Hong, Dae-Wha;Kang, Kyung-Tae;Hong, Seok-Pyo;Shon, Hyun-Kyong;Lee, Tae-Geol;Choi, In-Sung S.
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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pp.208-209
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2011
In this work, we developed self-assembled monolayers (SAMs) of alkanethiols on gold that can release amine groups, when an electrical potential was applied to the gold. The strategy was based on the introduction of the electroactive carbamate group, which underwent the two-electron oxidation with simultaneous release of the amine molecules, to alkanethiols. The synthesis of the designed thiol compounds was achieved by coupling isocyanate-containing compound with hydroquinone. The electroactive thiols were mixed with hydroxyl-containing alkanethiol [$HS(CH_2)_{11}OH$] to form mixed monolayers, and cyclic votammetry was used for the characterization of the release. The mixed SAMs showed a first oxidation peak at +540 mV (versus Ag/AgCl reference electrode), demonstrating irreversible conversion from carbamate to hydroqinone with simultaneous release of the amine groups. The second and third cycles showed typical reversible redox reaction of hydroquinone and quione: the oxidation and reduction occurred at +290 mV and -110 mV, respectively. The measurement of ToF-SIMS further indicates that electrochemical-assisted chemical reaction successfully released amine groups. This new SAM-based electrochemistry would be applicable for direct release of biologically active molecules that contain amine groups.
금 나노 입자를 회합시킨 흑연전극 표면에 mercaptopropionic acid(mpa)를 사용하여 자기조립 단층막(self-assembled monolayer: SAMs)을 생성시키고 이어서 도파민(dopa)과의 짝지움 반응을 통하여 Gr(Au)/mpa-dopa형의 수식된 전극을 제작하여 NADH의 전기촉매 산화반응에 적용하였다. 이 수식 전극이 전자전달반응속도와 반응과정에 대하여 연구하였다. 전극 표면에 고정된 도파민이 NADH와 이차반응 속도상수는 회전 전극법으로 0.1 M 인산염 완충용액(pH=7.0)에서 결정하였으며 그 값이 $5.06{\times}10^5M^{-1}s^{-1}$였고, $EC_{cat}$ 및 전자전달이 지배적인 과정이었다. 그러나 반응초기 즉, $10^{-3}s$ 이내에서는 이 전극에서 확산에 영향을 받으며 그 때 확산계수는 $4.64{\times}10^{-4}cm^2s^{-1}$이다.
Yoo, Seong Il;Do, Thu Trang;Ha, Ye Eun;Jo, Mi Young;Park, Juyun;Kang, Yong-Cheol;Kim, Joo Hyun
Bulletin of the Korean Chemical Society
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제35권2호
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pp.569-574
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2014
Inverted bulk hetero-junction polymer solar cells (iPSC) composed of P3HT/PC61BM blends on the ZnO modified with benzoic acid derivatives-based self-assembled monolayers (SAM) are fabricated. Compared with the device using the pristine ZnO, the devices with ZnO surface modified SAMs derived from benzoic acid such as 4-(diphenylamino)benzoic acid (DPA-BA) and 4-(9H-carbazol-9-yl)benzoic acid (Cz-BA) as an electron transporting layer show improved the performances. It is mainly attributed to the favorable interface dipole at the interface between ZnO and the active layer, the eective passivation of the ZnO surface traps, decrease of the work function and facilitating transport of electron from PCBM to ITO electrode. The power conversion eciency (PCE) of iPSCs based on DPA-BA and Cz-BA treated ZnO reaches 2.78 and 2.88%, respectively, while the PCE of the device based on untreated ZnO is 2.49%. The open circuit voltage values ($V_{oc}$) of the devices with bare ZnO and SAM treated ZnO are not much different. Whereas, higher the fill factor (FF) and lower the series resistance ($R_s$) are obtained in the devices with SAMs modification.
