Remote PECVD로 저온성장된 $SiO_2$ /InSb의 전기적 특성
(Electrical properties of $SiO_2$ /InSb prepared by low temperature remote PECVD)
-
- 한국진공학회지
- /
- 제5권3호
- /
- pp.223-228
- /
- 1996