• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2017년도 임시총회 및 하계학술연구발표회
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• pp.89-89
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• 2017

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1985년도 하계학술회의논문집
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• pp.198-200
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• 1985

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 1998년도 추계학술발표회 초록집
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• pp.25-26
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• 1998

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.209.1-209.1
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• 2013

GaP는 가시광선 발광다이오드을 얻을 수 있는 적절한 재료중의 하나로 해당영역의 파장에 대하여 높은 양자효율을 얻을 수 있고, 깊은 준위 재결합이 없기 때문에 GaP 녹색 및 As 첨가한 GaAsP 적색 LED 에 적용할 수 있습니다. 또한, 상온에서 2.2 eV 에 해당하는 넓은 에너지 밴드갭을 가지고 있으므로, 소음이 없는 자외선 검출기에도 적합합니다. 이 물질에 대한 소자들은 기존에 GaP 기판을 사용하였습니다. 최근, GaP 와 격자상수가 비슷한 Si 기판을 활용하여 그 위에 성장하는 방법에 대한 관심이 많아졌습니다. Si는 물리적 및 화학적으로 안정하고 딱딱한 소재이며 대면적 기판을 쉽게 얻을 수 있어 전자 기기 및 대규모 집적 회로의 좋은 소재입니다. Si 와 대조적으로 GaP은 깨지기 쉬운 재료이며 GaP 기판은 Si와 같은 대면적 기판을 얻을 수 없습니다. 이러한 문제의 한 가지 해결책은 Si 기판위에 GaP 층의 성장입니다. GaP 과 Si의 조합은 현재의 광전소자 들에 더하여 더 많은 응용프로그램들을 가능하게 할 것입니다. 그러나, Si 기판위에 GaP 성장 시 삼차원적 성장 및 역위상 경계면과 같은 문제점들이 발생하므로 질이 높고 균일한 결정의 GaP 를 얻기가 어렵습니다. 따라서, Si 에 GaP 의 성장시 초기 단계를 제어하는 성장 기술이 필요합니다. 본 연구에서는, 유기금속화학증착법을 이용하여 Si 기판위에 양질의 GaP를 얻을 수 있는 최적의 성장조건을 얻고자 합니다. 실험 조건은 Si에 GaP의 에피택셜 성장의 초기 단계에 영향을 주는 V/III 비율, 성장압력, 기판방향 등을 가변하는 조건으로 진행하였습니다. V/III 비율은 100~6400, 성장 압력은 76~380 Torr로 진행하였고, Si 기판은 just(001)과 2~6도 기울어진 (001) 기판을 사용하였습니다.

• 한국자기학회지
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• 제1권2호
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• pp.42-48
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• 1991

대표적인 철계비정질 합금인 $Fe_{80}B_{15}Si_{5}$의 기초연자기특성을 펄스법으로 측정하였다. 자기변형, 이방성에너지, 자화율의 역수들 사이의 정량적 관계를 연구하였다. 자기변형과 일축이방성에너지의 자화율의 역수에 대한 상대적인 기여도를 계산하였다. 내부응력의 크기와 듀도이방성에너지를 추산하였다. 시료의 장축방향으로 인가된 장력은 유도 이방성에너지를 크게 증가하게 함을 알았다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.459-459
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• 2013

Si (111) 기판 위에 plasma assisted molecular beam epitaxy 법으로 Si과 Mg doping된 GaN 나노막대를 각 각 성장하고 나노막대의 모양과 광학적 특성을 조사하였다. Si이 doping된 GaN 나노막대는 biaxial m-plane 방향의 변화로 별 모양을 갖는 것을 관찰하였고 Mg doping된 GaN 나노막대의 지름은 줄어드는 것을 scanning electron microscopy로 확인하였다. 본 연구에서는 이러한 변화의 원인을 stress 때문으로 보고 x-ray diffraction과 raman scattering 측정을 통하여 구조적 변화를 조사하였다. 또한, stress에 의한 GaN 나노막대의광학적 특성 변화를 photoluminescence을 통하여 조사하였다. Doping한 GaN 나노막대의 특성조사를 통해 GaN 나노막대 성장 시 발생되는 stress의 영향을 이해하는데 중요한 정보를 제공할 것이다.

