• Proceedings of the Korean Society for Food Science of Animal Resources Conference
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• 1997.11a
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• pp.158-158
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• 1997

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2005.11a
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• pp.175-176
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• 2005

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.12 no.2
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• pp.63-67
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• 2002

Langasite single crystal was grown by Xenon-arc floating zone method in mixutre of Af and $O_2$ gas atmosphere. Growing and rotation speed were 1.5 much and 15 rPm respectively. The grown crystal had a c-axis and color of orange. Composition of the grown crystal was $La_{3.10}Ga_{4.73}Si_{1.17}O_{14}$. Activation energy of the crystal was 0.23 eV and was PTC characteristics.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2009.07a
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• pp.2009_2010
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• 2009

Thin-gauged 3% Si-Fe sheets having a high magnetic induction of over 1.9 T have been developed for the purpose of applications where operation frequency is higher than power frequency. In order to clarify requirements of iron loss characteristics for the applications, iron loss characteristics of the newly developed strip were investigated by iron loss separation method and were compared with those of commercially produced 0.3 mm-thick electrical sheets. In case of relatively high excitation induction(1.7 T) and low frequency(60 Hz), reducing hysteresis loss is effective to decrease total iron loss. In case of relatively low excitation induction(1.0 T) and high frequency(1 kHz), reducing eddy-current loss is effective by decreasing thickness and grain size to improve total iron loss.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.45 no.10
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• pp.15-22
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• 2008

The bulk-planer MOSFET has a scaling limitation due to the short channel effect (SCE). The Double-Gate MOSFET (DG-MOSFET) is a next generation device for nanoscale with excellent control of SCE. The quantum effect in lateral direction is important for subthreshold characteristics when the effective channel length of DG-MOSFET is less than 10nm, Also, ballistic transport is setting important. This study shows modeling and design issues of nanoscale DG-MOSFET considering the 2D quantum effect and ballistic transport. We have optimized device characteristics of DG-MOSFET using a proper value of $t_{si}$ underlap and lateral doping gradient.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2017.05a
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• pp.71-71
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• 2017

플라즈마를 이용하는 건식 식각 또는 박막 증착 장비(PECVD)의 경우 웨이퍼에 rf bias를 인가하여 이온의 에너지와 입사각을 조절한다. 종래에는 웨이퍼의 가장 자리 3 mm영역을 공정 대상에서 제외하는 exclusion area로 지정하였으나 점차 공정 기술의 발달로 2 mm 이내로 감소하고 있다. 따라서 웨이퍼의 가장 자리에서 발생하는 전기장의 방향 및 크기 변화를 조절할 수 있는 기술의 개발이 필요하게 되었으며 그중 핵심적인 부품이 Si 또는 SiC로 제작되는 edge ring이다. Focus ring이라고도 불리는 이 부품은 웨이퍼 상에서 반경 방향으로 흐르는 가스의 유속이 가장 자리에 근접하면 빨라지는 현상과 이에 의해 식각/증착 화학 반응 속도가 증가하는 문제를 완화하기 위한 것과 적절한 전기 전도도를 부여함으로써 가장 자리의 전기장 분포를 최적화 할 수 있는 새로운 설계 변수로 활용할 수 있다. 스퍼터링의 경우에도 웨이퍼 중앙과 주변 부는 마그네트론 음극의 회전 링과의 입체각이 차이가 나므로 가장 자리의 경우 트렌치나 홀의 내측이 외측에 비해서 증착막의 두께가 얇아지는 문제가 있으며 건식 식각의 경우 홀의 형상이 수직에서 벗어나는 경향이 발생할 수 있다. 또한 사용 시간에 비례해서 edge ring의 형상이 변화하는데 상대적으로 고가품이어서 교체 주기를 설정하는 보다 합리적 기준이 필요하다. 본 연구에서는 전산 유체 역학 모델을 사용하는 ESI사의 CFD-ACE+를 활용하여 edge ring의 형상과 재질이 갖는 영향을 전산 모사하기 위한 기초 작업을 그림 1과 같이 진행하였다. 2D-CCP model에 Ar 가스를 가정하고 비유 전율 10내외 전도도 $0.1/Ohm{\cdot}m$정도의 재질에 대한 용량성 결합 플라즈마에 대해서 계산을 하고 이 때 기판에 인가되는 고주파 전력에 의한 이온의 입사 에너지 분포 및 각도 분포를 Monte Carlo 방법으로 처리하여 계산하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.339-339
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• 2012

