• 제어로봇시스템학회논문지
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• 제8권2호
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• pp.136-141
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• 2002

The electrical characteristics of solid state devices such as BJT(Bipolar Junction Transistor) and MOSFET, etc, are altered by impinging nuclear radiation and temperature in the space environment. This phenomenon is well known and has been studied extensively since the early 1960's when satellites were first being designed and used in the United States. However, the studies and the developments of radiation hardening technologies for the electronic components at the industrial fields in our country has not been popular so far. The worst case design technology in the electrical circuit is required for the appropriate operation of solid state devices in the space environment. In this paper, the interface circuit used in KOMPSAT(Korea Multipurpose Satellite), which is now being operated since the one was launched in 1999, is optimally designed to accomodate the worst case design and radiation effect.

• 한국산업융합학회 논문집
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• 제12권4호
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• pp.179-186
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• 2009

Electronic components in an enclosure have been investigated to prevent undesired thermal problems. The electronic devices, such as ECUs of automotive engines, are operated under the contaminated environments, so that they rely on the passive cooling without any fluid-driving methods. Therefore the radiation heat dissipation plays more important role than the conduction and convection heat transfer. Hence their combined heat dissipation phenomena have been simulated by a numerical model to reveal the effects of supplied heat flux, emissivity of material, geometry of enclosure, charging gas and pressure. The result showed that the radiation had a significant effect on the heat dissipation of module in an enclosure, and some space above the module should be reserved to prevent its thermal problem. In addition, the higher thermal conductivity and pressure of gas in an enclosure could be necessary to improve the thermal dissipation from the electronic devices.

• 제어로봇시스템학회:학술대회논문집
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• 제어로봇시스템학회 2003년도 ICCAS
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• pp.2287-2290
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• 2003

The electrical characteristics of power devices such as BJT (Bipolar Junction Transistor), and MOSFET (Metal Oxide Field Effect Transistor), etc, are altered due to impinging photon radiation and temperature in the nuclear or the space environment. In this paper, BJT and MOSFET are the two devices subjected to ${\gamma}$ radiation. In the case of BJT, the current gain (${\beta}$) and the collector to Emiter breakdown voltage ($V_{CEO}$) are the two main parameters considered. When it was subjected to ${\gamma}$ rays, the ${\beta}$ decreases as the dose level increases, whereas, $V_{CEO}$ gradually increases as the dose level increases. In the case of MOSFET, the threshold voltage is decreasing as the dose level increases. Here it has been observed the decent rate is an increasing function of the threshold voltage. The on-resistance does not change with respect to the dose. Both the devices recover back the original specification after the annealing is finished. No permanent damage has been occurred.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제33권2호
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• pp.151-154
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• 2020

Radiation noise due to EMI noise generated by the driving circuits of LED lighting devices in a medical imaging room was reduced by decreasing the noise source in the driving circuits and changing the number of corrections in EMI filters. Noise attenuation and filter changes enabled driving circuits that reduced the electromagnetic waves. Such circuits were efficiently designed by using capacitors and inverters in a given space. Therefore, the malfunction of radiation devices can be minimized by using EMI-reduction filter circuits, and reliable operation of medical devices can be expected by blocking electromagnetic waves.

• 핵의학기술
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• 제14권2호
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• pp.65-76
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• 2010

