Purpose: The narrow-band pass color-filters with a 500 nm central wavelength and 12 nm FWHM using $Ti_3O_5/SiO_2$ mutilayer were fabricated, and their characteristics and structures were studied. Methods: the optical constants, n and k, of the $Ti_3O_5$ and $SiO_2$ thin films were obtained from the transmittances of their thin film. The narrow-band pass color-filters were designed with these optical constants and the AR coating of the filter was also designed. $Ti_3O_5/SiO_2$ multilayer filters were made by electron beam evaporation apparatus and the transmittaces of the filters were measured by spectrophotometer. the number of layers and the thicknesses of filters were calculated from the cross section of filters by SEM image and the composition of filters was analysed by XPS analysis. Results: The optimization of AR coating for the narrow-band pass color-filter was [air$|SiO_2(90)|Ti_3O_5(36)|SiO_2(5)|Ti_3O_5(73)|SiO_2(30)|Ti_3O_5(15)|$ glass], and the optimization of filter layer for the color filter was [air$|SiO_2(192)|Ti_3O_5(64)|SiO_2(102)|Ti_3O_5(66)|SiO_2(112)|Ti_3O_5(74)|SiO_2(120)|Ti_3O_5(68)|SiO_2(123)|Ti_3O_5(80)|SiO_2(109)|Ti_3O_5(70)|SiO_2(105)|Ti_3O_5(62)|SiO_2(99)|Ti_3O_5(63)|SiO_2(98)|Ti_3O_5(51)|SiO_2(60)|Ti_3O_5(42)|SiO_2(113)|Ti_3O_5(88)|SiO_2(116)|Ti_3O_5(68)|SiO_2(89)|Ti_3O_5(49)|SiO_2(77)|Ti_3O_5(48)|SiO_2(84)|Ti_3O_5(51)|SiO_2(85)|Ti_3O_5(48)|SiO_2(59)|Ti_3O_5(34)|SiO_2(71)|Ti_3O_5(44)|SiO_2(65)|Ti_3O_5(45)|SiO_2(81)|Ti_3O_5(52)|SiO_2(88)|$ glass]. It was known that the color-filters fabricated by the simulation data were composed of 41 layers by SEM image and the top layer of filters was $SiO_2$ layer and the filters were composed of $SiO_2$/$Ti_3O_5$ multilayer by XPS analysis. It was also known that the mixed thin film of TiO2 and $Ti_3O_5$ was made during the deposition of the $Ti_3O_5$ material. Conclusions: The narrow-band pass color-filters with a 500 nm central wavelength and 12 nm FWHM using $Ti_3O_5/SiO_2$ mutilayer of 41 layer were fabricated, and it was known that the mixed form of TiO2 and $Ti_3O_5$ thin film was made during the deposition of the $Ti_3O_5$ material.
The homoepitaxy of Si(5 5 12) at $495^{\circ}C$ has been studied by Scanning Tunneling Microscopy under ultrahigh vacuum. A Si-dimer is the basic building-block and preferentially adsorbs on a unique site, that is, the Si-dimer/adatom site at the (337) and the (225) subsections within the Si(5 5 12) unit cell. The Si(5 5 12) unit cell is faceted to $3\times(337)$ subsections filled with Si-addimers and $1\times(113)$ subsection. In this step the tetramer at the other (337) section within the unit cell is transformed to a dimer/adatom site which can accept Si-dimers. Each (337) section is faceted to $1\times(112)\;and\;1\times(113)$, and then finally the unit cell of Si(5 5 12) is faceted to $3\tiems(112)\;and\;4\times(113)$ and forms the facet of effective height, $2.34{\AA}$. In this step, mutual transformation between the honeycomb chain and the dimer/adatom occurs. Finally, the valley between (112) and (113) facets is filled. If once the last step is completed, the uniform and planar Si(5 5 12) terrace is recovered. From the present study, therefore, it can be concluded that the homoepitaxy on Si(5 5 12) is periodically achieved and such growth mode is quite unique since faceting of the substrate-unit-cell plays a critical role for controlling uniformity of the overlayer.