현재 MOS 소자에 사용되고 있는 $SiO_2$ 산화막은 그 두께가 얇아짐에 따라 Gate Leakage current와 여러 가지 신뢰성 문제가 대두되고 있고, 이를 극복하고자 High-k물질을 사용하여 기존에 발생했던 Gate Leakage current와 신뢰성 문제를 해결하고자 하고 있다. 본 실험에서는 High-k(hafnium) Gate Material에 온도 변화를 주었을 때 여러 가지 전기적인 특성 변화를 보는 방향으로 연구를 진행하였다. 기본적인 P-Type Si기판을 가지고, 그 위에 있는 자연적으로 형성된 산화막을 제거한 후 Hafnium Gate Oxide를 Atomic Layer Deposition (ALD)를 이용하여 증착하고, Aluminium을 전극으로 하는 MOS-Cap 구조를 제작한 후 FGA 공정을 진행하였다. 마지막으로 $300^{\circ}C$, $450^{\circ}C$로 30분정도씩 Annealing을 하여, 온도 조건이 다른 3가지 종류의 샘플을 준비하였다. 3가지 샘플에 대해서 각각 I-V (Gate Leakage Current), C-V (Mobile Charge), Interface State Density를 분석하였다. 그 결과 Annealing 온도가 올라가면 Leakage Current와 Dit(Interface State Density)는 감소하고, Mobile Charge가 증가하는 것을 확인할 수가 있었다. 본 연구는 향후 High-k 물질에 대한 공정 과정에서의 다양한 열처리에 따른 전기적 특성의 변화 대한 정보를 제시하여, 향후 공정 과정의 열처리에 대한 방향을 잡는데 도움이 될 것이라 판단된다.

• Journal of Ocean Engineering and Technology
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• v.16 no.1
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• pp.52-57
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• 2002

본 논문은 고온 고압의 유체를 수송하는 해저 파이프의 좌굴 현상에 대해서 논하였다. 고온 고압의 유체를 해저 파이프로 수송 할 때, 수송되는 고온 고압의 유체와 수위 해저의 온도와 압력들의 차에 의해서 유체 수송 파이프는 축 방향으로 압축력을 받게 되고 이 압축력을 견디지 못하면 수송 파이프는 수직 방향의 좌굴 현상이 발생하게 된다. 논문에서는 "semi-empirical design method"를 사용하여 수송 유체의 온도와 압력의 여러 가지 변화에 따라 파이프의 축 방향 압축력을 계산하고 수직 좌굴 현상에 따른 안전계수를 구하여 파이프의 초기 설계 결정에 도움을 주고자 했다.

• Proceedings of the Korea Water Resources Association Conference
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• 2019.05a
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• pp.420-420
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• 2019

법적인 정의를 차치하고 나면 하천유지유량의 정의는 사람과 자연이 한정된 수자원을 바람직하게 공유하기 위한 유량 측면의 범위로 나타낼 수 있다. 하천유지유량의 산정과 관리는 사람의 물이용과 배치되면서 동시에 진행해야 하는 하천수 관리의 핵심요소이다. 물관리 일원화 이전에 물관리 업무가 분산되어있는 상황에서 당시 환경부는 환경생태유량이라는 건강한 생태계유지에 주 목적이 있는 개념을 생산하였고, 시범사업을 거쳐 고시를 추진하고 있다. 하천유지유량과 환경생태유량은 다루는 범위와 공간적 차이가 있을 뿐이며 근본적인 개념과 생성의 원인은 같은 것이다. 따라서 본 연구에서는 하천유지유량과 환경생태유량의 개념과 본질을 살펴보고 효율적인 제도적 장치 마련의 방향성, 기술적 방향성에 대해 논하였다.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.16 no.3
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• pp.186-191
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• 2006

Ferromagnetic amorphous $Ni_{16}Fe_{62}Si_8B_{14}$ and $Co_{70.5}Fe_{4.5}Si_{15}B_{10}$ layers have been devised and incorporated as free layers of magnetic tunnel junctions (MTJs) to improve MRAM reading and writing performance. The NiFeSiB and CoFeSiB single-layer film exhibited a lower saturation magnetization ($Ms=800emu/cm^3,\;and\;560emu/cm^3$, respectively) compared to that of a $Co_{90}Fe_{10}(Ms=1400emu/cm^3)$. Because amorphous ferromagnetic materials have lower Ms than crystalline ones, the MTJs incorporating amorphous ferromagnetic materials offer lower switching field ($H_{sw}$) values than that of the traditional CoFe-based MTJ. The double-barrier MTJ with an amorphous NiFeSiB free layer offered smooth surface resulting in low bias voltage dependence, and high $V_h\;and\;V_{bd}$ compared with the values of the traditional CoFe-based MTJ.