• 한국광물학회지
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• 제1권1호
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• pp.15-19
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• 1988

In the process of re-checking the phase relations of the Pt-Sb system the previously reported Pt4+Sb phase did not occur. Instead, Pt34Sb7 phase with an average chemical composition (wt%) Pt 89.3, Sb 11.4, total 100.7, has been newly found to exist, and the formula Pt34Sb7 has been tentatively assigned to it, It is pale brownish grey to yellowish grey under refloecting microscope and non-bireflectant, VHN100=225 (206-243). X-ray powder patterns are (d(I/Io)): 2.318(100), 2.293(100), 2.110(30), 1.440(50), 1.390(15), 1.283(5), 1.203(70) and 1.192(40)$\AA$. They are indexable on the basis of tertragonal cell with $\alpha$=3.948(3), c=16.85(1)$\AA$. A question whether the tetragonal Pt34Sb7 is the new phase or a polymorph of the cubic Pt4+Sb phase remains unclear and awaits better X-ray diffraction, electron microprobe analysis and DTA for the Pt4+Sb phase. The Pt3Sb phase reported to be of tetragonal symmetry has been confirmed to exist. It is greyish yellow in air and in oil, very weakly bireflectant, and weakly anisotropic. VHN25=216 (183-240). Its X-ray powder data have been successively indexed on a tetragonal cell with $\alpha$=3.9455(7), c=16.959(5)$\AA$.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제24권1호
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• pp.1-6
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• 2011

Optical gain characteristics of $1.3{\mu}m$ type-II GaAsSb/InGaNAs/GaAs trilayer quantum well structures were studied using multi-band effective mass theory. The results were compared with those of $1.3{\mu}m$ GaAsSb/InGaNAs/GaAs trilayer quantum well structures. In the case of $1.3{\mu}m$ GaAsSb/InGaNAs/GaAs trilayer quantum well structure, the energy difference between the first two subbands in the valence band is smaller than that of $1.3{\mu}m$ GaAsSb/InGaNAs/GaAs trilayer quantum well structure. Also, $1.3{\mu}m$ GaAsSb/InGaNAs/GaAs trilayer quantum well structure shows larger optical gain than $1.3{\mu}m$ GaAsSb/InGaNAs/GaAs trilayer quantum well structure. This means that GaAsSb/InGaNAs/GaAs system is promising as long-wavelength optoelectronic devices for optical communication.

• 한국결정학회지
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• 제4권1호
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• pp.18-24
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• 1993

백금-안티모니갔의 상평형 및 안정 화합물에 대한 연구를 위해 합성실험을 실시하였다. 반응생성물은 반 사현미경, X-선 회절분석, 전자현미분석 등으로 규명하 였다. 백금-안티모니계에는 Pt5Sb, Pt3Sb, Pt3Sb2, PtSb, PtSb5등 5종류의 화합물이 존재하며 Pt5Sb2는 존재하지 않는 것으로 밝혀졌다. Pt5Sb는 처음 발견된 화합물로서 83at.%Pt의 화학성분을 가지며, 정방정계와 격자상수 a=3.948(3), c=16.85(1)차를 가진다. Ptssb 의 X-선회절 분말자료는 a=3.9455(7), c=16.959(5) A 인 정방정계의 구조로 격자지수화가 가능하다. PtSb의 화학성분은 800연까지 50at.% Pt이나 10반종에서는 49at.%정 회이다. 백금속의 안티모니 고용한계는 1000°, 800°, 600°에서 각각 7.5, 10.0, 6.1at.%이다. Ptsb2와 Sb를 잇는 액상곡선의 형태도 수정되었다.

• 한국진공학회지
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• 제20권6호
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• pp.461-467
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• 2011

