• 전자통신동향분석
• /
• 제27권5호
• /
• pp.109-125
• /
• 2012

액정 디스플레이의 산업 규모는 놀라운 속도로 확대되고 있다. 그 원동력이 된 것이 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor: TFT) 기술의 발전에 있다. 비정질 실리콘(Amorphous Silicon: a-Si) TFT 기술은 대형 액정 TV를 탄생시키고, 저온 폴리실리콘 TFT는 휴대전화 등의 중소형 디스플레이와 AMOLED의 핵심 기술이 되었다. 또한 다양한 TFT 기술 seeds가 계속해서 출현하여 정보 인프라와 생활 스타일에 맞춘 새로운 정보기기의 출현을 예감시키고 있다. 새로운 응용제품의 요구는 새로운 기술 개발의 견인차가 되고 있다. 최근에는 이러한 요구에 따라 산화물 TFT, 마이크로 결정실리콘(microcrystalline Si: ${\mu}c-Si$) TFT, 유기물 TFT 등의 기술도 활발하게 연구개발되고 있다. 본고에서는 지금까지의 TFT 기술 개발의 발전사를 뒤돌아보고 지금부터의 발전 방향을 박막 트래지스터 기술 이노베이션 관점으로부터 전망하였다.

• 한국IT서비스학회:학술대회논문집
• /
• 한국IT서비스학회 2007년도 추계학술대회
• /
• pp.525-530
• /
• 2007

2007년 1윌 1일부터 공공분야 SI사업에 감리가 의무화가 되었고, 이에 따라 일정규모이상의 공공SI 사업에 대하여 감리수행이 활성화되고 있다. 뿐만 아니라 급변하는 정보기술의 자체관리에 한계를 느끼는 민간 기업에서도 프로젝트 품질의 확보를 위하여 외부 전문 감리업체에 품질관리를 의뢰하고 있는 경우가 정가하고 있다. 이에 따라 감리원의 능력과 감리의 방법을 향상시키기 위한 방만을 연구하고 적용 할 필요성이 대두되고 있다. 본 논문에서는 최근 공공SI사업 현황과 감리현황을 분석한 후 감리수행에 대한 발전 방만을 제안한다.

• 한국가시화정보학회:학술대회논문집
• /
• 한국가시화정보학회 2005년도 한국가시화정보학회 연소/내연기관 부문 학술강연회
• /
• pp.115-154
• /
• 2005

SI 엔진의 연소특징은 비정상 난류 예혼합 화염이며 여기서 내부 유동은 직접 화염 전파에 영향을 미치며 난류와 거시적 유동의 패턴 모두 중요한 역할을 한다. 내연기관 연소에서 난류는 매우 중요한 역할을 하고 통상 엔진 속도($\approx$흡입유동 속도)에 비례하며 그 주요 역할은 고속 운전 시 해당 사이클 내에 연소가 완료되는 데 기여하지만 출력저하, 제어 및 측정 그리고 사이클 변동과 관련하여 실질적으로 난류 제어를 통한 엔진 성능 개선은 사실상 불가능하다. 실물 엔진의 성능 파라미터로 주로 유동의 거시적 거동이 사용되며 이 유동과 연료 분사계가 혼합기 분포 상태와 화염 전파 방향을 결정하여 최종적으로 엔진의 성능을 지배한다. 따라서 가시화를 통한 연소 진단도 이 현상에 주목할 필요가 있으며 거시적 파라미터를 성능에 연관하는 다양한 기법이 존재하고 이들은 매우 풍부한 데이터베이스를 통해 비교적 정확한 성능의 예측을 가능하게 하고 이 점에 주목한 엔진만 성공을 거두었다. 이 거시적 현상에 주목하여 가시화를 통해 성층화 현상을 실험적으로 해석한 예를 제시하였다. SI 엔진 가시화에서 기법보다 중요한 것은 현상의 이해이다. 이를 위해 성공적 가시화 진단을 위해서는 우선 현상에 대한 모델링이 필요하고 이 모델에서 가시화를 통해 규명 가능한 현상을 추출해 내는 것이다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 2005년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
• /
• pp.84-86
• /
• 2005

본 논문에서는 역 방향 전하공핍(reverse bias depletion)을 적용한 새로운 구조의 다결정 실리콘 박막 트랜지스터(poly-Si TFT)를 제안한다. 제안된 소자는 kink 전류 억제를 목적으로 counter-doped(p+) 영역이 채널 내로 확장되어 유효채널 폭을 감소시키는 구조이다. 감소된 채널 폭에 의하여 포화 영역의 채널 내 저항이 증가하고, 훌 전류를 통하여 kink 효과가 억제된다. 제작된 새로운 poly-Si TFT는 기존의 소자에 비해 효과적으로 kink 전류를 억제할 수 있음을 실험을 통해 검증하였다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
• /
• 제1권3호
• /
• pp.269-277
• /
• 1988

