This study was conducted to reuse spent mushroom substrates (SMS) of Pleurotus ostreatus and improve their nitrogen content by bacterial treatment. Two kinds of bacteria were used to investigate the increase in total nitrogen (T-N) content. Bacillus sp. (GM20-4) was isolated from SMS of oyster mushroom, and Rhodobacter sphaeroides (RS) was obtained from Gwangju Si Agricultural Technology Center. SMS samples were collected from three oyster mushroom cultivation farms located in Gyeonggi-do province, Korea. When dried SMS was inoculated with 30% culture broth of GM20-4 and RS and incubated at room temperature ($25{\pm}2^{\circ}C$) for 5 days, T-N content increased. To investigate the T-N content of other SMS, three dried SMS samples (A, B, and C) were treated by the same method using GM20-4 and RS. As a result, the T-N content of sample B was 20% higher than that of the control, whereas the T-N content of samples A and C increased to 17% and 12%, respectively. The change in T-N content by bacterial treatment of wet SMS was slightly higher than that of the control. The changes in amino acid content were also found to be higher than those in the control in all SMS samples by GM20-4 and RS treatment. Aspartic acid and glutamic acid contents were the highest among all amino acid compositions. Especially, the aspartic and glutamic acid contents of sample B increased by 2.9 folds higher than the control.
Kim, Sam-Dong;Lee, Seong-Dae;Lee, Jin-Gu;Hwang, In-Seok;Park, Dae-Gyu
Korean Journal of Materials Research
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v.10
no.12
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pp.812-818
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2000
We studied the effects of Ge preamorphization (PAM) on 0.25$\mu\textrm{m}$ Ti-salicide junctions using comparative study with As PAM. For each PAM schemes, ion implantations are performed at a dose of 2E14 ion/$\textrm{cm}^2$ and at 20keV energy using $^{75}$ /As+and GeF4 ion sources. Ge PAM showed better sheet resistance and within- wafer uniformity than those of As PAM at 0.257m line width of n +/p-well junctions. This attributes to enhanced C54-silicidation reaction and strong (040) preferred orientation of the C54-silicide due to minimized As presence at n+ junctions. At p+ junctions, comparable performance was obtained in Rs reduction at fine lines from both As and Ge PAM schemes. Junction leakage current (JLC) revels are below ~1E-14 A/$\mu\textrm{m}^{2}$ at area patterns for all process conditions, whereas no degradation in JLC is shown under Ge PAM condition even at edge- intensive patterns. Smooth $TiSi_2$ interface is observed by cross- section TEM (X- TEM), which supports minimized silicide agglomeration due to Ge PAM and low level of JLC. Both junction break- down voltage (JBV) and contact resistances are satisfactory at all process conditions.
Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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2003.06a
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pp.88-89
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2003
During the past decade, giant magnetotransport phenomena such as giant magetoresistance (GMR) in thin films and in manganese perovskites, and, giant magnetoimpedance (GMI) in soft magnetic amorphous ribbons, have brought much interest in the basic physical understanding and their applications as magnetic recording heads and in magnetic sensors technology. Among the parameters required for the quality of a magnetic sensor, temperature dependences of GMR and GMI profiles are playing an important role. In the present work, we have studied temperature dependences of the longitudinal permeability and giant magnetoimpedance effect in $Co_{70}$F $e_{5}$S $i_{15}$ N $b_{2.2}$C $u_{0.8}$$B_{7}$ amorphous ribbons expecting as a promising candidate in the domain of magnetic sensors.rs.rs.rs.s.
The properties of magnetic recording materials largely depend on their shape magnetic anisotropy. The control of their shape and size distribution is very important for improving magnetic properties. The silica-coated goethite$(SiO_2$/$\alpha$-FeOOH=1.5wt%) having acicular shape was prepared. The sillica-coated goethite was heat-treated at 40$0^{\circ}C$~1,00$0^{\circ}C$ 1hr and then reduced at 50$0^{\circ}C$ 2hr. When the silica-coated goethite was heat-treated at 80$0^{\circ}C$ its acicular shape was maintained and its magnetic properties were improved(Hc: 1,325 Oe $\sigma$m:138.8 emu/g, Rs:0.56) However the acicular shape of the paricles was broken for non-coated hematite obtained by dehydration at 80$0^{\circ}C$ They were sintered and showed poor magnetic properties.