사원화합물 반도체 $Ga_xIn_{1-x}Sb_yAs_{1-y}$을 구성하는 네 가지 이원화합물 반도체 GaAs, GaSb, InAs, InSb의 최고 가전자띠 준위와 최저 전도띠 준위를 밀접결합방법에 근거한 해석적 근사법으로 계산하였다. 이들을 이종 접합시켰을 때 경계면에서의 밴드정렬상태를 구한 결과, GaAs/InAs와 GaAs/InSb, GaSb/InSb는 제 I형, GaAs/GaSb는 제 II형, GaSb/InAs, InSb/InAs는 제III형의 밴드 정렬 형태를 갖는다는 것을 알 수 있었다. 또한 범용적 밀접결합을 이용하여 사원화합물 반도체 $Ga_xIn_{1-x}Sb_yAs_{1-y}$의 성분비 x와 y에 따른 최고 가전자 띠와 최저 전도 띠 준위변화를 구하였다. $Ga_xIn_{1-x}Sb_yAs_{1-y}$을 GaSb와 InAs 격자 정합시켜 경계면에서의 밴드정렬상태를 구해 본 결과 성분비에 따라 제 II형과 제 III형 사이의 밴드정렬형태의 전이가 일어남을 알 수 있었다. $Ga_xIn_{1-x}Sb_yAs_{1-y}$를 GaSb에 격자 정합 시켰을 때 $x{\geq}0.15$에서 제 III형 밴드정렬이었던 것이 $x{\geq}0.81$에서는 제 II형의 밴드정렬 상태로 전이되며, 이와 반대로 $Ga_xIn_{1-x}Sb_yAs_{1-y}$를 InAs에 격자정합 시켰을 때 $x{\geq}0.15$에서 제 II형 밴드 정렬이 $x{\geq}0.81$에서 제 III형 밴드정렬로 전이됨을 알 수 있었다.

• 한국진공학회지
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• 제9권4호
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• pp.353-359
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• 2000

마그네트론 스퍼터링법으로 p형 ($Bi_{0.15}Sb_{0.85})_2Te_3$과 ($Bi_{1-x}Sb_x)_2Te_3$ 열전박막을 제조하여 스퍼터 증착 조건 및 $Sb_2Te_3$ 함량에 따른 열전특성을 분석하였다. Corning glass 기판을 10rpm으로 회전시키며 DC 스퍼터링법으로 $300^{\circ}C$에서 증착한($Bi_{0.15}Sb_{0.85})_2Te_3$ 박막은 $(Bi, Sb)_2Te_3$ 단일상으로 결정화가 완료되고 c축 우선배향성을 나타내었으며, 다른 조건으로 증착한 ($Bi_{0.15}Sb_{0.85})_2Te_3$ 박막보다 높은 185 $\mu$V/K의 Seebeck 계수를 나타내었다. p형(Bi$_{1-x}$ Sb$_{x}$)$_2$Te$_3$ (0.77$\leq$x$\leq$ 1.0) 박막에서는 Sb$_2$Te$_3$ 함량이 증가함에 따라 Seebeck 계수와 전기비저항이 감소하였으며($Bi_{1-x}Sb_x)_2Te_3$조성에서 $0.79\times10^{-3}W/K^2$-m의 최대 출력인자를 나타내었다.

• 한국재료학회지
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• 제6권1호
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• pp.90-98
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• 1996

Mn((Cu0.66AI0.34)1-x(Bi0.3Sb0.7)x) 및 Mn((Fe0.66AI0.34)1-x(Bi0.3Sb0.7)x) 합금계의 상의 변화와 자기적 특성을 조사하였다. Mn((Cu, SI)(Bi, Sb)) 합금계는 Bi상, MnSb상, MnBi상, k-상, Heuser상, Mn2Sb 및 $\beta$-Mn상의 혼합상으로 이루어졌으며 x가 증가함에 따라 Bi상과 Mn2Sb상이 증가하고 K-상, Heusler상 및 $\beta$-Mn상이 줄어들거나 사라졌다. 자기적 성질은 자성을 띄는 MnSb상, MnBi상, Mn2Sb상, k-상 및 Hseusler상과 비자성인 Bi상과 $\beta$-Mn상의 상대적 분율에 의해 결정됨을 알 수 있었고, 150K-200K 부근에서 그 이하로 온도가 감소함에 따라 자화값이 급격히 감소하는 현상이 나타났다. Mn((Fe, AI)(Bi, Sb))합금계는 Bi상, MnSb상, MnBi상, MnBi상,$\beta$-Mn상, k-상 및 Mn2Sb상의 혼합상으로 나타났으며, 자기적 성질은 조사한 전 조성에서 강자성을 띄고 있음을 알 수 있었다.