• 한국재료학회지
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• 제7권5호
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• pp.423-430
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• 1997

졸-겔 dip coating법에 의해 제조한 바륨페라이트 박막의 미세구조와 결정학적인 구조 특성에 관해 조사하였다. 기판에 형성된 바륨페라이트 입자는 침상 형태의 입자들로 구성되어 있었으며, C축은 장축 방향이었고, 막 두께가 증가함에 따라 침상형 입자들은 기판에 평행하게 배향하는 경향을 나타내었다. 박막은 바륨페라이트층, Ba, Fe, SiO$_{2}$로 구성되어 있는 중간층, 그리고 기판층인 SiO$_{2}$층으로 구성되어 있었으며, 중간층과 SiO$_{2}$층간의 계면은 Ba 와 SiO$_{2}$간의 화합물로 구성되어 있었다. 침상 형태의 입자는 95$0^{\circ}C$에서 3시간 열처리하므로써 완전히 소실하였고, 130$0^{\circ}C$에서 3시간 열처리하므로써 c면이 기판에 평행하게 위치하는 완전한 육각판상 형태의 입자로 변화되었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제31권4호
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• pp.457-463
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• 1994

The growth condition of highly oriented textured diamond film on a (100) Si substrate was investigated as a function of texture orientation. The growth process consisted of biased enhanced nucleation (BEN) and texture growth. The substrate was under the plasma of 6% CH4-94% H2 with negative bias of 200V during the BEN which grounded during the texture growth. The texture orintation changed from <100> to <110> by increasing substrate temperature. The nearly perfect match between textured diamond grains and the Si substrate could be obtained under the condition of <100> texture. The degree of tilt mismatch increased with the increase of deviation of texture orientation from <100>. The degree of twist mismatch appeared to increase abruptly beyond the critical deviation of texture orientation from <100> because the nuclei having the same orientation as the substrate were no more preferred grains for texture formation.

• 한국IT서비스학회:학술대회논문집
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• 한국IT서비스학회 2005년도 추계학술대회
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• pp.592-599
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• 2005

본 논문은 자료포괄분석(Data Envelopment Analysis, DEA)을 이용하여 국내 SI회사를 대상으로 효율성을 측정하고 효율성의 연도별 추세를 분석하여 개별기업 및 산업차원에서 변화의 방향을 파악하였다. 기업집단의 소속여부에 따른 비효율성의 차이와 효율성에 영향을 미치는 주요 요인에 관해 실증적으로 분석하였다. 평균적으로 국내 SI회사의 기술적 효율성은 약간 하락하고 있으며, TE 및 PTE의 표준편차와 최대값-최소값의 범위는 상당히 증가하고 있어 양극화가 심화되고 있음을 확인하였다. 또한 기업집단 소속인 기업과 그렇지 않은 기업의 효율성을 분석한 결과 그 차이는 통계적으로 유의함을 검증하였다. 한편, 효율성에 영향을 미치는 각종 요인과 TE 및 PTE 간의 상관관계를 분석한 결과, 내부매출비중, 정보생산성, 인당매출, EBITDA율, 부가가치율, 투하자본 수익률(ROIC) 등과 TE 및 PTE 간에 모두 강한 상관계수를 보이고 있다. 이와 같은 효율성의 분석을 통해 SI산업의 지속 가능한 경쟁력을 확보하고 개별 기업의 효율성을 향상하기 위한 전략적 벤치마킹과 정책적 의사결정에 기여할 수 있다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2005년도 제36회 하계학술대회 논문집 C
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• pp.2031-2033
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• 2005

poly-Si TFT의 kink 전류를 억제하는 L-shaped dual-gate TFT 구조를 제안하고 이를 제작하였다. 제안된 소자는 채널의 그레인 방향을 일정하게 성장시키는 SLS나 CW laser 결정화 방법을 사용한다. L자 모양의 게이트 구조를 사용하여 서고 다른 전계효과 이동도를 갖는 두 개의 sub-TFT를 구현할 수 있으며, 이러한 sub-TFT간의 특성차이가 kink 전류를 억제시킨다. 직접 제작한 L-shaped dual-gate 구조의 소자가 poly-Si TFT의 kink 전류를 억제하고, 전류포화 영역에서 전류량을 고정시킴으로써 신뢰성이 향상됨을 확인하였다.