• Progress in Medical Physics
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• v.22 no.2
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• pp.72-78
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• 2011

The aim of this study is to evaluate the patient's setup errors in TomoTherapy (Hi-Art II, TomoTherapy, USA) Bodyfix system (Medical Intelligence, Ele-kta, Schwabmuchen, Germany) pressure in the vacuum compression, depending on and were evaluated. Bodyfix immobilization system and vacuum pressure was compression applied to the patients who received Tomotherapy thoracic and abdominal area, 21 patients were selected and TomoTehpay treatment total 477 of MVCT images were obtained. The translational (medial-lateral: ML, anterior-posterior: AP, superior-inferior: SI directions) and rolling were recorded and analyzed statistically. Using Pearson's product-moment coefficient and One-way ANOVA, the degree of correlation depending on the different vacuum pressure levels were statistically analyzed for setup errors from five groups (p<0.05). The largest average and standard deviation of systematic errors were 6.00, 5.95 mm in the AP and SI directions, respectively. The largest average of random errors were 4.72 mm in the SI directions. The correlation coefficients were 0.485, 0.244, and 0.637 for the ML-Roll, AP-Vector, and SI-Vector, respectively. SI-Vector direction showed the best relationship. In the results of the different degree of vacuum pressure in five groups (Pressure range: 30~70 mbar), the setup errors between the ML, SI in both directions and Roll p=0.00 (p<0.05) were shown significant differences. The average errors of SI direction in the vacuum pressure of 40 mbar and 70 mbar group were 4.78 mm and -0.74 mm, respectively. In this study, the correlation between the vacuum pressure and the setup-errors were statistically analyzed. The fact that setup-errors in SI direction is dependent in vacuum pressure considerly setup-errors and movement of interal organs was identified. Finally, setup-errors, and it, based on the movement of internal organs in Bodyfix system we should apply more than 50 mbar vacuum pressure. Based on the results of this study, it is suggested that accuracy of the vacuum pressure and the quantitative analysis of movement of internal organs and the tumor should be studied.

• Journal of the Mineralogical Society of Korea
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• v.17 no.4
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• pp.327-338
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• 2004

XRD studies on annealed Na-feldspar (Amelia albite) at $1100^{\circ}C$ showed rapid structural changes due to Si-Al disordering, which resulted in phase transformations from low albite to high albite by 4-days annealing test. TEM SAED analyses on the annealed samples revealed a trend of structural changes, but estimation of the structural state was difficult due to a large deviation of the SAED data. Optimum conditions of CBED analyses on albite was established by employing a cooling specimen holder, 120 kV of acceleration voltage, 37 Jim of condenser aperture size and 25 nm of spot size. A proper orientation showing distinct changes of HOLZ lines corresponding to the structure changes of albite turned out to be close to the [418] direction with $-1.2^{\circ}$ tilting, where the width of two HOLZ lines in low albite was opposite to those in high albite.

• Proceedings of the Korean Society of Propulsion Engineers Conference
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• 2010.05a
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• pp.437-440
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• 2010

This paper represents a simple and effective calculation method to predict the orthotropic engineering constants for C/SiC woven fabric composite. The method, a quasi-analytical method using the modified equivalent laminated model, idealizes the woven fabric structure as a symmetric three-ply laminate to utilize a classical laminated plate theory. The required initial parameters are in-plane modulus from experiments and crimp ratio of the woven fabric. This study shows its feasibility by demonstrating example to calculate the engineering constants to thickness direction needed for three dimensional thermo-mechanical stress calculations.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.3 no.2
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• pp.149-156
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• 1993

Polycrystalline silicon was produced from metallurgical-grade Si by unidirectional solidification. Variations of impurity concentration and resistivity in the ingots have been investigated. X-ray diffraction analysis has also been performed to examine the crystal orientation. According to the X-ray diffraction analysis on the polycrystalline silicon, preferential orientation was changed from ( 220) into ( III ) with decreasing growth rate. Also, with increasing growth rate and fraction solidified, the resistivity tends to decrease.

