• 한국콘텐츠학회:학술대회논문집
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• 한국콘텐츠학회 2011년도 춘계 종합학술대회 논문집
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• pp.25-26
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• 2011

최근 임베디드 시스템이 발전함에 따라 시스템을 운영하는 방식이 단순한 펌웨어 수준에 그치지 않고 더 많은 서비스를 시스템에 제공하기 위해 운영체제의 사용이 증가하고 있다. 임베디드 시스템에는 제한적인 자원과 타깃시스템의 용도에 따라 실시간 운영체제(RTOS)가 주로 탑재된다. 실시간 운영체제 iRTOS는 가전, 무기체계 등에서 사용되며 현재 iRTOS가 채택하고 있는 메모리 할당 기법은 first fit 기법인데 대부분 시간결정성을 보장하지만 상황에 따라서 시간결정성을 보장하지 않을 수 있다. 따라서 시간결정성 보장을 향상시킬 수 있는 메모리 할당 기법이 필요하다. 본 논문에서는 실시간 운영체제 iRTOS에서 시간결정성을 보장할 수 있는 메모리 할당 기법을 설계하고 구현하는 것을 기술한다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제27권5호
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• pp.729-736
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• 1990

Oxide (RTO), nitrided-oxide(NO), and reoxidized-nitrided-oxide(ONO) films were formed by sequential rapid thermal processing. The film composition was investigated by Auger electron spectroscopy(AES). The Si/SiO2 interface and SiO2 surface are nitrided more preferentially than SiO2 bulk. When the NO is reoxidized, [N](atomic concentration of N) in the NO film decreased` especially, the decrease of [N] at the surface is considerable. The weaker the nitridation condition is, the larger the increase of thickness is as the reoxidation proceeds. The elelctrical characteristics of RTO, NO, and ONO films were evaluated by 1-V, high frequency (1 MHz) C-V, and high frequency C-V after constant current stress. The ONO film-which has 8 nm thick initial oxide, nitrided in NH3 at 950\ulcorner for 60 s, reoxidized in O2 at 1100\ulcorner for 60 s-shows good electrical characteristics such as higher electrical breakdown voltage and less variation of flat band voltage under high electric field than RTO, and NO films.

• 정보기술과데이타베이스저널
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• 제4권1호
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• pp.81-92
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• 1997

실시간 분산 시뮬레이션 응용을 개발할 때 시뮬레이션 대상의 시간적 행동 및 분산 노드간 상호작용의 복잡성 때문에 모델 개발에 어려움이 있다. 그러나 실시간 분산 객체(RTO)를 기반으로 하여 시뮬레이션 모델을 설계할 때 모델의 시간적 행동의 표현이 자연스러워지고 설계의 명확성을 가져다준다. 본 연구에서는 RTO 모델을 이용하여 압연공정 제어시스템 실시간 시뮬레이션 모델을 설계 구현하였다. 구현 과정에서 RTO 접근방법이 설계의 자연스러움, 설계 명세의 단순 명확화, 시간적 행동 표현의 복잡성 제거, 객체의 노드분산 용이성 등 많은 장점을 가지고 있음을 확인하였다. 이 방법은 보다 복잡하고 규모가 큰 실시갈 분산 시뮬레이션에 효과적으로 적용할 수 있다.

• 한국가스학회지
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• 제11권4호
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• pp.7-11
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• 2007

축열식 소각로에서 화재폭발 사고보고서가 있었다. 본 논문은 수지 재처리공정에서 축열식 소각로의 사고원인을 조사하였다. 실험은 인화점 시험기, 폭발한계장치, 자동발화 시험기, 가스크로마토그래프를 사용한 물리화학적 특성과 열안정성시험기 활용한 열안정성을 분석하였다. 축열식 소각로를 가동하는 공정의 사고예방을 위해 화재폭발 사고원인을 규명하였다.

