• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제1권4호
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• pp.30-39
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• 2000

The variation of electrical properties of (Ba, Sr)TiO$_3$[BST] thin films deposited of RuO$_2$electrode with (Ba+Sr)/Tr ration was investigated. BST thin films with various (Ba+Sr)/Tr ration were deposited on RuO$_2$/Si substrates using in-situ RF magnetron sputtering. It was found that the electrical properties of BST films depends on the composition in the film. The dielectric constant of the BST films is about 190 at the (Ba+Sr)/Tr ration of 1.0, 1,025 and does not change markedly. But , the dielectric constant degraded to 145 as the (Ba+Sr)/Tr ratio increase to 1.0. In particular, the leakage current mechanism of the films shows the strong dependence on the (Ba+Sr)/Tr ration in the films. At the ration (Ba+Sr)/Tr=1,025, the Al/BST/RuO$_2$ capacitor show the most asymmetric behavior in the leakage current density, vs, electric field plot. It is considered that the leakage current of the (Ba+Sr)/Tr=1,025 thin films is controlled by the battier-Iimited process, i,e, Schottky emission.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집 Vol.14 No.1
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• pp.480-483
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• 2001

Epitaxial rutile-$TiO_2$ and anatase-$TiO_2$ films were grown at $800^{\circ}C$ on $Al_2O_3$ (1102) and $LaAlO_3$ (001), respectively, using pulsed laser deposition. The formation of different phases on different substrates could be qualitatively explained by the atomic arrangements at the interfaces. We also successfully deposited epitaxial rutile-$TiO_2$ and anatase-$TiO_2$ films on conductive $RuO_2$ and $La_{0.5}Sr_{0.5}CoO_{3}$ electrodes, respectively. Using a Kelvin probe, we measured the photovoltaic properties of these multilayer structures. A rutile-$TiO_2$ film grown on $RuO_2$ showed a very broad peak in the visible light region. An epitaxial anatase-$TiO_2$ film grown on $La_{0.5}Sr_{0.5}CoO_{3}$ showed a strong peak with a threshold energy of 3.05 eV.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집
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• pp.480-483
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• 2001

Epitaxial rutile-TiO$_2$ and anatase-TiO$_2$ films were grown at 80$0^{\circ}C$ on $Al_2$O$_3$ (1102) and LaAlO$_3$ (001), respectively, using pulsed laser deposition. The formation of different phases on different substrates could be qualitatively explained by the atomic arrangements at the interfaces. We also successfully deposited epitaxial rutile-TiO$_2$ and anatase-TiO$_2$ films on conductive RuO$_2$ and La$_{0.5}$Sr$_{0.5}$CoO$_3$ electrodes, respectively Using a Kelvin probe, we measured the photovoltaic properties of these multilayer structures. A rutile-TiO$_2$ film grown on RuO$_2$ showed a very broad peak in the visible light region. An epitaxial anatase-TiO$_2$ film grown on La$_{0.5}$Sr$_{0.5}$CoO$_3$ showed a strong peak with a threshold energy of 3.05 eV 3.05 eV

• 한국자기학회지
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• 제17권3호
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• pp.124-127
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• 2007

비정질 $Co_{70.5}Fe_{4.5}Si_{15}B_{10}$층을 갖는 자기터널접합(magnetic tunneling junctions; MTJ)를 연구하였다. 비정질 자유층이 MTJ의 스위칭 특성에 미치는 영향을 중점적으로 이해하기 위하여 기존의 사용된 CoFe 그리고 NiFe층들을 대신하여 비정질 강자성체 CoFeSiB을 사용하였다. CoFeSiB은 CoFe과 NiFe보다 각각 낮은 포화자기장($M_s:\;560\;emu/cm^3$)과 높은 자기이방성 상수($K_u:\;0.2800\;erg/cm^3$)를 갖는다. CoFeSiB층들의 사이에 1.0 nm Ru층 삽입시 $-0.003\;erg/cm^3$ 교환결합에너지($J_{ex}$)를 나타내었다. $Si-SiO_2-Ta$ 45/Ru 9.5/IrMn 10/CoFe 7/$AlO_x$/CoFeSiB 7 또는 CoFeSiB (t)/Ru 1.0/CoFeSiB (7-t)/Ru 60(in nm) MTJ 구조의 터널접합에 대하여 실험 및 시뮬레이션 결과를 통하여 낮은 $J_{ex}$에 기인하는 스위칭 자기장(switching field; $H_{sw}$)의 시료 크기 의존성이 나타나는 것을 알 수 있었다. CoFeSiB 합성형 반강자성 구조는 micrometer뿐만 아니라 submicrometer 시료 크기영역에서도 보자력($H_c$)의 감소와 민감도를 증가 시킴으로써 자기 스위칭 특성에 유리한 것으로 확인 되었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.117-117
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• 2013

염료감응태양전지의 효율을 높이기 위해서, 광전극으로 쓰이는 다공성 $TiO_2$ 후막에 플라즈마원자증착기술(PEALD)과 원자증착기술(ALD)을 이용하여 알루미나($Al_2O_3$)막을 3차원적으로 균일하고 매우 얇게 형성하였다. 이를 통해서 태양빛에 의해 여기된 염료의 전자가 알루미나를 통과(tunneling)하여 $TiO_2$ 전도대로 도입되게 함과 동시에 $TiO_2$ 전도대로 도입된 전자들이 전해질과 염료로 재결합하는 현상을 방지하였다. 결국 이러한 작용에 의해서 염료감응태양전지의 개방전압을 높이는 효과를 관측하였다. 나아가 PEALD와 ALD 두가지 방식으로 형성된 $Al_2O_3$ 껍질층의 특성 차이를 비교 관찰하고 이에 따른 염료감응태양전지의 소자 특성에 미치는 영향을 고찰하였다.