The microstructure and bond strength were investigated on the SiC/SiC and SiC/mild steel joints brazed by Ag-5at%Ti alloy. Ag-5at%Ti-2at%Fe and -5at%Fe brazing alloys were also used to see the effects of Fe addition on the bond strength of SiC/SiC brazed joints. Brazing temperature and brazing gap were selected and examined as brazing variables. The microstructure of SiC/SiC brazed joints was affected by Fe addition to the Ag-5at%Ti alloy, but the bond strength was not. Increasing brazing temperature also changed the microstructure of $Ti_5Si_3$ reaction layer and brazing alloy matrix of the SiC/SiC and SiC/mild steel joints, but not the bond strength. Brazing gap had a great effects on the bond strength. Decreasing brazing gap from 0.2 mm to 0.1 mm in SiC/SiC brazing increased the bond strength from 187 MPa to 263 MPa and, in SiC/mild steel brazing, from 189 MPa to 212 MPa. It was concluded that the most important parameter on the bond strength in SiC/SiC and SiC/mild steel brazing was the relative ratio between brazing gap and specimen size.
The objective of this work was to investigate the effects of SiC particle size(50, 100 ${\mu}m$) and additional elements such as Si, Cu and Ti on aging behavior in Al-5Mg-X(Si,Cu,Ti)/SiCp composites fabricated by pressureless infiltration method using hardness and wear test, scanning electron microscopy(SEM) and differential scanning calorimetry(DSC). The peak aging time in Al-5Mg-X(Si, Cu, Ti)/SiCp(50, 100 ${\mu}m$) composites is shorter than Al-5Mg-0.3Si alloy.The peak aging time of 50 ${\mu}m$ SiC particle reinforced Al-5Mg-X(Si,Cu,Ti) composites is shorter than those of 100 ${\mu}m$ SiC particle reinforced of Al-5Mg-X(Si,Cu,Ti) composites. The Al-5Mg-0.3Si-0.1Cu-0.1Ti/SiCp(50 ${\mu}m$) composites aged at $180^{\circ}C$ has higher hardness and better wear resistance than any other aged composite.The aging effect is promoted by the addition of Si and Cu in Al-5Mg/SiCp composites, so the wear resistance of Al-5Mg/SiCp composites with Si and Cu elements is enhanced by the aging treatment.
Milling media of steel and partially stabilized zirconia(PSZ) were used to produce $Mo_3$Si by mechanical alloying(MA) of Mo-25.0at%Si elemental powder mixture. The effect of milling medium materials on MA of the powder mixture have been investigated by XRD and DTA. The reaction rate and the end-product noticeably depended upon the milling medium material. The formation of $Mo_3$Si and $Mo_5Si_3$phases by PSZ ball-milling took place after 15 hr of MA and was characterized by a slow reaction rate as Mo, Si, $Mo_5Si_3$ and $Mo_3$Si coexisted for a long period of milling time. The formation of a new phase by steel ball-milling, however, did not take Place even after 96 hr of MA. DTA and annealing results showed that $Mo_5Si_3$ and $Mo_3$Si were formed after heating the ball-milled powder specimens to different temperatures. At low temperatures, Mo and Si were transformed into $Mo_5Si_3$. At high temperatures, the formation of $Mo_3$Si can be partially attributed to the reaction, 7Mo+Si+$Mo_5Si_3$-.4$Mo_3$Si . The formation of $Mo_3$Si and Mo5Si3 phases by mechanical alloying of the powder mixture and the relevant reaction rate appeared to depend upon the milling medium material as well as the thermodynamic properties of the end-products.