• 한국콘텐츠학회:학술대회논문집
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• 한국콘텐츠학회 2012년도 춘계 종합학술대회 논문집
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• pp.27-28
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• 2012

최근 테블릿 PC 및 스마트폰과 같은 휴대용 전자제품의 사용량이 증가되고 있다. 이러한 휴대용 기기들은 배터리로 동작하기 때문에 실제 사용시간이 제한된다는 특징을 가진다. 이렇게 배터리로 동작하는 임베디드 시스템은 애플리케이션을 보다 오랜 시간 동안 동작할 수 있도록 저전력 기법이 적용된 운영체제를 필요로 한다. 본 논문에서는 스마트폰과 같은 휴대용 기기들에서 사용할 수 있는 실시간 운영체제인 CNU_RTOS에 S3C2440 칩셋에서 제공하는 CPU 상태 모드를 이용한 저전력 기법을 구현하여 전력 감소율을 측정하였다.

• 정보화사회
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• 통권170호
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• pp.12-14
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• 2004

• 환경기술인
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• 제19권통권204호
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• pp.22-26
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• 2003

• 정보와 통신
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• 제19권11호
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• pp.56-69
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• 2002

• 한국통신학회논문지
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• 제29권7B호
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• pp.667-674
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• 2004

TCP(transmission control protocol)의 성능은 손실 복구 과정의 성능에 크게 좌우되는데, 특히 패킷 손실이 발생했을 때 이를 RTO(retransmission timeout)을 유발하지 않고 재전송에 의해서 복구가 가능한가의 여부는 매우 중요한 문제라고 할 수 있다. TCP SACK(selective acknowledgement)은 다수 개의 패킷 손실이 발생하더라도 재전송에 의해서 효율적으로 복구할 수 있는 장점을 가지고 있지만, 재 전송한 패킷이 다시 손실되는 경우에는 언제나 RTO를 유발시키는 문제점이 있다. 본 논문에서는 이 문제를 해결하기 위한 알고리듬을 제안한다. 제안된 알고리듬을 사용하는 TCP SACK+는 기존의 TCP와의 호환성을 완벽하게 유지하는 동시에 재전송 패킷 손실을 감지할 수 있는 장점을 가지고 있다 TCP SACK+의 성능을 평가하기 위해서 모델링을 이용한 확률적 분석과 시뮬레이션을 도입한다. 결과를 통해서 TCP SACK+는 거의 모든 재전송 손실을 복구할 수 있기 때문에 TCP SACK보다 손실 복구 성능 차원에서 상당히 성능을 향상시킬 수 있음을 알 수 있다.

• ETRI Journal
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• 제26권4호
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• pp.315-320
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• 2004

This paper proposes a 10-${\mu}m$ thick oxide layer structure that can be used as a substrate for RF circuits. The structure has been fabricated using an anodic reaction and complex oxidation, which is a combined process of low-temperature thermal oxidation (500 $^{\circ}C$ for 1 hr at $H_2O/O_2$) and a rapid thermal oxidation (RTO) process (1050 ${\circ}C$, for 1 min). The electrical characteristics of the oxidized porous silicon layer (OPSL) were almost the same as those of standard thermal silicon dioxide. The leakage current density through the OPSL of 10 ${\mu}m$ was about 10 to 50 $nA/cm^2$ in the range of 0 to 50 V. The average value of the breakdown field was about 3.9 MV/cm. From the X-ray photo-electron spectroscopy (XPS) analysis, surface and internal oxide films of OPSL prepared by a complex process were confirmed to be completely oxidized. The role of the RTO process was also important for the densification of the porous silicon layer (PSL) oxidized at a lower temperature. The measured working frequency of the coplanar waveguide (CPW) type short stub on an OPSL prepared by the complex oxidation process was 27.5 GHz, and the return loss was 4.2 dB, similar to that of the CPW-type short stub on an OPSL prepared at a temperature of 1050 $^{\circ}C$ (1 hr at $H_2O/O_2$). Also, the measured working frequency of the CPW-type open stub on an OPSL prepared by the complex oxidation process was 30.5 GHz, and the return was 15 dB at midband, similar to that of the CPW-type open stub on an OPSL prepared at a temperature of $1050^{\circ}C$ (1 hr at $H_2O/O_2$).