• Proceedings of the Computational Structural Engineering Institute Conference
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• 2010.04a
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• pp.562-565
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• 2010

본 논문에서는 유한요소법을 이용하여 두 개의 층으로 이루어진 Si/SiGe 나노스프링의 기하학적 형상에 대한 연구가 수행된다. 나노스프링의 기하학적 형상에 영향을 미치는 주 설계요소로는 두께, 폭, 길이, 격자방향 등이 있으며, 두 개의 층으로 이루어진 Si/SiGe 박막이 나노스프링의 형상을 가지게 되는 주원인으로는 두 개의 층 경계면에서 발생하는 misfit strain이 있다. 본 연구에서는 두께, 폭, 길이, 격자방향 등의 설계요소를 변화시켜가면서 mistif strain에 의한 나노스프링의 곡률 변화에 대한 해석 결과가 제시된다. 또한 해석 결과의 검증을 위해 해석해의 결과와 분자동력학 전산모사 결과가 함께 제시된다.

• The Journal of Korean Society for Radiation Therapy
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• v.29 no.2
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• pp.75-81
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• 2017

Purpose: To evaluate the reproducibility of image-guided radiotherapy using ultrasonography which is non-invasive, without radiation exposure for prostate cancer patients. Materials and Methods: We analyzed the setup variation of 1,105 images for 26 prostate cancer patients and the mean, standard deviation and 3D-error in AP, RL and SI directions. Setup variations were classified 0-1 mm, 1-3 mm, 3-5 mm, 5 mm and more. Results: The mean and standard deviation of setup variation in AP, RL and SI directions was $1.87{\pm}1.36mm$, $1.73{\pm}1.22mm$ and $2.01{\pm}1.40mm$. The 3D-error in AP, RL and SI directions was $3.63{\pm}1.63mm$. The frequency of setup variation in AP direction was 29 % in the range from 0 mm to 1 mm, 50.2 % in the range from 1 mm to 3 mm, 19.6 % in the range from 3 mm to 5 mm and 1.3 % in the range of 5 mm or more. In RL direction, the frequency was 31.3 % in the range from 0 mm to 1 mm, 52.5 % in the range from 1 mm to 3 mm, 15.8 % in the range from 3 mm to 5 mm and 0.5 % in the range of 5 mm or more. SI direction, the frequency of errors in the range from 0 mm to 1 mm was 26.3 %, 50.2 % in the range from 1 mm to 3 mm, 22.4 % in the range from 3 mm to 5 mm, and 1.1 % in the range of 5 mm or more. Conclusion: The setup error was highest in the SI direction of $2.01{\pm}1.40mm$. The frequency in each direction was the highest in more than 50 % in the range from 1 mm to 3 mm. $Clarity^{TM}$ Auto scan is possible to monitoring the motion of the prostate during the treatment and to repositioning the patient. In conclusion real-time image-guided radiotherapy using ultrasonography will be increase the reproducibility of radiation therapy.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.4 no.3
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• pp.713-719
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• 2000

In order to Prepare the$Ge_xSi_{1-x}/Si$(111) heterosructure by solid phase epitaxy (SPE), about 1000A of Au and about 1000A Ge were sequentially deposited on the Si(111) substrate. The resulting Ge/Au/Si(111) samples were isochronically annealed in the high vacuum condition. The behaviors of Au and Ge during thermal annealing and the structural Properties of $Ge_xSi_{1-x}$ films were characterized by Auger electron spectroscopy (AES), X-ray diffraction (XRD) and high resolution transmission electron microscopy (TEM). The a-Ge/Au/Si(111) structure was converted to the Au/GeSi/Si(111) structure. Defects such as stacking faults, point defects and dislocations were found at the GeXSil-X(111) interface, but the film was grown epitaxially with the matching face relationship of $Ge_xSi_{1-x}/$(111)/Si(111). Twin crystals were also found in the $Ge_xSi_{1-x}/$(111) matrix.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.8 no.1
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• pp.13-20
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• 1998