PURPOSE. The purpose of this study was to investigate the in vitro cytotoxicity of thermoplastic denture base resins and to identify the possible adverse effects of these resins on oral keratinocytes in response to hot water/ food intake. MATERIALS AND METHODS. Six dental thermoplastic resin materials were evaluated: three polyamide materials (Smile tone, ST; Valplast, VP; and Luciton FRS, LF), two acrylic materials (Acrytone, AT; and Acryshot, AS), and one polypropylene resin material (Unigum, UG). One heat-polymerized acrylic resin (Vertex RS, RS) was chosen for comparison. After obtaining extracts from specimens of the denture resin materials (${\phi}=10$ mm and d=2 mm) under different extraction conditions ($37^{\circ}C$ for 24 hours, $70^{\circ}C$ for 24 hours, and $121^{\circ}C$ for 1 hour), the extracts (50%) or serial dilutions (25%, 12.5%, and 6.25%) in distilled water were co-cultured for 24 hours with immortalized human oral keratinocytes (IHOKs) or mouse fibroblasts (L929s) for the cytotoxicity assay described in ISO 10993. RESULTS. Greater than 70% viability was detected under all test conditions. Significantly lower IHOK and L929 viability was detected in the 50% extract from the VP ($70^{\circ}C$) and AT ($121^{\circ}C$) samples (P<.05), but only L929 showed reduced viability in the 50% and 25% extract from LF ($37^{\circ}C$) (P<.05). CONCLUSION. Extracts obtained from six materials under different extraction conditions ($37^{\circ}C$, $70^{\circ}C$, and $121^{\circ}C$) did not exhibit severe cytotoxicity (less than 70% viability), although their potential risk to oral mucosa at high temperatures should not be ignored.
The White Beamline of the Pohang Accelerator Laboratory(PAL) consists of main and second slits, a microprobe system, two ion chambers, a video-microscope, and a Si(Li) detector. These machine components must be controlled remotely through computer system to make user experiments precise and speedy. A real-time computer control system was developed to control and monitor these machine components. A VNIEbus computer with OS-9 real-time operating system was used for low-level data acquisition and control. VME I/O modules were used for step motor control and scaler control. The software has modular structure for maximum performance and easy maintenance. We developed database, I/O driver, and control software. We used PC/Window95 for data logging and operator interface. Visual C++ was used graphical user interface programming. RS232C was used for communication between VME and PC.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2015.08a
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pp.180-180
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2015
Solution processed Resistive random access memory (ReRAM)은 간단한 공정 과정, 고집적도, 저렴한 가격, 대면적화 플라즈마 데미지 최소화 등의 장점으로 차세대 비휘발성 메모리로 써 많은 관심을 받고 있으며, 주로 high-k 물질인 HfOx, TiOx, ZnO 가 이용 된다. IGZO와 ZTO와 같은 산화물 반도체는 높은 이동도, 대면적화, 넓은 밴드갭으로 인하여 투명한 장점으로 LCDs (Liquid crystal displays)에 이용 가능하며, 최근에는 IGZO와 ZTO에서 Resistive Switching (RS) 특성을 확인한 논문이 보고되면서 IGZO와 ZTO를 ReRAM의 switching medium와 TFT의 active material로써 동시에 활용하는 것에 많은 관심을 받고 있다. 이와 같은 산화물 반도체는 flat panel display 회로에 TFT와 ReRAM의 active layer로써 집적가능 하며 systems-on-panels (SOP)에 적용 가능하다. 하지만 IGZO 보다는 ZTO가 In과 Ga을 포함하지 않기 때문에 저렴하다. 그러므로 IGZO를 대신하는 물질로 ZTO가 각광 받고 있다. 본 실험에서는 ZTO film에 Al을 doping하여 메모리 특성을 평가하였다. 실험 방법으로는 p-type Si에 습식산화를 통하여 SiO2를 300 nm 성장시킨 기판을 사용하였다. 그리고 Electron beam evaporator를 이용하여 Ti를 10 nm, Pt를 100 nm 증착 한다. 용액은 Zn와 Tin의 비율을 1:1로 고정한 후 Al의 비율을 0, 0.1, 0.2의 비율로 용액을 각각 제작하였다. 이 용액을 이용하여 Pt 위에 spin coating방법을 이용하여 1000 rpm 10초, 6000 rpm 30초의 조건으로 AZTO (Al-ZnO-Tin-Oxide) 박막을 증착한 뒤, solvent 및 불순물 제거를 위하여 $250^{\circ}C$의 온도로 30분 동안 열처리를 진행하였다. 이후 Electron beam evaporator를 이용하여 top electrode인 Ti를 100 nm 증착하였다. 제작된 메모리의 전기적 특성은 HP 4156B semiconductor parameter analyzer를 이용하여 측정하였다. 측정 결과, AZTO (0:1:1, 0.1:1:1, 0.2:1:1)를 이용하여 제작한 ReRAM에서 RS특성을 얻었으며 104 s이상의 신뢰성 있는 data retention특성을 확인하였다. 그리고 Al의 비율이 증가할수록 on/off ratio가 증가하고 endurance 특성이 향상되는 것을 확인하였다. 결론적으로 Al을 doping함으로써 ZTO film의 메모리 특성을 향상 시켰으며 AZTO film을 메모리와 트랜지스터의 active layer로써 활용 가능할 것으로 기대된다.
