• 전기의세계
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• 제28권9호
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• pp.60-73
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• 1979

이 논문은 1979년 vol. 28 n. 4에 이어지는 글이다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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• pp.256-256
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• 2009

This paper presents a proper condition to achieve above 17 % conversion efficiency using PC1D simulator. Crystalline silicon wafer with thickness of $240{\mu}m$ was used as a starting material. Various efficiency influencing parameters such as rear surface recombination velocity and minority carrier diffusion length in the base region, front surface recombination velocity, junction depth and doping concentration in the Emitter layer. Among the investigated variables, we learn that 2nd doping concentration as a key factor to achieve conversion efficiency higher than 17 %.

• 대한전기학회논문지
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• 제33권4호
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• pp.157-163
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• 1984

The object of this paper is to investigte the gate controlled diode structure for ionic concentration measurement. It includes device fabrication, characterization, device physics and modeling of the gate controlled diode structure. The differences of turn on voltages and surface generation currents in the (100) and (111) silicon crystallographic orientation of the sample device were observed. Therefore the dependence of these two factors of the silicon crystallographic orientation was investigated. It was observed that drifts arose after extended immersion of the sample device in acid or base solutions. The surface generation-recombination velocity of both (100) and (111) increased. The increase in the interfacial traps for both surface, determined by the turn on voltage was directly proportional to the surface generation-recombination velocity increase.

• Nuclear Engineering and Technology
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• 제54권12호
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• pp.4620-4624
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• 2022

Several cadmium zinc telluride (CZT) crystals were fabricated into radiation detectors using methods that included slicing, dicing, lapping, polishing, and chemical etching. A wet passivation with sodium hypochlorite (NaOCl) was then carried out on the Br-etched detectors. The Te-rich layer on the CZT surface was successfully compensated to the Te oxide layer, which was analyzed with X-ray photoelectron spectroscopy data of both a Br-etched crystal and a passivated CZT crystals. We confirmed that passivation with NaOCl improved the transport property by analyzing the mobility-lifetime product and surface recombination velocity. The electrical and spectroscopic properties of large volume detectors were compared before and after passivation, and then the detectors were observed for a month. Both bar and quasi-hemispherical detectors show an enhancement in performance after passivation. Thus, we could identify the effect of NaOCl passivation on large volume CZT detectors.

• 공업화학
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• 제22권6호
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• pp.648-652
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• 2011

수소를 제어하기 위한 기술 중 최근에 각광받는 방법으로는 피동형 촉매 재결합기(PAR)가 있다. PAR설비에서의 핵심기술인 촉매를 제조한 후 이를 이용하여 수소 재결합 성능 평가를 실시하였다. 실험은 공간속도(GHSV)를 $35000{\sim}100000hr^{-1}$로 변경하며 실시한 결과 공간속도가 증가할수록 수소의 전화율은 감소하였으나 시간당 제거되는 수소의 중량은 크게 증가하였다. 백금의 담지량을 달리하여 촉매를 제조한 후 실험을 수행한 결과 3 wt%에서는 별다른 전화율 차이를 보이지 않았으나 활성금속의 담지량이 증가하면서 승온속도가 증가되는 것을 확인 할 수 있었다. 이와 같은 공간속도 및 촉매 담지량 실험 결과 본 촉매는 상온 상압에서 80% 이상의 높은 전화율을 보이는 것을 확인 할 수 있었다.

• Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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• 제30권8호
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• pp.853-862
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• 2006

The present study is numerically investigated the flame structure of non-premixed counterflow jet flames using the laminar flamelet model Detailed flame structures with the fuel composition of 40% CO, 30% $H_2$. 30% $N_2$ and an oxidizer composition of 79% $N_2$ and 21% $O_2$ in a non-premixed counterflow flame are studied numerically. This study is aimed to investigate the effects of axial velocity gradient and combustion atmosphere pressure on flame structure. The results show that the role of axial velocity gradient on combustion processes is globally opposite to that of combustion atmosphere pressure. That is, chemical nonequilibrium effects become dominant with increasing axial velocity gradient, but are suppressed with increasing ambient pressure. Also, the flame strength is globally weakened by the increase of axial velocity gradient but is augmented by the increase of ambient pressure. However, flame extinction is described better on the basis of only chemical reaction and in this study axial velocity gradient and ambient pressure play a similar role conceptually such that the increase of axial velocity gradient and ambient pressure cause flame not to be extinguished and extend the extinction limit, respectively. Consequently it is suggested that a combustion process like flame extinction is mainly influenced by the competition between the radical formation reaction and the third-body recombination reaction.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제22권4호
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• pp.111-115
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• 2015