The crystallographic and high frequency characteristics of $Fe_{73.9}Cu_{1.0}Nb_{3.5}Si_{14.0}B_{7.6}$ soft magnetic alloys were investigated under the magnetic field annealing. As-cast ribbon with which already imbedded nanocrystalline Fe-Si phase on the surface have a preferred orientation with (400) plane to surface and also with the [011] direction parallel to the ribbon length. The extra nanocrystalline Fe-Si phase appeared throughout at 45$0^{\circ}C$ in samples with or without the longitudinal magnetic field. However the formation of nanocrystalline phase does not appear on the suface layer until 50$0^{\circ}C$ annealing temperature under the transverse field. The cryststallization fraction of annealed samples with longitudinal magnetic field is higher than that of samples without magnetic field. When the transverse magnetic field is applied, the crystallization fraction does not increases but decreases until 50$0^{\circ}C$. However the crystallization of internal regions can be confirmed by X-ray diffraction measurement via tilting the sample. It was found that for all samples, the saturation induction were all same with 1.3 T. The coercive field of as-cast sample was 1.06 A/cm, but in annealed samples it decrease from 0.56 to 0.1 A/cm with increasing annealing temperature from 400 and 55$0^{\circ}C$, respectively. The squareness of annealed samples under transverse magnetic field has a small value than that of both without field and with longitudinal field annealing.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.106-106
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• 1999

반도체 소자가 소브마이크론 이하로 집적화 되어감에 따라, RC 신호 지연 및 간섭 현상, 전력 소비의 증가 문제가 심각하게 대두되고 있다. 이러한 문제를 개선하기 위해서는, 현재 층간 절연막으로 상용화되어 있는 SiO2 박막을 대체할 저유전율 박막의 개발이 필수적이며, 많은 연구자들이 여러 가지 새로운 유기물질과 무기물질은 제안하고 있다. 반도체 공정상의 적합성을 고려할 때, 이들 여러물질 중에서 알킬기를 함유한 SiO2 박막(이하 'Si-O-C-H 박막'으로 표기)에 많은 관심이 집중되고 있다. Si-O-C-H 박막은 알킬기에 의해 형성된 나노 스케일의 기공에 의해 작은 유전율을 가지게 된다. 따라서, 박막내의 알킬기의 함유량이 많을수록 보다 작은 유전율을 얻을 수 있다. 그러나 과다한 알킬기의 함유는 Si-O-C-H 박막의 열적 특성을 열화시키는 부정적인 효과도 있다. 본 연구에서는 bis-trimethylsilylmethane(BTMSM, H9C3-Si-CH2-Si-C3H9) precursor를 이용하여 Si-O-C-H 박막을 증착하였다. BTMSM precursor의 중요한 특징중 하나는, 두 실리콘 원자 사이에 Si-CH2 결합이 존재한다는 사실이다. Si-CH2 결합은 양쪽의 Si에 의해 강하게 결합되어 있어서, BTMSM precursor를 사용하여 Si-O-C-H 박막은 유전상수도 작을 뿐 아니라, 열적으로도 안정된 특성이 얻어질 것으로 기대된다. Si-O-C-H 박막의 열적 안정성을 평가하기 위하여, 고온 열처리 전후의 FT-IR 스펙트럼 분석과 C-V(capacitance-voltage) 측정에 의한 유전상수 변화를 살펴보았다. 또한 증착된 박막의 미세구조 및 step coverage 특성 관찰을 위하여 SEM(scanning electron microscopy) 및 TEM(transmission electron micfroscopy) 분석을 하였다. 변화하였으며 이는 포토루미네슨스의 변화의 원인으로 판단된다. 연구하였다. CeO2 와 Si 사이의 계면을 TEM 측정에 의해 분석하였고, Ce와 O의 화학적 조성비를 RBS에 의해 측정하였다. Si(100) 기판위에 증착된 CeO2 는 $600^{\circ}C$ 낮은 증착률에서 seed layer를 하지 않은 조건에서 CeO2 (200) 방향으로 우선 성장하였으며, Si(111) 기판 위의 CeO2 박막은 40$0^{\circ}C$ 높은 증착률에서 seed layer를 2분이상 한 조건에서 CeO2 (111) 방향으로 우선 성장하였다. TEM 분석에서 CeO2 와 Si 기판사이에서 계면에서 얇은 SiO2층이 형성되었으며, TED 분석은 Si(100) 과 Si(111) 위에 증착한 CeO2 박막이 각각 우선 방향성을 가진 다결정임을 보여주었다. C-V 곡선에서 나타난 Hysteresis는 CeO2 박막과 Si 사이의 결함때문이라고 사료된다.phology 관찰결과 Ge 함량이 높은 박막의 입계가 다결정 Si의 입계에 비해 훨씬 큰 것으로 나타났으며 근 값도 증가하는 것으로 나타났다. 포유동물 세포에 유전자 발현벡터로써 사용할 수 있음으로 post-genomics시대에 다양한 종류의 단백질 기능연구에 맡은 도움이 되리라 기대한다.다양한 기능을 가진 신소재 제조에 있다. 또한 경제적인 측면에서도 고부가 가치의 제품 개발에 따른 새로운 수요 창출과 수익률 향상, 기존의 기능성 안료를 나노(nano)화하여 나노 입자를 제조, 기존의 기능성 안료에 대한 비용 절감 효과등을 유도 할 수 있다. 역시 기술적인 측면에서도 특수소재 개발에 있어 최적의 나노 입자 제어기술 개발 및 나노입자를 기능성 소재로 사용하여 새로운 제품의 제조와 고압 기상 분사기술의 최적화에 의한 기능성 나노 입자 제조 기술을 확립하고 2차 오염 발생원인 유기계 항균제를 무기계 항균제로 대