Kim, Jeong-Min;Sung, Ki-Dug;Jun, Joong-Hwan;Kim, Ki-Tae;Jung, Woon-Jae
Journal of Korea Foundry Society
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v.24
no.6
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pp.340-346
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2004
The plan for obtaining a good combination of strength and castability appeared feasible and the following observations were made. 1. In Al-12Mg-6.6Zn-xSi alloys, more primary $Mg_2Si$ phase formed with reduced $Al_3Mg_2$ phase, as Si content is necessary for an effective solution heat treatment because the solidus temperature is very low silicon contents. 2. A high tensile strength could be obtained in the heat-treated Al-12Mg-5.5Zn-5Si alloy attributed in the heat-treated Al-12Mg-5.5Zn-5Si alloy attributes to fine $MgZn_2$ particles that precipitated uniformly in the matrix. 3. Al-12Mg-5.5Zn-Si alloys showed excellent casting capabilities such as hot cracking resistance and fluidity compared to the reference commercial alloys. 4. The wear resistance of Al-12Mg-5.5Zn-5Si alloy was superior to that of A7075 alloy, and even higher resistance is expected if the morphology and size of primary $Mg_2Si$ phase is carefully controlled.
The Y1.99-xMxCe0.01SiO5(M=Li, La, Nd, and Gd) phosphors were synthesized by solid-state reaction at 1350oC for 10h under reducing atmosphere in order to improve properties of blue emitting phosphors. Compared with commercial blue phosphors, the Y2SiO5:Ce blue phosphors substituted with various elements showed significant enhancement of the emission intensity. Particularly, 1 mol% Li doped Y2SiO5:Ce phosphors indicated the maximum emission intensity in the photoluminescence spectra. Thanks to SEM analyses revealed that the morphology of Y2SiO5:(Ce,Li) blue phosphors was a pseudo-spherical with particle size of 3m.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.6
no.2
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pp.185-193
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1996
$2.5^{\circ}\;and\;5^{\circ}$ tilted (100) Si wafer were oxidized in dry oxygen, and the differences in thermal oxidation behavior and oxidation induced stacking faults (OSF) between specimens were investigated. Ellipsometer measurements of the oxide thickness produced by oxidation in dry oxygen from 900 to $1200^{\circ}C$ showed that the oxidation rates of the tilted (100) Si were more rapid than those of the (100) Si and the differences between them decreased as the oxidation temperature increased. The activation energies based on the parabolic rate constant, B for (100) Si, $2.5^{\circ}$ off (100) Si and $5^{\circ}$ off (100) Si were 27.3, 25.9, 27.6 kcal/mol and those on the linear rate constant, B/A were 58.6, 56.6, 57.6 kcal/mol, respectively. Also, considerable decrease in the density of oxidation induced stacking faults for the $5^{\circ}$ off (100) Si was observed through optical microscopy after preferentially etching off the oxide layer, and the angle of stacking faults were changed with tilted angles.
Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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v.27
no.1
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pp.134-144
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2003
Reactive diffusion couples between Fe-5.8at.%Si and (Si wafer, $FeSi_2$, or FeSi alloy) were heat-treated at 1423k. The only layer of $Fe_3Si$ phase was formed in each diffusion couple. The width of $Fe_3Si$ layer was proportional to square root of diffusion time in each kind of diffusion couple. Growth rate of $Fe_3Si$ layer was relied on the concentration of Si in the supplied source of Si atoms. Interdiffusion coefficient of $Fe_3Si$ has been determined from the derived relation between growth rate constant and interdiffusion coefficient in this work. It was shown that the behavior of Kirkendall's void in $Fe_3Si$ layer was not affected by the kind of Si source. But solid solution $\alpha$ was formed in the diffusion couple between Fe-5.8 at.%Si and $Fe_3Si$ alloy. Kirkendall's voids in diffusional $\alpha$ were neglectively smaller than the case of $Fe_3Si$ phase growth.
A method to simultaneously synthesize and consolidate $Ti_5Si_4 \;and\; Ti_5Si_3$-20 vol%Nb composite from powders of Ti, Si and Nb was investigated. Combustion synthesis was carried out under the combined effect of an electric field and mechanical pressure. Highly dense $Ti_5Si_4 \;and\; Ti_5Si_3$-20 vol% Nb with relative densities up to 98% was produced from powders of Ti, Si and Nb under the application of 60 MPa pressure and 3000A current on the reactant.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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