• 제목/요약/키워드: SI(Stress Index)

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근로자들의 스트레스에 대한 심박변이도 검사를 통한 분석 (Analysis about Stress Index and Resistance of Workers by Heart Rate Variability)

  • 장우석
    • 동의생리병리학회지
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    • 제25권4호
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    • pp.728-733
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    • 2011
  • This study was designed to analyze the results of stress index by heart rate variability test. The subjects were workers in the automobile manufacturing industry. The subjects consisted of 23,767 workers who had answered about questionnaires of a job position, age, smoking, drinking, exercise state and sex. The stress index(SI) and stress resistance(SR) were examined by SA3000P. We analyzed the differences of SI and SR according to job positions, ages, the state of smoking, drinking, exercise and sex by T-test or ANOVA with SPSS ver. 17.0. Regarding the differences of SI among job positions, the SI was highest in sales positions. Among ages, the SI was highest in 30s. In smoking, the SI was lower in non-smoking group. In drinking, there was no significant differences in SI. In exercise, the SI was lower in exercise group. In sex, there was no significant difference. The case of SR, SR was lowest in sales positions. Among ages, the SR was lowest in 40s. In smoking, the SR was lower in smoking group. In drinking, there was no significant differences in SR. In exercise, there was no significant difference. In sex, the SR was lowest in male. According to these results, we should establish the methods of controlling stress from the perspective of Korean traditional medicine.

PECVD TEOS $SiO_2$막의 특성에 관한 연구 (Studies on the Properties of the Plasma TEOS $SiO_2$ Film)

  • 이수천;이종무
    • 한국세라믹학회지
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    • 제31권2호
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    • pp.206-212
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    • 1994
  • Effects of the film deposition process parameters on the properties such as deposition rate, etch rate, refractive index, stress and step coverage of plasma enhanced chemical vapor deposited (PECVD) tetraethylorthosilicate glass (TEOS) SiO2 film were investigated and analysed using SEM, FTIR and SIMS techniques. Increasing TEOS flow or decreasing O2 flow increased the deposition rate and the compressive stress of the oxide film but produced a less denser film. The deposition rate decreased owing to the decrease in the sticking coefficient of the TEOS and the O2 molecules onto the substrate Si with increasing the substrate temperature. Increasing the substrate temperature produced a denser film with a lower etch rate and the higher refractive index by lowering SiOH and moisture contents. Increasing the rf power increases the ion bombardment energy. This increase in energy, in turn, increases the deposition rate and tends to make the film denser. No appreciable changes were found in the deposition rate but the refractive index and the stress of the film decreased with increasing the deposition pressure. The carbon content in the plasma TEOS CVD oxide film prepared under our standard deposition conditions were very low according to the SIMS analysis results.

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Micro Gas Sensor의 Membrane용 ${SiN}_{x}$막과 ${SiN}_{x}/\textrm{SiO}_{x}/{SiN}_{x}$막의 응력과 굴절율 (Stress and Relective Index of ${SiN}_{x}$ and ${SiN}_{x}/\textrm{SiO}_{x}/{SiN}_{x}$ Films as Membranes of Micro Gas Sensor)

  • 이재석;신성모;박종완
    • 한국재료학회지
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    • 제7권2호
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    • pp.102-106
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    • 1997
  • 박막형 접촉연소식을 포함한 마이크로 가스센서에서 membrane은 Si식각시 식각정지용으로서 또 센서 소자를 지지하는 층으로서 응력이 없어야 하며 이는 응력이 membrane파괴의 주 원인으로 작용하기 때문이다. 이에 따라 본 연구에서는 증착조건이 low pressure chemical vapor deposition(LPCVD)법과 sputtering법으로 제작된 $SiN_{x}$$SiN_{x}/SiO_{x}/(NON)$막의 응력고 굴절율 변화에 미치는 효과에 대한 실험을 행하였다. LPCVD의 경우 단일막인 $SiN_{x}$의 압축응력 및 굴절율을 나타내었다. Sputtering의 경우 $SiN_{x}$는 공정압력이 1mtorr에서 30torr까지 증가할수록 인가전력밀도가 $2.74W/cm^2$에서 $1.10W/cm^2$으로 감소할수록 응력값은 압축에서 인장으로 전환되었으며 본 실험에서 응력이 가장 낮게 나온 시편의경우 압축응력으로 $1.2{\times}10^{9}dyne/cm^2$가 공정압력 10mtorr, 인가전력밀도 $1.37W/cm^2$에서 얻어졌다. 굴절율은 공정압력이 1motorr에서 30motorr까지 증가할수혹 인가전력밀도가 $2.74W/cm^2$에서 $1.10W/cm^2$으로 감소할수록 감소하여 2.05에서 1.89의 변화를 보였다. LPCVD와 sputtering으로 증착된 막들은 모두 온도가 증가함에 따라 응력이 감소하였으며 온도감소시 소성적인 특성을 나타내었다.