P형 Si(100)로 제작한 MOS 커패시터에 $Co^{60}$-.gamma.선을 주사한 후 고주파 C-V특성 곡선으로 부터 방사선 조사에 의해 유발된 산화막안의 트랩전하의 거동 및 Si- $SiO_{2}$계면에서의 트랩밀도 분포의 변화를 검토하였다. 산화막 느랩전하는 .gamma.선 흡수선량 증가와 더불어 증가하다가 $10^{7}$ rad 부근에서부터 서서히 포화하는 경향이 나타났으며 게면트랩밀도의 분포모양은 흡수선량의 증가와 더불어 전형적인 이그러진 W자형에서 넓혀진 V자형 분포로 변화하였으나 최소값은 항상 진성페르미준위( $E_{i}$)부근에 있었으며 그 밀도는 1.0*$10^{11}$~7.5*$10^{11}$[개/$cm^{2}$/eV]로 계산되었다. 또한, 일정 바이어스전압하에서의 조사선량에 따른 $V_{fb}$ 의 변화는 현저하지는 않았으나 바이어스 전압을 +12V로 인가할 때 변화방향의 반전상태가 관측되었다. 그 이유로는 Si측의 계면 부근에서 일어난 눈사태 전자가 산화막내로 주입됨에 따라 도너형 양전하의 수가 감소되기 때문으로 추정되었다.되었다.

• 한국IT서비스학회:학술대회논문집
• /
• 한국IT서비스학회 2005년도 춘계학술대회
• /
• pp.199-204
• /
• 2005

유비쿼터스라는 단어는 이제 더 이상 생소한 단어가 아니게 되었다. 국가차원에서 주도적으로 유비쿼터스라는 분야를 개척하고 있으며, 이제 더 이상 SI업체들도 유비쿼터스를 배제하고는 성장하기 힘든 상황에 이르게 되었다. RFID만을 보더라도 대형 SI업체는 물론 중${\cdot}$소형 업체들도 경쟁적으로 뛰어들고 있다. 이러한 현상은 국내뿐만이 아니라 외국의 경우도 마찬가지로 IBM, HP, MS등 글로벌 업체들까지 뛰어들고 있는 상황이다. 일반적인 시민들이 가장 관심이 많은 것은 집이다. 내가 사는 곳에 관심이 많을수 뿐이 없는 것이 현실이며 현재 이러한 주거 공간에도 유비쿼터스가 파고 들고 있으며 유비쿼터스가 접목된 주거 공간이 이미 집을 장만하고자 하는 시민들의 선호 대상이 되고 있다. 현재 최첨단 인프라가 구축된 아파트들에 더 많은 프리미엄과 사람들이 몰리는 것을 증거로 들 수 있다. 여기서 유비쿼터스와 주거지역의 만남은 현재 계속 진행중인 상황이다. 그러나 아직은 제한적이고 소극적인 방향으로 진행되고 있다. 따라서 본고에서는 주거지역에 유비쿼터스를 도입하는 유비쿼터스 홈네트워크를 그려보고 유비쿼터스 홈네트워크 구현을 위한 SI기술들을 분석하고자 한다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 1999년도 춘계학술대회 논문집
• /
• pp.387-390
• /
• 1999

Electron swarm parameterdthe drift velocity and longitudinal diffusion coefficienthn $SiH_4-Ar$ mixtures containing 0.5% and 5% monosilane were measured using over the range of E/N from 0.01 to 300 Td at room temperature. Electron swarm parameters in argon were drastically changed by adding a small amount of monosilane. The electron drift velocity in both mixtures showed unusual behaviour against E/N. It had negative slope in the medium range of E/N, yet the slope was not smooth but contained a small hump. The longitudinal diffusion coefficient also showed a corresponding feature in its dependence on E/N. A two-tern approximation of the Boltzmann equation analysis and Monte Carlo simulation have been used to study electron transport coefficients.