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.19-19
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• 2010

최근 박막 태양전지의 시장 점유율이 전체 태양전지 시장에서 지속적으로 성장하고 있다. 이러한 박막 태양전지의 점유율은 주로 Fist Solar 사의 CdTe 박막 태양전지에 의해 이루어지고 있으며 Si 계 박막 태양전지와 CIGS 박막 태양전지 성장은 비교적 크지 않은 것이 현실이다. CdTe 박막 태양전지는 양산 효율이 약 10.5%에 달하고, 원가는 1$/W 이하 수준에 도달한 것으로 알려져 있으며, 향후 2011년 까지 양산 능력을 2 GW로 확대할 계획을 가지고 있다. Fist solar사는 Cd란 환경유해 물질을 메인 광흡수층에 포함하고 있다는 CdTe 박막 태양전지 제품적인 약점에도 불구하고 원가 절감, 투자비 최소화, 및 제품 성능 향상을 통해 태양전지 시장의 절대적인 강자로 떠오르고 있다. 이러한 성공의 배경에는 단순한 사업 전략적인 성공요인 외에도 제품의 기술적 경쟁력 확보가 무엇보다도 중요한 요소인 것으로 판단된다. Si 계 박막 태양전지의 경우 현재 AMAT 사 및 Oelikon 사와 같은 주요 turn-key 회사를 중심으로 생산량을 확대해가고 있으며, MHI 사, Kaneka 사, 및 Uni-Solar 사와 같은 Si 계 박막 태양전지 전문회사를 중심으로 제품의 효율 향상, 원가 절감, 및 투자비 감소를 위한 연구개발이 진행되고 있다. 본 발표에서는 이러한 박막 태양전지 전반적인 환경을 기반으로 향후 태양전지 시장 및 사업환경의 변화와 주요 박막 태양전지 기술 개발 방향 및 상업적 의미에 대해 논의하고자 하며, Si 계 박막 태양전지가 궁극적으로 세계 최고 수준의 제품이 되기 위해서 필요한 사업적 환경, 기술 개발 방향 및 주요 기술개발 이슈들에 대해 논의하고자 한다.