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Comparison of Stress and Physiological Variables between Diabetic and Nondiabetic Adults

  • Han, Byung-Jo;Choi, Seok-Cheol;Moon, Seong-Min;Kim, Dae-Sik;Hyun, Kyung-Yae
    • 대한의생명과학회지
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    • 제18권4호
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    • pp.384-390
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    • 2012
  • Diabetes mellitus (DM) is considered to be a serious metabolic disease which may cause systemic complications. The present study was designed to clarify a difference on stress, physiological variables and their correlation between diabetic (DM group) and nondiabetic adults (control group). The levels of body weight, waist circumference, blood pressure, body mass index, body fat mass, total cholesterol (TcH), triglyceride (TG), aspartate aminotransferase (AST), alanine aminotransferase (ALT), gamma-glutamyltransferase (GGT), total bilirubin (TB), autonomic balance (AB), stress index (SI), fatigue index (FI), and heart rate (HR) were all significantly higher in the DM group than in the control group. However, the levels of autonomic activity (AA), stress resistance (SR), and electrocardiac stability (ES) were significantly lower in the DM group than in the control group. The percentages of persons with abnormal levels in the Tch, high density lipoprotein, low density lipoprotein, TG, AST, ALT and GGT were significantly greater in the DM group than in the control group. In the correlation of glucose and hemoglobin A1c (HBA1c) to stress indices, the DM group had a significant relationship with AB, SR, SI, FI, ES, and HR, whereas the control group had no significant relationship with these, excepting AB. These results suggest that DM was harmfully associated with body, biochemical and stress indices and that blood glucose and HBA1c levels must be exhaustively regulated.

심박변이도를 이용한 갑상선 기능과 스트레스의 상관관계 연구 (A Study on the Relationship with Thyroid Function and Stress using Heart Rate Variability)

  • 김수민;예수영
    • 한국방사선학회논문지
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    • 제16권5호
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    • pp.545-551
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    • 2022
  • 본 연구는 심박변이도(HRV) 신호를 통해 산출된 스트레스 측정치와 갑상선 기능 검사(TFT) 항목 간의 상관관계를 분석하였다. K 의원에 내원한 질병이 없는 건강한 성인 181명을 연구대상으로 하였다. 획득한 심박변이도(HRV) 신호를 이용하여 스트레스 저항도(SR)와 스트레스 지수(SI)를 산출하였으며 갑상선 기능검사(TFT) 항목으로는 TSH, Free T4, T3를 이용하였다. 측정된 값은 pearson 상관분석을 통해 각 항목 간의 관계를 통계 분석 하였다. 결과에서 Free T4와 스트레스 저항도(SR)는 양의 상관관계(r=0.18)를, 스트레스지수(SI)와는 음의 상관관계(r=-0.16)를 가졌음을 확인하였다. 이를 통해 갑상선 기능과 HRV 신호 간에 유의한 관계가 있음을 확인하였다.

(100) 실리콘 웨이퍼에 대한 열탄성모사 (A thermoelastic simulation on the (100) Si-wafer)

  • Doo Jin Choi;Hyun Jung Woo
    • 한국결정성장학회지
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    • 제4권1호
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    • pp.71-75
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    • 1994
  • 본 연구에서는 (100) 배향된 단결정 실리콘 웨이퍼의 열탄성응력지수, 열응력과 임계소성변형 온도와의 관계를 모사하였다. 열탄성웅력지수는 <110> 방향에서 최대값을, <100> 방향에서 최소값을 보여주었다. 그리고, 열탄성응력지수로 부터 유도된 열응력과 임계 소성변형 온도의 모사로 부터, 실리콘 웨이퍼가 1000K 이상에서 소성변형될 수 있음을 예측할 수 있었다.