• 한국진공학회지
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• 제2권2호
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• pp.227-235
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• 1993

$SbS_{1-x}Se_xI,\;BiS_{1-x}Se_xI,\;Sb_{1-x}Bi_xSI,\;Sb_{1-x}Bi_xSeI,\;SbS_{1-x}Se_xI:Co,\;BiS_{1-x}Se_xI:Co,\;Sb_{1-x}Bi_xSI:Co$, and $Sb_{1-x}Bi_xSeI:Co$ single crystals were grown by the vertical Bridgman method using the ingots. It has been found that these single crystals have an orthorhombic structure and indirect optical transition. The composition dependences of energy gaps are given by $E_g(x)=E_g(0)-Ax+Bx^2$. The impurity optical absorption peaks due to cobalt deped with impurity are attributed to the electron transitions between the split energy levels of $Co^{2+}$ and $Co^{3+}$ ions sited at $T_d$symmetry of the host lattice.

• 한국결정성장학회지
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• 제23권4호
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• pp.189-194
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• 2013

기계적 합금법을 이용하여 Mg, Sb, Bi을 planetary 볼밀에서 24~48시간 볼 밀링하여 $Mg_3Sb_2$와 $Mg_3Bi_2$ 단일 결정상의 합금분말을 얻었다. 출발조성은 $Mg_3Sb_2$상의 경우 3Mg : 1.8Sb, $Mg_3Bi_2$상은 3Mg : 1.6Bi이었다. 얻어진 두 합금 분말을 여러 비율로 혼합하여 70 MPa의 압력 하, 723 K에서 1시간 가압소결하여 $Mg_3Sb_2-Mg_3Bi_2$ 복합체를 제조하였다. 복합체의 주 결정상은 $Mg_3Bi_2$상과 유사한 안정한 상이었고 미량의 Bi상이 존재하였다. EDS 맵핑결과 가압소결체들의 조성분포는 불연속적이며 독립적으로 나타나서 $Mg_3Sb_2-Mg_3Bi_2$계 복합체가 제조되었다는 것을 확인할 수 있었다.

• 한국자기학회지
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• 제8권3호
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• pp.156-160
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• 1998

고주파 마그네트론 스퍼링법에 의하여 두께 약 2000$\AA$으로 제조한 (Mn0.5-ZSb0.5+Z)100-yPty(0$0^{\circ}C$의 진공중에서 열처리한 후, X-선회질장치, 토크자려계, kerr 효과 즉정장치를 이용하여 결정구조 및 자기광학적 특성을 조사하였다. 열처리 후, MnSbPt 합금막은 FDD의 Clb-형구조를 갖으나, MnSbAg 합금막은 HCP의 NiAs-형구조를 갖고 c-축이 막면에 수직하여 배향하는 이방성조직이 형성되나 열처리시간이 길어지면 등방성조직으로 바뀐다. 30$0^{\circ}C$에서 3시간 동안 dufcjflgksMnSbAg 합금막에서 우수한 수직자기이방성이 관측되었으며 Mn47.4Sb47.5Ag5.1 합금막으로부터 K1=6.6$\times$105 erg/cm3, K2=1.9$\times$105 erg/cm3의 수직자기이방성값을 얻었다. 입사파장 700~100nm 범위에서 MnSbpt 합금막의 Kerr 회전각은 입사파장이 감소할수록 증가하나 MnSgAg 합금막은 반대경향을 보인다. 입사파장 λ=700nm에서 Mn41.1Sb44.9Pt14.0 및 Mn47.4Sb47.5Pt5.1 합금막의 Kerr 회전각 $\theta$k는 각각 1.7$^{\circ}$와 0.2$^{\circ}$이고 λ=1000nm에서는 각각 0.6$^{\circ}$와 0.97$^{\circ}$이다.

• 한국광물학회지
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• 제8권1호
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• pp.13-22
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• 1995

Phase relations of the Pd-Sb system were investigated using the sealed-capsule technique; the quenched run products were studied by reflected light microscopy, X-ray diffraction, and electron microprobe analysis. Eight binary phases were confirmed to exist in the system: Pd20Sb7, Pd31Sb12, Pd8Sb3 (mertieite II), Pd5Sb2, Pd2Sb, Pd5Sb3, PdSb (sudburyite), and PdSb2, (unnamed PdSb2), The X-ray powder diffraction data of all the phases, except for Pd5Sb3, however, may be indexable on an orthorhombic cell, space group Cmc2, with a=3.362(1), b=17.484(7), c=6.934(2)$\AA$. Some physical properties as well as re-determined cell parameters are newly established. A revised phase relations of the Pd-Sb system are presented.