1994년 PET의 국내 도입 이후, 현재까지 양적으로나 질적으로 많은 발전이 있었다. 하지만 이와 함께 방사성의약품의 사용량 또한 급증하면서 검사에 있어서 가장 중요한 역할을 하는 방사선사의 개인피폭선량이 높아지는 요인으로 작용했던 것이 사실이다. 식품의약품안전청의 피폭선량관리센터에서 발표한 자료에 따르면 2008년도 방사선작업종사자의 전체 평균 피폭선량은 0.67 mSv였고, 방사선사 전체 피폭선량은 1.33 mSv로 해마다 감소하는 것으로 나타났다. 설문결과를 살펴보면 PET 검사 담당자의 평균피폭선량은 1.69 mSv였고, 1.0 mSv를 초과하는 구간에 75.3%의 방사선사가 포함되어 있었다. 이는 고 노출구간에 속한 방사선사의 비율이 높다는 것을 의미하므로, 피폭저감을 위한 노력이 요구된다. 본 연구에서는 설문조사를 통하여 PET 검사 프러시저별 차폐기구의 활용에 따른 방사선 피폭 정도를 TLD 수치를 이용하여 분석하고, 실험을 통하여 각 차폐기구의 차폐율을 측정함으로써, 그 효용성을 입증하고 적합한 차폐방법을 강구하고자 하였다. 방사선 피폭의 위험에 대해서 어느 누구보다 잘 인지하고 있는 방사선사임에도 불구하고 안이하게 생각하는 경향이 있었다. 설문결과를 살펴보면 방사선 피폭의 위험성에 대한 인식도와 피폭선량과는 크게 관련이 없었으며, 차폐기구의 활용도에 따라서는 피폭선량의 차이가 확연하게 나타났다. 프러시저 중 피폭선량에 가장 많은 영향을 미치는 단계는 방사성의약품의 투여였으며, 투여시 차폐방법에 따라 이동시 차폐방법도 달라졌다. 투여 시 차폐기구 사용현황을 보면 Both shield는 58.5%, L-Block은 20%, Syringe shield는 9%, No shield는 12.3%를 차지하였다. TLD 수치에 따른 투여 시 차폐방법은 수치가 낮을수록 Both shield와 L-block을 많이 사용하였으며, 수치가 높을수록 Syringe shield와 차폐를 시행하지 않는 경우가 많았다. 실험결과, 가장 이상적인 차폐방법은 분배 시엔 L-block을 사용하고, 이동시엔 Syringe shield carrier를 사용하며, 투여 시엔 L-block과 Syringe shield를 함께 사용하는 것이다. 환자 포지셔닝 시 Apron의 차폐율은 평균 16.4%로 차폐효과가 있다. PET 검사를 시행함에 있어서 강한 실천의지를 가지고 프러시저별로 차폐기구를 적극 활용한다면 점증하는 방사선사의 피폭 수준을 크게 감소시킬 수 있을 것으로 판단된다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2013년도 춘계학술대회
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• pp.1023-1026
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• 2013

위 펄스형 방사선에 노출된 전자장비는 전자소자 내부에서 발생되는 전자-정공쌍(EHP)과 이들이 형성한 순간 광전류로 Upset, Latchup, Burn out 과 같은 다양한 피해를 입게 된다. 이와같은 손상은 군무기체계나 우주항공 장비의 경우 군전력 손실이나 장비의 기능정지로 나타나 국가적으로 큰 손실을 초래할 수 있다. 본 연구에서는 펄스형 감마방사선으로 부터 전자장비/소자를 보호하기 위한 방호기술개발의 일환으로 '방사선 감지 및 제어장치'를 구현하고 대표적으로 군장비에 사용되는 전자소자에 대한 기능검증을 시도하였다. 펄스 방사선에 Latchup 및 Burn out 손상특성을 나타내는 LM118 소자에 개발한 '방사선 감지 및 제어장치'를 적용하여 펄스방사선 조사시험을 수행한 결과 LM118이 안전하게 보호됨을 확인하였다.

• 대한설비공학회지:설비저널
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• 제16권4호
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• pp.375-382
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• 1987

Accurate solar radiation data are fundamental to the design of HVAC systems and solar driven devices. Unfortunately, the total radiation data on a horizontal surface has been only reported by meteorological office. Consequently, there is interest in development of model to estimate the solar radiation data. Based on the statistically estimated TAC data which were obtained from measured hourly values collected over a period of ten years at Seoul, the solar radiation model was determined. Atmospheric transmittance for this model was presented in the form of polynominal.