실리콘 태양전지의 효율을 향상하기 위해서는 소수 캐리어의 높은 수명이 필수조건이다. 따라서, 이를 달성하기 위한 실리콘 표면결함을 없애줄 수 있는 부동화(passivation) 기술이 매우 중요하다. 일반적으로 PECVD 법이나 열산화 공정을 통해 얻어진 $SiO_2$ 박막이 부동화 층으로 많이 사용되나 1000도에 이르는 고온 공정과 낮은 열적 안정성이 문제로 여겨진다. 본 연구에서는 원자층 증착법을 이용하여 400도 미만의 저온 공정을 통해 $Al_2O_3$ 부동화 박막을 형성하였다. $Al_2O_3$ 박막은 고유의 음의 고정 전하밀도로 인해 낮은 표면 재결합속도를 보이는 것으로 알려져 있다. 본 연구에서는 질소 도핑을 통해 높은 음의 고정 전하 밀도를 얻고 이를 통해 좀 더 향상된 실리콘 표면 부동화 특성을 얻고자 하였다.

• 대한디지털의료영상학회논문지
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• 제8권1호
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• pp.51-55
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• 2006

moving photocarrier grating(MPG)기술을 이용하여 디지털 X-선 변환물질 a-Se:As 필름에서 As 첨가효과에 관하여 연구하였다. 이 방법은 시료를 조사하기 위하여 주파수를 변화시킨 2개 레이저 빔의 중첩으로 얻어진 움직이는 간섭패턴을 이용한다. 시료의 수송변수는 시료에서 변조 방향으로 유도되는 grating-속도에 의존하는 전류밀도로부터 얻어진다. As 첨가에 따른 a-Se 필름의 전자와 정공 이동도 그리고 재결합 수명을 구하였다. 전자의 이동도는 결함 상태 때문에 As 첨가에 따라 감소하는 반면, 특히 a-Se 필름에 0.3% As 첨가할 때 정공 이동도와 재결합 수명이 증가하였다. MPG 기술로 얻은 As가 첨가된 a-Se 필름의 수송성질을 a-Se:As로 제작한 X-선 detector의 X-선 감도와 비교하였다. 실험결과 0.3% As가 첨가된 a-Se으로 제작한 X-선detector가 가장 우수한 X-선 감도를 나타내었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.602-602
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• 2012

TCAD simulation을 이용하여 국부적 후면 접촉 구조를 가지는 단결정 실리콘 태양전지구조를 형성하고 실리콘 기판과 후면 passivation막 사이의 계면 특성 변화에 따른 태양전지의 전기적, 광학적 특성 변화에 대해서 연구하였다. 상기 연구를 진행하기 위하여 process simulator를 이용하여 후면에 국부적인 doped BSF region을 형성하고 device simulator를 이용하여 실리콘 기판과 후면 passivation막 사이의 carrier recombination 특성을 변화시켜 태양전지의 광학적, 전기적 특성을 분석하였다. Carrier recombination velocity의 감소에 따라 국부적 후면 접촉구조를 갖는 태양전지의 특성이 증가하는 것으로 관찰되었다. 이는 후면에서 실리콘과 박막 사잉의 결함이나, dangling bond에 의해서 carrier들이 재결합하는 확률이 줄어듦과 동시에, 후면 전극에서 carrier를 수집할 수 있는 확률이 커지기 때문이며, 800 nm 이상의 장파장영역 광원이 후면 passivation 박막에 의한 reflection으로 이차적인 carrier generation으로 인한 영향으로 판단되며 quantum efficiency 분석으로 규명하였다.

• 천문학회보
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• 제35권2호
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• pp.72.2-72.2
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• 2010

The extremely metal-poor halo planetary nebula BoBn 1 has been investigated based on IUE archive data, Subaru/HDS spectra, VLT/UVES archive data, and Spitzer/IRS spectra. We have measured a heliocentric radial velocity of $+191.6\pm1.3\;kms^{-1}$ and expansion velocity 2Vexp of $40.5\pm3.3\;kms^{-1}$ from an average over 300 lines. The estimations of C, N, O, and Ne abundances from the optical recombination lines (ORLs) and Kr, Xe, and Ba from the collisional excitation lines (CELs) are also done. We have detected 5 fluorine and several slow neutron capture elements (the s-process). The amounts of [F/H], [Kr/H], and [Xe/H] suggest that BoBn 1 is the most F-rich among F detected PNe and is a heavy s-process element rich PN. The photo-ionization models built with non-LTE theoretical stellar atmospheres indicate that the progenitor was a 1-1.5 $M_\bigstar$ that would evolve into a white dwarf with an $0.62M_{\odot}$ core mass and $0.09M_{\odot}$ ionized nebula. Careful examination implies that BoBn 1 has evolved from a binary and experienced coalescence during the evolution to become a visible PN. The elemental abundances except N could be explained by a binary model composed of $0.75M_{\odot}+1.5M_{\odot}$ stars.