The computational investigation is performed to find out the interaction of arc plasmas with surrounding materials and the thermal flow characteristics in a PASB (Puffer-Assisted Self-Blast) chamber, which is one of new breaking concepts in $SF_6$ switchgears. It is very important to define the flow and mass transfer happened during the full arcing history for further understanding complex physics inside the chamber. In this study, we have considered two diffusion processes by the hot arc plasma, one is PTFE nozzle ablation and the other is Cu electrode evaporation, simultaneously. It was found that the principle of the pressure-rise inside the chamber is confirmed by the computational results and the increase of the electrical conductivity of the residual gas near current zero is critical to the chamber design.
In compared with air insulated switchgear GIS has a high efficiency and confidence. Insulation method using $SF_6$ gas has a very excellent insulation characteristics for high voltage equipment but has a characteristics that insulation heredity is changed for internal unequal electric field. So analysis of electromagnetic field in GIS is very important basic data for structure design and trouble diagnosis process. In compared with established method, SNM in this paper observes variation of the electromagnetic field with real time and get result very similar to measurement. In order to know the variation of electromagnetic field distribution for transient response for time and position, variations are observed when metal particles are moving fast.
GIS(Gas Insulated Switchgear) 가스구획은 SF6 가스와 강화 에폭시로 만들어진 스페이서를 통해 절연 성능을 유지하고 있는데, 초기 설치 시 조립 오류로 인한 부유 물질이나 철 파편 등에 의한 절연 파괴 및 GIS의 장시간 운전에 따른 열화에 의한 절연 파괴로 아크 사고가 발생한다. 그러나 GIS는 가스로 밀폐된 타입이므로 열화 현상으로 생성되는 이물질 또는 균열에 의한 내부 절연 파괴 현상(내부 아크)을 정확히 알 수 없을 뿐 아니라 사고 위치를 확인하기 어렵다는 단점을 가지고 있다. 본 연구에서는 수동 광소자 방식을 이용하여 GIS 내부 아크발생 시 정확한 탐지 및 위치 표정이 가능하며, GIS 내부에서 발생되는 아크를 바로 제거하고 반복적인 아크가 발생되지 않도록 보호계전기에 의한 GIS의 재폐로 동작을 차단 할 수 있는 GIS 아크탐지 장치를 소개한다.
The temperature rise of GIS (Gas Insulated Switchgear) busbar system is a vital factor that affects its performance. In this paper, a two-dimensional model is presented by commercial code CFX11 for the evaluation of natural convection in the busbar system. In the model, SF6 (Sulfur Hexafluoride) is used to insulate the high voltage device and improves the heat transfer rate. The power losses of a busbar calculated by the magnetic field analysis are used as the input data to predict the temperature rise by the nature convection analysis. The heat-transfer coefficients on the boundaries are analytically calculated by applying the Nusselt number considering material property and model geometry for the natural convection. The temperatures of the tank and conductors from CFX simulation and the experiment were compared. The results show a good agreement. In the future, we will calculate the 3-D model and try to reduce the temperature by adjusting some dimensional parameters.
Insulators which are used in the domestic electrical industries are mostly depended on importation from some advance countries. Even though insulators which are made of ceramic material have been mostly used domestically, the ratio of usage on composite insulators is recently being increased because of difficulties in manufacturing and high cost regarding ceramic stuffs. In this research, we are trying to develop the composite insulators which are very efficient in insulation regardless of the matter of weight. Even though the technique of manufacturing composite insulator are quite generalized worldwide at the moment, one of the most important issue is to keep security on the know-how that an ingredient of insulated material named 'SF6 gas' is included. Therefore, The aim of this paper is to improve the bonding force and air tight property between two components of composite insulator, Flange and FRP Tube.
한국전기전자재료학회 2002년도 춘계학술대회 논문집 유기절연재료 전자세라믹 방전플라즈마 일렉트렛트 및 응용기술
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pp.160-164
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2002
A special discharge cell containing a free conducting particle was used to generate the discharges in $SF_6$. The analog bandwidth of the measurement system exceeded 5 GHz. The measured signals were processed to compensate for the response of the measurement system. The discharge current rise time was in the range of 70 ps, while its full-width half-maximum was 120 ps. Single and double current pulses of positive and negative polarities were measured. Likewise, these pulses were compared with the measurement obtained using a conventional partial discharge detector of the IEC60270 type
Partial discharge is attendant physical phenomenon on electromagnetic, sounds, lightning and mechanical vibration. In this paper, we simulated GIS and measured the radiated electromagnetic wave emitted from partial discharge in $SF_6$ gas using antenna(30[MHz] ${\sim}$ 2[GHz]) and spectrum analyzer. This paper describes characteristics of radiated electromagnetic waves with distance 1 [m] between antenna and discharge source.
Plasma etching was studied to obtain high-efficiency Si solar cells. SiN nanoparticles were observed upon the plasma treatment using SF6 gas. The mechanism of the nanoparticles formation has been studied. A net increase in the current density (Jsc) of the cells of $1.7mA/cm^2$ and in the conversion efficiency ($\eta$) of 2.1% is obtained after the plasma treatment for 10s, thanks to the significant decrease of reflection in the shorter wavelength range.
실리콘을 기판으로 하는 대부분의 태양전지에서는 표면반사에 의한 광 에너지 손실을 최소화 시키고자 습식에칭 (wet etching)에 의한 텍스쳐링 처리가 이루어진다. 그러나 습식 에칭은 공정 과정이 번거롭고 비용이 많이 든다. Inductively Coupled Plasma Etcher 장비를 이용한 플라즈마 에칭 (plasma etching)을 실리콘 표면에 적용하여 공정을 간단하고, 저렴하게 하며 반사도를 획기적으로 낮추는 기술을 개발되었다. 플라즈마 에칭으로 형성된 나노구조는 내부전반사를 일으키며 대부분의 태양에너지를 흡수한다. 나노구조는 필라(pillar)의 형태로 나타나며, 이는 플라즈마 에칭 시 발생하는 이온폭격과 에칭 측벽 식각 보호막 (SiOxFy : Silicon- Oxy-Fluoride)의 형성 때문이다. 최저의 반사도를 얻기 위해서 나노필라 형성에 기여하는 플라즈마 에칭 시간, RF bias power, SF6/O2 gas ratio의 변화에 따른 실험이 진행되었다. 플라즈마 발생 초기에는 표면의 거칠기만 증가할 뿐 필라가 형성되지 않지만 특정조건에서 4um 이상의 필라를 얻는다. 이 구조에 알루미늄 전극을 형성하여 전기적 특성을 관찰하였다. 플라즈마 에칭을 적용하여 제작된 태양전지는 표면의 반사도가 가시광 영역에서 약 1%에 불과하며, 마스크 없이 공정이 가능한 장점이 있다.
Carbon coils could be synthesized using $C_2H_2/H_2$ as source gases and $SF_6$ as an incorporated additive gas under thermal chemical vapor deposition system. The substrate with oxygen incorporation and the substrate without oxygen incorporation were employed to elucidate the effect of substrate on the formation of carbon coils. The characteristics (formation densities, morphologies, and geometries) of the deposited carbon coils on the substrate were investigated. In case of Si substrate, the microsized carbon coils were dominant on the substrate surface. While, in case of oxygen incorporated substrate, the nanosized carbon coils were prevail on the substrate surface. The cause for the different geometry formation of carbon coils according to the different substrates was discussed in association with the different thermal expansion coefficient values between the substrate with oxygen incorporation and the substrate without oxygen incorporation.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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