• 한국자기학회지
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• 제16권6호
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• pp.276-278
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• 2006

스위칭 특성을 향상시키기 위하여 비정질 강자성 CoFeSiB 자유층을 갖는 자기터널접합 (MTJ)의 스위칭 특성을 연구하였다. 자기터널접합의 구조는 $Si/SiO_{2}/Ta$ 45/Ru 9.5/IrMn 10/CoFe 10/CoFe $7/AlO_{x}/CoFeSiB\;(t)/Ru\;60\;(nm)$이다. CoFeSiB는 $560\;emu/cm^{3}$의 낮은 포화자화도와 $2800\;erg/cm^{3}$의 높은 이방성 상수를 가졌다. 이러한 특성이 자기터널접합의 낮은 보자력($H_{c}$)과 높은 자장민감도를 갖게 한다. 이것은 또한 Landau-Lisfschitz-Gilbert 방정식에 근거한 미세자기 전산시뮬레이션을 통하여 submicrometersized elements에서도 확인하였다. CoFeSiB 자유층 두께를 증가함으로서 스위칭 특성은 반자화 자기장의 증가로 인하여 더욱더 나빠졌다.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2002년도 동계연구발표회 논문개요집
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• pp.50-51
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• 2002

최근 실온에서 약 40％ 이상의 높은 자기저항(magnetoresistance, MR)을 나타내는 자기 터널 접합(magnetic tunnel junction, MTJ)이 보고되면서 비휘발성 자기메모리로의 응용을 눈앞에 두고 있다.[1]. 이에 본 실험에서는 Substrate / Ta (base electrode) / NiFe / PtMn (AF pinning layer) / CoFe (pinned) / Ru / CoFe (fixed) / Al-O/ CoFe (free) / NiFe (free) / Ta & Ru (Capping Layer)과 같은 MTJ 증착 구조를 사용하여, MTJ의 보다 향상된 특성을 확보하기 위한 노력으로서 Al-O 두께, 어닐링 조건(Field Intensity ＆ Sequence)변화 등을 시도하였다. (중략)

• 한국세라믹학회지
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• 제34권3호
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• pp.233-240
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• 1997

LCR(Inductor Capacitor Resistor) network을 구성하기 위한 90$0^{\circ}C$소성용 Ru계 저항체를 제조하였다. 이 90$0^{\circ}C$동시소성용 저항 페이스트는 유리상 조성중 용융온도를 낮춰주는 PbO의 양을 감소시키고 Al2O3와 SiO2의 양을 증가시켜 제조하였다. 본 연구에서는 Alumina기판 위에 인쇄하고 소결한 저항체의 면저항과 Inductor와 Capacitor기판을 사용하여 제조한 저항체의 면저항 및 기판과 저항체간의 계면에 대한 관찰하였다. 또한 RuO2의 양을 달리하여 제조한 저항체의 저항값 변화에 대해서도 고찰하였다. 동시소성으로 소결한 경우, Alumina기판에서는 103~106$\Omega$/$\square$의 저항값을 얻을 수 있었으나, Inductor와 Capacitor기판에서는 저항값의 측정 범위를 벗어났다.

• 한국세라믹학회지
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• 제35권10호
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• pp.1061-1069
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• 1998

The thermal instability of Al2TiO5 Ceramics was contrlled by solid solution with MgO SiO2 and ZrO2 through electrofusion in an arc furnace. The thermal expansion properties of Al2TiO5 composites show the hysteresis due to the strong anisotropy of The crystal axes of these material. These phenomena are ex-plained by the opening and closing of microcracks. The difference in microcracking temperatures e.g 587.6(ATG2), 405.9(ATG3) and 519.7$^{\circ}C$(ATG4) is caused by the difference in grain size and stabilizer type. The thermal shock behaviour under cyclic conditions between 750-1400-75$0^{\circ}C$ show no change in mi-crostructure and phase assemblage for all three stabilized specimens. After the thermal loading test at 110$0^{\circ}C$ for 100hrs. ATG1 and ATG2 materials decomposes completely to its components corundum and ru-tile in both cases. However with approximatelly 20% retention of the Al2TiO5 Thus in order to prevent decomposition of the stabilized material in the critical temperature range 800-130$0^{\circ}C$ it must be traversed within a short period of time.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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• pp.1343-1346
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• 2008

$KSrPO_4$ and $Sr_3(Al_2O_5)Cl_2$ phosphors doped with $Eu^{2+}$ emit a blue and orange-yellow luminescence under ultraviolet (UV) excitation at ~ 400 nm, respectivel, which can be used for making white light emitting diodes.