The crystal structure of fully dehydrated partially Cs+-exchanged zeolite X, [Cs52Na40Si100Al92O384], a = 24.9765(10) A, has been determined by single-crystal X-ray diffraction techniques in the cubic space group Fd3 at 21 °C. The crystal was prepared by flow method for 5 days using exchange solution in which mole ratio of CsOH and CsNO3 was 1 : 1 with total concentration of 0.05 M. The crystal was then dehydrated at 400 °C and 2 × 10-6 Torr for 2 days. The structure was refined to the final error indices, R1 = 0.051 and wR2 (based on F2) = 0.094 with 247 reflections for which Fo > 4σ (Fo). In this structure, about fifty-two Cs+ ions per unit cell are located at six different crystallographic sites with special selectivity; about one Cs+ ion is located at site I, at the centers of double oxygen-rings (D6Rs), two Cs+ ions are located at site I', and six Cs+ ions are found at site II'. This is contrary to common view that Cs+ ions cannot pass sodalite cavities nor D6Rs because six-ring entrances are too small. Ring-opening by the formation of ?OH groups and ring-flexing make Cs+ ions at sites I, I', and II' enter six-oxygen rings. The defects of zeolite frameworks also give enough mobility to Cs+ ions to enter sodalite cavities and D6Rs. Another six Cs+ ions are found at site II, thirty-six are located at site III, and one is located at site III' in the supercage, respectively. Forty Na+ ions per unit cell are located at two different crystallographic sites; about fourteen are located at site I, the centers of D6Rs and twenty-six are also located at site II in the supercage. Cs+ ions and Na+ ions at site II are recessed ca. 0.34(1) A and 1.91(1) A into the supercage, respectively. In this work, the highest exchange level of Cs+ ions per unit cell was achieved in zeolite X by conventional aqueous solution methods and it was also shown that Cs+ ion could pass through the sixoxygen rings.
The major function of adipocytes is to store fat in the form of triglycerides. One of the signaling pathways known to affect adipogenesis, i.e. fat formation, is the WNT/${\beta}$-catenin pathway which inhibits the expression and activity of key regulators of adipogenesis. The purpose of this research is to find genes among the WNT/${\beta}$-catenin pathway which regulate adipogenesis by using small interfering (si) RNA and to find the association of single nucleotide polymorphisms (SNPs) of the gene with serum triglyceride levels in the human population. To elucidate the effects of ${\beta}$-catenin siRNA on adipogenesis key factors, PPAR${\gamma}$ and C/EBP${\alpha}$, we performed real-time PCR and western blotting experiments for the analyses of mRNA and protein levels. It was found that the siRNA-mediated knockdown of ${\beta}$-catenin upregulates adipogenesis key factors. However, upstream regulators of the WNT/${\beta}$-catenin pathway, such as DVL2 and LRP6, had no significant effects compared to ${\beta}$-catenin. These results indicate that ${\beta}$-catenin is a candidate gene for human fat accumulation. In general, serum triglyceride level is a good indicator of fat accumulation in humans. According to statistical analyses of the association between serum triglyceride level and SNPs of ${\beta}$-catenin, -10,288 C>T SNP (rs7630377) in the promoter region was significantly associated with serum triglyceride levels (p<0.05) in 290 Korean subjects. On the other hand, serum cholesterol levels were not significantly associated with SNPs of the ${\beta}$-catenin gene. The results of this study showed that ${\beta}$-catenin is associated with fat accumulation both in vitro and in the human population.
Kim, Yong-Hun;Lee, Hang-Hun;Lee, Jin-Ho;Park, Yeong-Jun;Park, Jeong-Ho
Korean Journal of Materials Research
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v.7
no.3
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pp.213-217
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1997
AOhf(Hcousto-r)l)tic niodulator) with :!OOlIiz freclucncl- and Sfi(;(Seconrl harmonic generation) green lasel-Lvith 53% nm wavelength were used for Il\'IIII~Dii.it,ii v~ilco disk recorder) FOI rhe appli~aptin of high densit]. optical recording, a high po\ver I ~ c r is r c ~ ~ l i ~ i l - u l ic I !tic. s\-sti,m a n d optic.,~I io;iting l,t)c>rs of each optical device must have a high laser damage threshoid hie rn;itie ant] retlwtive coatings on a $TeO_{2}$ singlc crystal. which is used as an acoustooptic material, by E-beam evaporation method. Laser damage threshold \vas nicdsureci hy Ar laser with the input power oi 0.55LV 1,aser damage threiholti 01 $ZrO_{2}$ and $SiO_{2}$. filn-is were higher than $AI_{2}O_{3}$ f i l m U'e also investigated a long--tern1 stability of the output po\ver of St{(; green laser
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[게시일 2004년 10월 1일]
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