U-7wt%Zr-3wt%X(:Ta, Nb, W, Mo) 합금의 주요한 상은 U-l0wt% Zr 합금과 마찬가지로 $\alpha$-U 및 $\delta$-UZr$_2$ 상이었다. U-7wt%Zr-3wt%X(:Ta, Nb, W, Mo) 합금은 U-l0wt%Zr 합금에 비해 Lamina Thickness가 크게 감소되었다. 특히 U-7wt%Zr-3wt%Mo 합금의 경우에 있어서는 U-l0wt%Zr 합금에 비해 1/3배 정도까지 Lamina Thickness가 크게 감소하였다. 이와 같은 합금원소 첨가에 의한 Laminar Structure의 미세화는 액체금속로강 금속연료내 Fission Gas의 Inter-connected Path가 보다 더 잘 형성됨으로 인해 Fission Gas Bubble에 대한 방출속도를 크게 증가시켜서 궁극적으로는 Fission Gas Bubble에 의한 Swelling을 저감시킬 것으로 기대된다.

• 한국재료학회지
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• 제4권6호
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• pp.638-643
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• 1994

Si(111)표면위에 Au의 증착량과 기판온도에 따른 표면구조의 변화를 RHEED(Reflection High Energy Electron Diffraction)상(pattern)과 RHEED상의 회절반점(spot)강도변화를 이용하여 조사하였다. Si(111) $7\times7$구조를 Au 를 0.1ML-0.4ML증착후에 기판을 $350^{\circ}C$-$750^{\circ}C$로 수초간 가열하면 $7\times7$구조에서 $7\times7$ + $5\times2$의 혼합 구조로 변화하였으며 증착량 0.4ML-1.0ML에서는 RHEED상이 기판온도와 증착량에 따라 $5\times2,\alpha- \sqrt{3} \times \sqrt{3},\beta- \sqrt{3} \times \sqrt{3}$의 구조들이 관찰되었다. $6\times6$구조는 기판온도 $270^{\circ}C$-$370^{\circ}C$에서 증착량 0.8ML에서부터 형성되기 시작하여 1ML에서 완성되었다. AES(Auger Electron Spectroscopy)를 이용한 $\alpha- \sqrt{3} \times \sqrt{3},5 \times 2$구조에서의 Au원자의 이탈과정 조사에서 이탈 에너지는 각각 79kcal/mol, 82kcal/mol로 조사되었다.

• 농약과학회지
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• 제4권2호
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• pp.37-43
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• 2000

본 시험은 오이 양액재배시 배양액내 규산칼륨($K_{2}SiO_{3}$) 처리에 의한 흰가루병 방제여부를 검토하기 위하여 규산 칼륨($K_{2}SiO_{3}$, $25{\sim}27%$의 $SiO_{2}$ Kanto)을 0.85 mM(50 $mg{\cdot}L-^{-1}$), 1.7 mM(100 $mg{\cdot}L-^{-1}$) 및 3.4 mM(200 $mg{\cdot}L-^{-1}$)의 농도로 배양액에 처리하고 1.7 mM, 8.5 mM, 17 mM 및 34 mM의 농도로 엽면살포하였다. 생육중기(정식 51일)에 규산 3.4 mM 배양액 처리구는 흰가루병 병반면적율이 2.3%로 0.95 mM 처리구의 38.3%에 비해 현저히 억제되었다. 그러나 1.7 mM과 3.4 mM 처리간에는 현저한 차이가 없었다. 배양액내 규산의 농도를 0.05 mM에서 4.10 mM까지 증가시켰을 때 잎당 병반수, 병반면적 및 발아관 길이는 규산의 농도 증가에 따라 감소하였다. 규산을 처리한 잎에서의 분생포자 발아율은 처리농도가 높아질수록 현저하게 감소하였으며, 저농도 처리구(1.40 mM 이하)에서는 $14.7%{\sim}20.3%$, 고농도처리구(1.85 mM 이상)에서는 $9.0%{\sim}12.4%$였다. 2% 물한천 배지에서의 농도시험에서는 발아율이 $1.1%{\sim}2.0%$로 일정한 경향을 나타내지 않았다. 규산칼륨을 17 mM의 농도로 희석하여 엽면살포한 결과 무처리에 비하여 흰가루병 발생이 현저히 억제되었으며, 방제효과 지속기간은 병원균 접종후 4일까지였다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2012년도 추계총회 및 학술대회 논문집
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• pp.186-186
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• 2012

최근 Flexible organic electronics 분야에 대한 관심과 더불어 소자의 산소 및 수분의 침투를 방지하기 위한 투습방지막 연구가 활발히 진행되고 있다. 이에 본 연구에서는 Closed Drift Linear Source(CDLPS) 플라즈마 공정을 이용하여 저온 고속의 $SiO_xC_yH_z$ barrier flims 형성 연구를 진행하였다. HMDSO(hexamethyldisiloxane), TMS(trimethylsilane)와 산소를 기반으로 HMDSO/HMDSO+산소의 비율에 따라 $Si(-O_x)$ 변화에 따른 특성 평가를 진행하였다. X-ray photoelectrom spectroscopy(XPS) 및 Ft-IR spectrometer 측정 시 3.7% 비율에서 실리콘 원소가 산소 라디칼과 효율적인 반응을 함으로써 단일한 $SiO_2$ 박막이 형성됨을 확인 하였다. 그와 반면에 비율의 증가로 인해 다량의 HMDSO 물질이 주입 되었을 시 산소 라디칼과 충분히 반응 되지 못하여 $SiO_2$에 비해 $Si(CH)_x$ 가 많이 함량 된 Polymer like한 $SiO_x$가 많이 형성되었다. 박막의 증착율의 경우에는 3.7%에서 18%로 증가함에 따라 35 nm/min에서 180 nm/min의 증착율을 가지는 것을 확인 하였다. 3.7% 비율의 단일 $SiO_2$ 공정 조건으로 유기태양전지에 형성 하였을 시 소자의 에너지 변환 효율(PCE)이 변화 없는 것을 확인하였다. 이는 기존 공정에 비해 CDLPS 플라즈마 공정의 경우 유기소자에 플라즈마로 인한 열에너지나 이온 충격 에너지로 인한 영향 없는 것을 확인 할 수 있다. 이런 장점을 통해 CDSPS를 이용한 공정 기술은 다양한 유기 소자의 barrier 형성 연구에 큰 도움이 될 것이다.