The characteristic of negative differential resistance(NDR) is decreased current when the applied voltage is increased. The NDR is potentially very useful in molecular electronics device schemes. Here, we investigated the NDR characteristic of self-assembled 4,4'-di(ethynylphenyl)-2'-nitro-1-benzenethiolate, which has been well known as a conducting molecule. Self-assembly monolayers(SAMs) were prepared on Au(111), which had been thermally deposited onto $pre-treatment(H_2SO_4:H_2O_2=3:1)$ Si. The Au substrate was exposed to a 1 mM/1 solution of 1-dodecanethiol in ethanol for 24 hours to form a monolayer. After thorough rinsing the sample, it was exposed to a 0.1 ${\mu}M/l$ solution of 4.4'-di(ethynylphenyl)-2'-nitro-1-(thioacetyl)benzene in dimethylformamide(DMF) for 30 min and kept in the dark during immersion to avoid photo-oxidation. After the assembly, the samples were removed from the solutions, rinsed thoroughly with methanol, acetone, and $CH_2Cl_2,$ and finally blown dry with N_2. Under these conditions, we measured electrical properties of self-assembly monolayers(SAMs) using ultra high vacuum scanning tunneling microscopy(UHV-STM). The applied voltages were from -2 V to +2 V with 298 K temperature. The vacuum condition was $6{\time}10^{-8}$ Torr. As a result, we found the NDR voltage of the 4,4'-di(ethynylphenyl)-2'-nitro-1-benzenethiolate were $-1.61{\pm}0.26$ V(negative region) and $1.84{\pm}0.33$ V(positive region). respectively.
The characteristic of negative differential resistance(NDR) is decreased current when the applied voltage is increased. The NDR is potentially very useful in molecular electronics device schemes. Here, we investigated the NDR property of self-assembled 4,4- Di(ethynylphenyl)-2'-nitro-1-(thioacetyl)benzene, which has been well known as a conducting molecule. Self-assembly monolayers(SAMs) were prepared on Au(111), which had been thermally deposited onto pre-treatment$(H_2SO_4:H_2O_2=3:1)$ Si. The Au substrate was exposed to a 1mM/l solution of 1-dodecanethiol in ethanol for 24 hours to form a monolayer. After thorough rinsing the sample, it was exposed to a $0.1{\mu}M/l$ solution of 4,4-Di(ethynylphenyl)-2'-nitro-1-(thioacetyl)benzene in dimethylformamide(DMF) for 30 min and kept in the dark during immersion to avoid photo-oxidation. After the assembly, the samples were removed from the solutions, rinsed thoroughly with methanol, acetone, and $CH_2Cl_2$, and finally blown dry with $N_2$. Under these conditions, we measured electrical properties of self-assembly monolayers(SAMs) using ultra high vacuum scanning tunneling microscopy(UHV-STM). The applied voltages were from -2V to +2V with 299K temperature. The vacuum condition is $6{\times}10^{-8}$ Torr. As a result, we found the NDR voltage of the nitro-benzene is $-1.61{\pm}0.26$ V(negative region) and $1.84{\pm}0.33$ (positive region), respectively.
그래핀(Graphene)은 열 전도도가 높고 전자 이동도(200 000 cm2V-1s-1)가 우수한 전기적 특성을 가지고 있어 차세대 전자재료로써 유망한 후보로 간주되어 왔다. 최근에는 아크 방출(Arc discharge method), 화학적 기상 증착법(Chemical vapor deposition; CVD), 이온-조사법(Ion-irradiation) 등을 이용한 이종원자(Hetero atom)도핑과 화학적 처리를 이용한 기능화(Functionalization)등의 방법으로 그래핀의 전도도를 향상시킬 수 있었다. 그러나 이러한 방법들은 기판의 표면을 거칠게 하며, 그래핀에 많은 결함들이 발생한다는 단점이 있다. 이러한 단점을 극복하기 위해 자가 조립 단층막법(Self-Assembled Monolayers; SAMs)을 이용하여 기판을 기능화한 후 그 위에 그래핀을 전사하면, 자가 조립 단층막의 기능기에 따라 그래핀의 일함수를 조절 가능하고 운반자 농도나 도핑 유형을 변화시켜 소자의 전기적 특성을 최적화 할 수 있다 [1-3]. 본 연구에서는 PET(polyethylene terephthalate) 기판에 SAMs를 이용하여 유연하고 투명한 그래핀 전극을 제작하였다. 자외선 오존처리 (UV ozone treatment)를 이용하여 PET 기판 표면 위에 하이드록실 기(Hydroxyl group; -OH)를 기능화 화였고 이를 접촉각 측정(Contact angle measurement)을 통해 확인하였다. 또한 3-Aminopropyltriethoxysilane(APTES)와 톨루엔 (toluene)을 이용하여 PET 기판 표면 위의 하이드록실 기 위에 아민 기(Amine group; -NH2)를 기능화 하였고 이를 X-선 광전자 분광법(X-ray photoelectron spectroscopy: XPS)으로 분석하였다. 이렇게 만들어진 PET기판 표면 위에 화학적 기상 증착법을 이용하여 합성한 대면적의 균일한 그래핀을 전사하였다. NH2그룹에 의해 그래핀에 도핑 효과가 나타난 것을 라만 분광법(Raman spectroscopy)과 전류-전압 특성곡선(I-V characteristic curve)을 이용하여 확인하였다. 본 연구 결과는 유연하고 투명한 기판 위에 안정적이면서 패턴이 가능하기 때문에 그래핀을 기반으로 하는 반도체 소자에 적용 가능할 것이라 예상된다.