• 대한방사선치료학회지
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• 제2권1호
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• pp.81-85
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• 1987

It has been evident since 1972 that computed tomography(CT) can play an important role in treatment and managment of the cancer patients as four steps; diagnosis, satging Treatment and follow-up. In this paper, we intended to investigate the availability of CT scan and treatment planning computer in 700 cancer patients who have undergone radiation therapy at the division of radiation therapy, Kangnam St. Mary's Hospital, Catholic Medical College between Mar. 1983 and Dec. 1985. The result were as follow; 1. Of 700 irradiated cancer patients, 342 patients ($48.9\%$) were performed CT scan prior to radiation therapy. 2. The distribution of lesions in 342 patients having CT scans was like this; CNS (83 of 104 patients, $79.8\%$), abdomen (44 of 76 patients, $57.9\%$), pelvis (100 of 188 patients, $53.2\%$) etc. in order. 3. The treatment planning computer were used in 280 cancer patients ($40\%$). 4. Of the 280 cancer patients using treatment planning computer, 167 patients ($59.6\%$) applied diagnostic CT scan and remaining 113 patients ($40.4\%$) were made body contour to be used for radiation therapy planning by the treatment planning computer. Authors also made some magnification devices used for small multiformat CT images to magnify into life size, consisting of overhead projector (3M) I.V. stand and mirror. These enabled us to make less errors in tracing the small-sized CT images during input of the anatomical data into the treatment planning computer.

• 전자통신동향분석
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• 제5권1호
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• pp.55-70
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• 1990

SIMOX SOI is known to be one of the most useful technologies for fabrications of new generation ULSI devices. This paper describes the current status of SIMOX SOI technology for ULSI applications. The SIMOX wafer is vertically composed of buried oxide layer and silicon epitaxial layer on top of the silicon substrate. The buried oxide layer is used for the vertical isolation of devices The oxide layer is formed by high energy ion implantation of high dose oxygen into the silicon wafer, followed by high temperature annealing. SIMOX-based CMOS fabrication is transparent to the conventional IC processing steps without well formation. Furthermore, thin film CMOX/SIMOX can overcome the technological limitations which encountered in submicron bulk-based CMOS devices, i.e., soft-error rate, subthreshold slope, threshold voltage roll-off, and hot electron degradation can be improved. SIMOX-based bipolar devices are expected to have high density which comparable to the CMOX circuits. Radiation hardness properties of SIMOX SOI extend its application fields to space and military devices, since military ICs should be operational in radiation-hardened and harsh environments. The cost of SIMOX wafer preparation is high at present, but it is expected to reduce as volume increases. Recent studies about SIMOX SOI technology have demonstrated that the performance of the SIMOX-based submicron devices is superior to the circuits using the bulk silicon.

• 한국의학물리학회:학술대회논문집
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• 한국의학물리학회 2004년도 제29회 추계학술대회 발표논문집
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• pp.153-156
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• 2004

식품의약품안전청은 1978년 12월 방사선 분야의 국가교정검사기관으로 지정되어 현재까지 Co-60선원을 이용 치료준위 방사선측정기에 대한 교정을 수행하고 있다. 식약청의 에어커마와 물 흡수선량 측정값은 국제도량형국(BIPM)과 측정소급성을 유지하고 있으며, 교정계수의 확장불확도는 0.9 %(k=2)이다. 식약청에서는 외부방사선에 대한 선량보증의 일환으로 1999년 전리함을 이용하여 방사선치료기관의 선량측정을 수행하였으며, 2002년부터 열형광선량계(TLD)를 이용한 선량측정체계를 확립 ${\cdot}$ 운영하고 있다. TLD 판독에 대한 측정불확도는 1.6 %(k=1)이며, 측정불확도를 감안하여 선량보증의 허용한계를 ${\pm}$ 5 %로 설정하였다. TLD 판독값을 선량으로 전환하는 과정에서 선질, 비선형성, 홀더사용 등의 영향을 보정하기 위한 보정정수를 사용하였다. 2003년도 치료방사선 선량보증사업에는 53개 기관(71개 선질)이 참여하였다. 선량보증 결과 71개 선질 중63개 선질(89 %)이 1차 측정에서 허용한계를 만족하였다. 허용한계 초과기관에 대해서는 재측정을 수행하였고, 그 결과 모두 허용한계 이내의 값을 나타냄을 확인하였다.