• 제목/요약/키워드: SGDBR laser diodes

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전계흡수변조기가 집적된 광대역 파장가변 SGDBR/SSGDBR 레이저 다이오드의 동적특성 (Dynamic chracteristics of widely tunable SGDBR/SSGDBR laser diodes integrated with an electroabsorption modulator)

  • 김병성;정영철;김선호
    • 전자공학회논문지D
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    • 제35D권8호
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    • pp.53-61
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    • 1998
  • Dynamic characteristics of widely tunable SGDBR/SSGDBR laser diodes integrated with an electroabsorption modulator is inestigated using an improved large-signal timef-domain model. First, wide tunning properties of a SGDBR laser diode and a SSGDBR laser diode are analyzed respectively and compared with each other. And, intensity-modulation characteristics of a SGDBR laser diode incorprating an electroabsorption modulator are investigated. It is shown that an external modulation has the lower frequency chirp by 1/20 for almost same extinction ratios than a direct modulation, and a nearly transform-limited pulse train can be generated using the optical gating of an electroabsorption modulator.

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U형 Sampled Grating DBR 레이저 다이오드의 설계 및 분석 (Design and Analysis of U-shaped Sampled Grating Distributed Bragg Reflector Lasers)

  • 김경래;정영철
    • 한국광학회지
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    • 제28권5호
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    • pp.229-235
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    • 2017
  • U형 구조의 SGDBR (Sampled Grating Distributed Bragg Reflector) 레이저 다이오드를 설계하고, 시간 영역 시뮬레이션 방법으로 해석하였다. U형 구조의 SGDBR 레이저 다이오드는 SGDBR, 능동, 수동, TIR (Total Internal Reflection) 거울 영역들로 이루어져 있어서, 각 영역들 간의 결합 손실의 영향을 면밀히 고려하여야 한다. 설계된 U형 SGDBR 레이저 다이오드의 파장 가변범위는 1525 nm에서부터 1570 nm로서 시뮬레이션을 통하여 확인하였다. 설계 튜닝 범위에서 완전한 레이저 다이오드 특성을 얻기 위해서는, 미러 영역에서의 손실은 약 2 dB 이하이고, 능동 및 수동 영역 간 butt 결합에서의 매질 간 굴절률 차이는 0.1 이하를 유지하도록 도파 구조가 설계되어야 한다.

저 전류 및 고 효율로 동작하는 양자 우물 매립형 butt-coupled sampled grating distributed bragg reflector laser diode 설계 및 제작 (Design and Fabrication of butt-coupled(BT) sampled grating(SG) distributed bragg reflector(DBR) laser diode(LD) using planar buried heterosture(PBH))

  • 오수환;이철욱;김기수;고현성;박상기;박문호;이지면
    • 한국광학회지
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    • 제15권5호
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    • pp.469-474
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    • 2004
  • 본 논문에서는 저 전류 및 고 효율로 동작하는 planar buried heterostructure(PBH) 구조로 sampled grating(SG) distributed bragg reflector(DBR) laser diode(LD)를 처음으로 설계하고 제작하였다. 특히 활성층과 도파로층의 높은 결합 효율을 얻기 위해 건식 식각과 습식 식각을 같이 사용하여 결함이 거의 없는 butt-coupling(BT) 계면을 형성하였다. 제작된 파장 가변레이저의 평균 발진 임계전류는 약 12 mA로 ridged waveguide(RWG)와 buried ridge stripe(BRS) 구조로 제작된 결과 보다 두 배 정도 낮게 나타났으며, 광 출력은 200 mA에서 약 20 mW 정도로 RWG 와 BRS 보다 각각 9 mW, 13 mW 더 우수하게 나타났다. 그리고 파장 가변 영역을 측정한 결과 44 nm로 설계결과와 일치하였으며, 최대 파장 가변 영역 안에서 출력 변화 폭이 5 dB 이내로서 RWG 구조의 9 dB보다 출력변화 폭이 4 dB 적게 나타났다. 전체 파장 가변 영역에서 SMSR이 35 dB 이상으로 나타났다.