Lowering serum low-density lipoprotein cholesterol (LDL-C) is the mainstay for reduction of risk of cardiovascular disease (CVD), the second most common cause of death in Korea. The 2015 Korean guidelines for management of dyslipidemia strongly recommend the use of statins in patients at risk of CVD. Statin therapy, which is the gold standard for CVD, reduces LDL-C level by 40% to 60% and is generally well tolerated. However, many patients are intolerant to statins and discontinue therapy or become nonadherent to therapy because of actual/perceived side effects. The most common of these side effects is the statin-associated muscle symptom (SAMS). Discontinuation and repetitive re-challenge with statins can help identify SAMS. If serum creatinine kinase level is more than 10 times the upper limit of normal, statin therapy must be stopped immediately, and the physician should identify possible causes including rhabdomyolysis and treat appropriately. In other patients, it might help to switch to a less potent statin or to use statins at intermittent non-daily dosing. To achieve target LDL-C level, non-statin lipid-lowering therapies such as dietary modifications, ezetimibe, and bile acid sequestrants may be added. Several new drugs have recently been approved for lowering LDL-C level. Alirocumab and evolocumab are monoclonal antibodies that inhibit proprotein convertase subtilisin/kexin type 9, and both drugs cause large reductions in LDL-C, similar to statins. Lomitapide and mipomersen are orphan drugs used as adjuncts to other lipid-lowering therapies in patients with homozygous familial hypercholesterolemia.
We present a pipeline to estimate baryonic properties of a galaxy inside a dark matter (DM) halo in DM-only simulations using a machine trained on high-resolution hydrodynamic simulations. As an example, we use the IllustrisTNG hydrodynamic simulation of a (75 h-1 Mpc)3 volume to train our machine to predict e.g., stellar mass and star formation rate in a galaxy-sized halo based purely on its DM content. An extremely randomized tree (ERT) algorithm is used together with multiple novel improvements we introduce here such as a refined error function in machine training and two-stage learning. Aided by these improvements, our model demonstrates a significantly increased accuracy in predicting baryonic properties compared to prior attempts --- in other words, the machine better mimics IllustrisTNG's galaxy-halo correlation. By applying our machine to the MultiDark-Planck DM-only simulation of a large (1 h-1 Gpc)3 volume, we then validate the pipeline that rapidly generates a galaxy catalogue from a DM halo catalogue using the correlations the machine found in IllustrisTNG. We also compare our galaxy catalogue with the ones produced by popular semi-analytic models (SAMs). Our so-called machine-assisted semi-simulation model (MSSM) is shown to be largely compatible with SAMs, and may become a promising method to transplant the baryon physics of galaxy-scale hydrodynamic calculations onto a larger-volume DM-only run. We discuss the benefits that machine-based approaches like this entail, as well as suggestions to raise the scientific potential of such approaches.
International Journal of Precision Engineering and Manufacturing
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제7권1호
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pp.13-17
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2006
Self-Assembled Monolayers (SAMs) formed by alkanethiol adsorption to thin metal film are widely being investigated for applications as coating layer for anti-stiction or friction reduction and in fabrication of micro structure of molecules and bio molecules. Recently, there have been many researches on micro patterning using the advantages of very thin thickness and etching resistance of Self-Assembled Monolayers in selective etching of thin metal film. In this report, we present the several machining method to form the nanoscale structure by Mask-Less laser patterning using alknanethiolate Self-Assembled Monolayers such as thin metal film etching and heterogeneous SAM structure formation.
The teaching method of colleges and universities is traditionally lectures then professors has described orally in class and students has listened to accompanying with papers, mid-terms, and final exams. Jon Bergmann and Aaron Sams have developed new way of teaching called flipped learning; Classwork at home and homework in class. By adapting the method, this paper researched how efficient it is and what factors tutors should consider for better results. Specifically this research examined the flipped learning applying to basic 3D graphics class of J University in Korea and students answered surveys and took a couple of tests. Since the most students of the class did not have any background of 3D graphics, it was the first time for them to work with 3 dimensional space coordinate system. As a result, the research showed positive side of flipped learning like increasing peers' interest to the class and positive attitude about video lectures watched before coming to class.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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