• 한국세라믹학회지
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• 제39권6호
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• pp.589-593
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• 2002

Bi:Y$_3$Fe$_{5}$ $O_{12}$(Bi:YIG)를 (GdCa)$_3$(GaMgZr)$_{5}$ $O_{12}$(SGGG)기판 위에 Liquid Phase Epitaxy(LPE)법으로 단결정 후막을 성장시켰다 기판회전속도, 과냉도, 성장시간을 고정하여 PO/Bi$_2$ $O_3$ 몰 비 변화에 따른 성장된 가네트 결정의 격자상수 변화와 Bi 농도 분포를 조사하였다. PO/Bi$_2$ $O_3$ 몰 비가 감소함에 따라 성장된 가네트 결정의 격자상수하 Bi 농도는 증가하는 경향이 나타났으나, 가네트 결정의 두께가 증가됨에 따라 Bi 농도는 감소하는 경향이 나타났다.

• 한국세라믹학회지
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• 제40권7호
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• pp.672-676
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• 2003

Y$_3$Fe$_{5}$O$_{12}$(YIG), $Y_3$Fe$_{5}$O$_{12}$(Bi:YIG), TbBi:YIG를 (GdCa)$_3$(GaMgZr)$_{5}$O$_{12}$ (SGGG)기판 위에 Liquid Phase Epitaxy (LPE)법으로 단결정 후막을 성장시켰다. 기판회전속도, 과냉도, 성장시간을 고정하여 치환되는 원소의 종류와 양에 따라 가네트 단결정의 격자상수, Bi 치환양, 표면형상, 자기적 특성을 조사하였다. TbBi:YIG 조성의 경우 격자상수는 12.500 $\AA$으로 기판의 격자상수인 12.496 $\AA$에 근접하게 나타났으며, 포화자계는 150 Oe로 향상된 결과가 나타났다.

• 한국결정성장학회지
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• 제14권5호
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• pp.193-198
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• 2004

$(TbBi)_3(FeAIGa)_5O_{12}(TbIG)$, $(EuBi)_3(FeAIGa)_5O_{12}(EuIG)$, $(EuTbBi)_3(FeAIGa)_5O_{12}(EuTbIG)$ 가네트 막을 $PbO-B_2O_3-Bi_2O_3$ 융제를 사용하여 $(GdCa)_3(GaMgZr)_5O_{12}(SGGG)$ 기판 위에 liquid phase epitaxy(LPE) 방법으로 성장시켰다. 성장된 TbIG, EuIG, EuTbIG 가네트 막의 포화자계값은 각각 150 Oe, 950 Oe, 170 Oe를 보였으며, magnetic force microscope(MFM) 분석을 측정 한 결과 TbIG 막에서는 단일 자구가 관찰되었으며, EuIG와 EuTbIG 막에서는 다 자구가 관찰되었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제39권5호
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• pp.498-502
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• 2002

Liquid Phase Epitaxy(LPE)법을 사용하여 SGGG(111) 기판 위에 $PbO/B_2O_3$를 융제로 Yttrium Iron Garnet($Y_3Fe_5O_{12}$, YIG) 후막을 성장하였다. 기판 회전속도와 과냉도 등의 성장변수가 YIG 후막의 결정성, 화학조성 그리고 성장속도에 미치는 영향에 대하여 고찰하였다. 성장온도가 860~910${\circ}C$까지 증가함에 따라 막의 FWHM 값은 감소하였고, 성장오도 910${\circ}C$, 120rpm의 시편회전속도에서 $60{\mu}m/h$ 이상의 높은 성장률을 나타내었다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제15권5호
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• pp.253-256
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• 2014

$Pb(Zr_{0.52}Ti_{0.48})O_3$ thin films of $1.5{\mu}m$ thickness were grown on $Pt/Ti/Gd_3Ga_5O_{12}$ substrate by RF magnetron sputtering at annealing temperatures ranging from $550^{\circ}C$ to $700^{\circ}C$. We evaluated the residual stress, by using a William-Hall plot, as a function of the annealing temperatures of PZT thin film with a constant thickness. As a result, the residual stresses of PZT thin film of $1.5{\mu}m$ thickness were changed by varying the annealing temperature. Also, we measured the hysteresis characteristic of PZT thin films of $1.5{\mu}m$ thickness to evaluate for application of an optoelectronic device.