• 주류산업
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• v.33 no.4
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• pp.26-29
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• 2013

• 정보화사회
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• s.169
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• pp.23-27
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• 2004

• Journal of Korean Electronics
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• v.8 no.12
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• pp.8-8
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• 1988

• Nuclear industry
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• v.27 no.2 s.288
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• pp.2-4
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• 2007

• Journal of Industrial Technology
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• v.16
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• pp.157-168
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• 1996

The deposition characteristics of ultrafine $SiO_2$ particles were investigated in a tube furnace reactor theoretically and experimentally controlling tube wall temperature in deposition zone. The model equations such as mass and energy balance equations and aerosol dynamic equations inside reactor and deposition tube were solved to predict the particle growth and deposition. The particle size and deposition efficiencies of $SiO_2$ particles were calculated, changing the process conditions such as tube furnace setting temperature, total gas flow rate inlet $SiCl_4$ concentration and were compared with the experimental results.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.83-83
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• 2010

산업이 고도화되는 과정에서 에너지의 고효율화를 위하여 고온, 고압 등의 극한환경 하의 공정이 불가결하며, 이에 따라 초미세분진인 나노 입자가 증가되고 있다. 이에 따라 해당 나노의 입자 처리를 위하여 다양한 용도에서의 고온 필터가 산업적으로 요구되고 있다. 본 연구에서는 디젤엔진 매연저감 후처리 장치, 소각로, 발전소 등의 미세 분진 포집 필터로서의 응용을 위해, 카본 파이버에 SiC 휘스커를 증착하는 실험을 진행하였다. 휘스커 증착 공정은 촉매없이 SiC 휘스커를 카본 파이버 위에 화학증착하였다. 휘스커 성장 시 증착 조건의 변화를 통하여 다양한 휘스커의 증착 형태 및 미세구조를 관찰하였다. 또한 높은 포집 효율 및 기체투과도를 갖추기 위해, 휘스커가 증착된 시편의 포집효율 및 기체투과도 향상을 위한 실험을 진행하였다. 해당 실험의 결과로, 증착된 필터는 70% 이상의 포집효율을 보이면서도 기체 투과도는 현재 상용화되어 있는 코디얼라이트보다 5배 이상 높았다. 또한 필터에 추가적인 SiC 침윤공정을 통하여 시편의 내산화성, 내마모성, 내열성 등의 특성이 향상됨을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2001.11b
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• pp.13-16
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• 2001

반도체 동작시에 파워 손실을 최소화하는 것은 2000년대의 에너지, 산업전자, 정보통신 산업분야에서의 가장 주요한 요구 사항중의 하나이다. 실리콘계 반도체 소자들은 완전히 새로운 구동기구의 소자가 개발되지 않는 한, 실리콘 재료의 낮은 열전도율이나 낮은 절연파괴전계와 같은 물리적 특성한계 때문에 이러한 요구를 만족시키는 것이 불가능한 실정이다. 따라서 21세기를 위한 대안으로 고열전도융의 WBG(WideBand-Gap) 물질 그 중에서도 탄화규소(SiC) 반도체가 제시되고 있다. SiC 반도체는 실리콘에 비하여 밴드갭(band gap: $E_{g}$)이 높을 뿐만이 아니라 절연파괴강도 ($E_{B}$)가 한 자릿수 이상 그리고 전자의 포화 drift 속도, $V_{s}$ 및 열전도도 k가 3배 가량 크다. 따라서 SiC는 고온 동작 내지는 고내압, 대전류, 저손실 반도체를 제작하는데 아주 유리하다. 본고에서는 응용성이 넓고, 단결정 제조가 비교적 용이한 SiC 반도체의 기술현황에 대하여 살펴보고자 한다.

• 한국IT서비스학회:학술대회논문집
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• 2002.11a
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• pp.363-368
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• 2002

현재 정보(S/W, 컨테츠 등)의 이동은 지리적 한계와 거래비용(Transaction Cost)의 문제를 고려하지 않는다. 이는 정보 중심의 사회로 가는 견인차 역할을 하고 있는 통신 기술의 발전으로 가능하였다. 동시에 통신기술(Internet)의 발달은 S/W의 불법복제 등으로 인한 창작의욕 및 SI 산업 발전에 부정적인 영향을 주는 요인으로도 작용하고 있다. 이에 지속적인 SI 산업 발전을 위한 S/W의 효율적인 보호를 위해서는 기존의 제도적 연구(법률)와 기술적 연구(암호, 은닉기술, 등)를 종합적으로 고찰하여야 한다. 본 연구를 통하여 기존의 국내외 SI 관련 저작권과 S/W 보호를 위한 기술 그리고 법률적 해결방안을 종합적으로 함께 고찰하여 보다 효과적인 S/W 보안을 위한 정책적 시사점을 제시하고자 한다.

• Journal of the Korean Society of Industry Convergence
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• v.17 no.3
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• pp.122-135
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• 2014

This paper was studied on the horizontal continuous casting of Al-xSi(x=10~15%) aluminum alloy. The experiments of the horizontal continuous casting was carried out by the horizontal continuous casting machine for various casting conditions and investigated on fracture types and mechanisms. Surface defect types for the horizontal continuous casting is also investigated. And the study was carried out that the horizontal continuous casting conditions such as casting temperature, cooling rate, and drawing speed affect the hardness and primary silicon size of Al-xSi(x=10~15%) aluminum rod bar. Casting temperature within this experiment conditions don't affect on the hardness of rod bar but the higher casting temperature is the smaller primary silicon size. The higher cooling rate and drawing speed have the higher hardness and the smaller primary silicon size.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.14 no.12
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• pp.11-14
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• 2001

반도체 동작시에 파워 손실을 최소화하는 것은 2000년대의 에너지, 산업전자, 정보통신 산업분야에서의 가장 주요한 요구 사항중의 하나이다. 실리콘계 반도체 소자들은 완전히 새로운 구동기구의 소자가 개발되지 않는 한, 실리콘 재료의 낮은 열전도율이나 낮은 절연파괴전계와 같은 물리적 특성한계 때문에 이러한 요구를 만족시키는 것이 불가능한 실정이다. 따라서 21세기를 위한 대안으로 고열전도율의 WBG(Wide Band-Gap) 물질 그 중에서도 탄화규소(SiC) 반도체가 제시되고 있다. SiC 반도체는 실리콘에 비하여 밴드 갭(band gap: E$_{g}$)이 높을 뿐만이 아니라 절연파괴강도(E$_{B}$)가 한 자릿수 이상 그리고 전자의 포화 drift 속도, V$_{s}$ 및 열전도도 k가 3배 가량 크다. 따라서 SiC는 고온 동작 내지는 고내압, 대전류, 저손실 반도체를 제작하는데 아주 유리하다. 본고에서는 응용성이 넓고, 단결정 제조가 비교적 용이한 SiC 반도체의 기술현황에 대하여 살펴보고자 한다.