• 한국지리정보학회지
• /
• 제23권4호
• /
• pp.101-119
• /
• 2020

최근 도시의 미세먼지 및 열환경 개선을 위한 방안으로써 바람길을 고려한 도시숲인 바람길숲 조성사업이 전국적으로 추진되고 있다. 이에 본 연구에서는 바람길숲 조성사업 대상 도시 중 하나인 평택시를 사례로 바람길숲 조성 여건 분석(미세먼지 및 열환경 취약지역, 바람길숲 분포 현황, 바람길 특성)을 수행하고, 분석 결과를 바탕으로 평택시의 바람길숲 조성방향을 제안하였다. 미세먼지 및 열환경에 취약한 지역을 도출한 결과, 평택시의 동부생활권 내 시가지에서 미세먼지 및 열환경에 가장 취약한 것으로 나타났다. 특히, 미세먼지의 경우 평택화력발전소, 항만, 국도 1호선 등 산업단지 및 도로에서 배출량이 높았다. 바람길숲 현황을 파악한 결과, 평택시 내에는 소규모의 생성숲, 디딤·확산숲, 연결숲이 파편화되고 단절되어 분포하고 있었다. 평택시의 전반적인 바람길의 특징은 무봉산 등에서 생성된 찬공기가 평택시 내로 강하게 유입되고 북서방향으로 흘렀다. 따라서 평택시 내 존재하는 생성숲을 보전하고 장기적으로 확대해나가야 하며, 취약지역까지 찬공기가 유입될 수 있도록 디딤·확산숲 및 연결숲 조성이 중요하였다. 또한 미세먼지 발생이 심각한 산업단지 및 도로에는 미세먼지 차단을 고려한 연결숲을 조성하여 주변 지역으로 미세먼지가 확산되지 않도록 식재기법을 적용해야 한다. 본 연구는 평택시의 바람길숲 조성사업을 위한 근거자료로 활용될 수 있을 뿐만 아니라 기타 도시숲 조성 관리에 있어 기초자료로 활용될 수 있을 것이다.

• 암석학회지
• /
• 제23권2호
• /
• pp.105-117
• /
• 2014

옥천변성대의 북동 선단부에 위치하는 충청북도 제천시 봉화재 지역은 옥천누층군과 조선누층군이 분포한다. 본 논문은 중첩 변형된 주요 암석 및 미구조의 기하학적 운동학적 특성과 선후관계로부터 봉화재 지역의 지질구조를 연구하였다. 광역엽리의 대부분은 S0 층리가 아닌 신장된 광물들의 정향배열에 의해 정의되는 S0-1의 복합엽리로 나타나고, 일부는 불용해성 불투명 광물과 벽개 라멜라의 정향배열로 정의되는 S0-1-2 복합엽리로 인지된다. 연구지역의 지질구조는 북북동-남남서 방향의 D1 압축작용, 동-서 방향의 D2 압축작용, 남-북 방향의 D3 압축작용 등 적어도 세 번의 변형단계를 거쳐 형성되었다. 조선누층군과 옥천누층군 구성지층의 대상 분포방향과 유사한 S0-1 복합엽리는 D2 변형 이전에 서북서 방향이었으나, D2 변형에 의해 S2 엽리와 평행한 남-북 방향으로 재배열되었고, D3 변형에 의해 현재와 같이 북서, 북동, 남-북 방향으로 재배열되었다. 변형단계별 구조적 특성과 변형작용사는 연구지역의 조선누층군과 옥천누층군이 북북서 방향으로 연장되는 부산지역 동부 영역과 매우 유사하고, 이들 연구결과는 옥천변성대 북동 선단부의 지구조 발달과정을 해석하는데 매우 유용하게 활용될 것으로 기대된다.

• 한국진공학회지
• /
• 제6권3호
• /
• pp.235-241
• /
• 1997

실리콘 기판위에 초고진공 Ionized Cluster Beam(UHV-ICB)증착법으로 적층 성장시 킨 $Y_2O_3$ 박막의 결정성 및 구조를 Backscattering Spectroscopy(BS)/channeling을 이용하여 분석하였다. 현재까지 타증착법에 의해 성장된 $Y_2O_3$박막의 channeling 최소수율은 0.8~0.95 로 거의 비정질이거나 다결정이었다. 이에 반해 UHV-ICB법으로 Si(100), Si(111) 기판 위에 적층 성장시킨 $Y_2O_3$ 박막의 channeling 최소수율은 각각 0.28, 0.25로 UHV-ICB법으로 성장 시킨 $Y_2O_3$박막이 타증착법으로 성장시킨 박막보다 상대적으로 우수한 결정성을 지니고 있 었다. 또한 실리콘 기판의 방향에 관계없이 $Y_2O_3$박막의 표면 영역이 계면 영역보다 결정성 이 좋았다. Si(111) 위에 적층 성장한 Y2O3박막은 실리콘 결정과 $0.1^{\circ}$어긋나서 (111)면으로 성장하였고, Si(100) 위에 적층 성장한 $Y_2O_3$박막은 실리콘 결정과 평행하게 double domain 구조를 지닌 (110)면으로 성장하였다. 산소공명 BS/channeling 결과 Si(111) 위에 적층 성장 한 $Y_2O_3$박막의 산소는 결정성을 갖고 있으나 Si(100) 위에 적층 성장한 $Y_2O_3$박막의 산소는 random하게 분포하고 있음을 확인하였다.