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Ion assisted deposition of $TiO_2$, $ZrO_2$ and $SiO_xN_y$ optical thin films

  • Cho, H.J.;Hwangbo, C.K.
    • 한국진공학회지
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    • 제6권S1호
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    • pp.75-79
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    • 1997
  • Optical and mechanical characteristics of $TiO-2, ZrO_2 \;and\; SiO_xN_y$ thin films prepared by ion assisted deposition (IAD) were investigated. IAD films were bombarded by Ar or nitrogen ion beam from a Kaufman ion source while they were grown in as e-beam evaporator. The result shows that the Ae IAD increases the refractive index and packing density of $TiO_2 films close to those of the bulk. For $ZrO_2$ films the Ar IAD increases the average refractive index decreases the negative inhomogeneity of refractive index and reverses to the positive inhomogeneity. The optical properties result from improved packing density and denser outer layer next to air The Ar-ion bombardment also induces the changes in microstructure of $ZrO_2$ films such as the preferred (111) orientation of cubic phase increase in compressive stress and reduction of surface roughness. Inhomogeneous refractive index SiOxNy films were also prepared by nitrogen IAD and variable refractive index of $SiO_xN_y$ film was applied to fabricate a rugate filter.

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이온빔보조증착으로 제작한 저굴절률 $SiO_xF_y$ 광학박막의 특성 연구 (Preparation of low refractive index $SiO_xF_y$ optical thin films by ion beam assisted deposition)

  • 이필주;황보창권
    • 한국광학회지
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    • 제9권3호
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    • pp.162-167
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    • 1998
  • CF4 이온빔보조증착법으로 굴절률이 유리보다 낮은 SiOxFy 박막을 제작하고 광학적, 구조적 및 화학적 특성을 연구하였다. End-Hall 이온총의 양극전압의 간소에 따라 SiOxFy 박막의 굴절률은 1.455까지 변하였으며, 이온빔 전류밀도의 증가에 따라서 굴절률은 1.462에서 1.430까지 변하였다. XPS와 FT-IR 분석으로부터 SiOxFy 박막의 F양이 증가함에 따라 Si-O 결합은 파수가 높은 쪽으로 이동하였고, F이 약 8.5at.%인 SiOxFy 박막은 OH 결합이 매우 감소하였으여, 박막 표면의 F이 H2O와 결합하여 탈착되는 것을 알았다. SiOxFy 박막의 응력은 0.3GPa 이하의 압축응력이었으며, 결정구조는 비정질이었다. SiOxFy 박막의 응용으로서 SiOxFy 박막과 흡수층 Si 박막을 이용하여 2층 반사방지막을 제작하였다.

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항공 초분광 영상을 이용한 광화학반사지수 이용 가능성 평가: 그림자 영향 및 대체 밴드를 중심으로 (Evaluating Applicability of Photochemical Reflectance Index using Airborne-Based Hyperspectral Image: With Shadow Effect and Spectral Bands Characteristics)

  • 류재현;신정일;이창석;홍성욱;이양원;조재일
    • 대한원격탐사학회지
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    • 제33권5_1호
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    • pp.507-519
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    • 2017
  • 정규식생지수(NDVI, Normalized Difference Vegetation Index)는 생물량 및 $CO_2$ 흡수량 추정과 병충해 탐지 등 다양한 식생 모니터링 영역에서 활용되고 있다. 그러나, 생물량 탐지에 비해 상대적으로 식생의 생리적 상태 변화에 대한 민감도가 낮아 식생의 생리적 활성 및 스트레스를 파악에 한계가 있다. 최근 개발된 광학반사지수(PRI, Photochemical Reflectance Index)는 식생의 생리적 상태 탐지에 용이한 것으로 알려지고 있으며, 식생의 탄소 흡수량 조사를 위해 향후 발사될 해외의 지구관측위성들의 주요 산출물로 선정되는 등 활용도가 높아질 것으로 전망된다. 이에 다양한 이용에 앞서 광 스트레스에 민감한 PRI 특성을 고려하여 그림자 영향의 해석 방향을 제시하고, 현재 가용한 위성으로 PRI 산출이 가능한지 알아보기 위해 대체 밴드를 평가하였다. 항공 초분광 영상을 이용한 본 연구에서는 PRI값이 그림자 부분에서 광 스트레스의 감소로 인해 증가하였다. 그러나 그림자의 정도가 임계값(Shadow Index<25)을 넘어서면 PRI와 NDVI 모두의 자료 품질이 매우 낮아졌다. 또한, 문헌의 570.0 nm 대신 553.6 nm를 사용하여 산출한 PRI가 오리지널 PRI와 높은 상관관계를 보였으며, RED와 NIR 반사도를 이용하여 다중회귀분석을 수행하였을 때 더욱 향상된 결과를 보였다. 이러한 결과는 향후 식생탐지에서 활용도가 높아질 것으로 기대되는 PRI의 생리적인 의미를 이해하는데 도움이 될 것이다.