• Title/Summary/Keyword: RGA1

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Leptospira 속균(屬菌)에 대한 한우(韓牛) 및 유우(乳牛)의 혈청항체조사(血淸抗體調査) (Serological Survey of Leptospiral Antibody in Dairy and Korean Native Cattle)

  • 최원필;이희석
    • 대한수의학회지
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    • 제25권1호
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    • pp.49-51
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    • 1985
  • A serological survey for antibodies to Leptospira (L.) interrogans in dairy and Korean native cattle in Gyeongbuk area was performed using 6 different living antigens, which were L. icterohaemorrhagiae(RGA), L. canicola(Hond Utrecht IV), L. autumnalis(Akiyami A), L. australis(Ballico), L. pomona(Pomona) and L. hebdomadis(Hebdomadis), by microscopic agglutination test. In the microscopic agglutination test, greater than partial agglutination at a serum dilution of 1:300 or over was recorded as positive. In the dairy cattle(Holstein), four(4.7%) of 86 sera from 13 dairy farms were positive for L. canicola and L. pomona antibodies. In the Korean native cattle, four(3.2%) of 124 sera from the slaughter house in Taegu city were positive for L. canicola, L. icterohaemorrhagiae and L. pomona antibodies. Among the positive sera, L, canicola was dominated in this experiment.

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고에너지 이온빔에 의한 고분자의 micro-hardness 특성변화

  • 최한우;우형주;홍완;김기동;김준곤;김영석;이삼근
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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    • pp.112-112
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    • 1999
  • 고분자 표면에 MeV급 이온을 주입하게 되면 화학적, 광학적, 물리적, 전기적 특성 등 기존의 재래식 공정으로는 불가능한 다양한 특성변화가 일어나게 된다. 본 실험에서는 이온 조사에 따른 micro-hardness의 변화에 중점을 두어 관찰하였다. 수 MeV로 가속시킨 Cl과 C 이온을 Kapton, Teflon, PMMA에 조사량을 바꾸어가며 조사하였다. 이때 조사 전후 고분자 시료의 표면 경도는 depth-sensing nanoindentation technique (Nano Indenter II, USA)을 이용하여 측정하였다. 측정깊이는 극표면 효과와 기측효과의 영향을 무시할 수 없는 100nm로 결정하였다. 또한 이와 같은 경도변화를 규명하기 위하여 각각의 시료에 대해 FTIR, Raman, UV-VIS, RBS, XPS 스펙트럼을 측정하였으며, 조사중에 발생되는 가스상 분자들을 RGA를 이용하여 측정하였다. 1 MeV Cl 이온을 Kato에 4x1015ions/cm2 조사하면 경도가 0.35 GPa에서 7.1GPa로 약 20배 정도 증가하게 되며, 이 경도는 stainless steel 경도 2~3 GPa, martensite steel 8~12와 비교하여 보면 상당히 높은 수준임을 알 수 있다. Teflon과 PMMA 시료의 경우 1MeV Cl 이온 4X1015ions/cm2를 조사시키면 각각 경도가 0.31GPa에서 4.1a, 0.30 GPa에서 3.9GPa로 변화하였으며 Kapton에 비하여 상대적으로 경도의 변화가 적음을 알 수 있었다. 이온 주입된 Kapton의 경우 FT-IR측정에 의하여 이온 조사량이 증가함에 따라 C=O 진동, 이미드그룹의 CONH, tertiary amine의 C-N 흡수 피크가 감소되며, 1X1014ions/cm2 이상의 양이 조사되어야 개질변화가 일어남을 알 수 있었다. XPS 측정 결과 Kapton에 조사되는 이온양이 증가할수록 C=O, C-O 및 C-N의 탄소는 감소하고 페닐고리 탄소가 증가함을 알 수 있었다. 또한 이온 조사 중 측정한 RGA에서도 CO 가스가 대량 방출되는 현상을 관찰하였으며 FTIR 및 XPS에서의 C=O 결합의 감소와도 일치하였다. RBS에 의한 CNO 원소의 변화에서도 다른 원소보다 O의 감소가 현저하게 나타남을 확인하였다. UV-VIS 측정을 통해 조사 이온량에 따라 에너지 준위가 변동하여 흡수스펙트럼이 장파장으로 확대됨을 알 수 있었으며, 이는 공액 2중 결합의 형성에 의한 $\pi$-전자 및 기타 결함에 기인한다. PMMA 및 Teflon의 경우 FTIR 측정에 의하여 이온 조사됨에 따라 function group 들의 peak가 세기가 감소되면서 완만해지는 경향을 보이며 원래의 구조를 상실하게 된다. PMMA와 Teflon은 이온 조사가 되면 가교형서보다는 사슬절단이 주로 일어나므로 가교형성이 잘 일어나는 Kapton보다는 상대적으로 경도의 증가가 적음을 알 수 있었다.

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원샷시스템의 신뢰도 성장 계획 설정 방안 (A Study on the Establishment of Reliability Growth Planning for One-shot System)

  • 서양우;전동주;김소정;김용근
    • 시스템엔지니어링학술지
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    • 제16권1호
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    • pp.1-8
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    • 2020
  • In this paper we proposed to develop the reliability growth planning for the One-shot system using the PM2-Discrete model. The PM2-Discrete is the methodology specifically developed for discrete systems and is the first quantitative method available for formulating detailed plans in the discrete usage domain. First, the parameters RG, RI, T, MS and d of the PM2-Discrete model are set. Second, the case analysis was performed on One-shot system A. Third, the input parameter values were applied to drive the R(t) equation. Finally, using RGA 11 Software, the reliability Growth Planning Curve of One-shot system A was constructed. Also, the sensitivity analyses are performed for the changes of model parameters. The results of this study can be usefully used in establishing the reliability growth planning curve of the One-shot system.

연속형 시스템의 신뢰성 성장 관리 시험 설계 방안 (A Method of Reliability Growth Management Test Design for Continuous System)

  • 서양우;윤정환;이승상;엄천섭
    • 시스템엔지니어링학술지
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    • 제16권2호
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    • pp.87-96
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    • 2020
  • In this paper we proposed the test design method of reliability growth management. First, we presented the process for establishing the reliability growth management test design considering the number of failures and the termination test time. Reliability growth analysis of continuous system was performed in accordance with the test design process presented. In case the reliability test result is not met with the reliability target value after more than three failures occurred, the required test times were analyzed that 1,725 hrs for one corrective action, 1,950 hrs for two corrective actions. If the number of failures is less than three, design a reliability demonstration test according to confidence level 80% and 90% was performed using RGA 11 Software. As a result, it is possible to establish the reliability growth management test design with sufficient use of available resources. The results of this study can be used when establishing a test design for assessment of reliability growth management of all continuous systems.

방사광 차단용 진공부품의 냉각수 누설 특성 (Characteristics of Water Leakage from Cooling Components in a Storage Ring)

  • 박종도
    • 한국진공학회지
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    • 제17권1호
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    • pp.1-8
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    • 2008
  • 포항가속기연구소 저장링에 설치된 방사광 차단용 진공부품에서 냉각수가 누설되었을 때의 진공도 분포, 압력 변화, 잔류 기체의 변화 등을 측정하여 그 특성을 분석하였다. 냉각수 누설 시에 압력 상승은 국부적으로 나타났으며 잔류 기체의 변화 양상은 누설 위치로부터 잔류기체 분석기까지 거리와 이온펌프 및 전자빔의 On/Off에 따라서 크게 달랐으며 특정 기체의 선택적 상승도 나타났다. 냉각수 누설의 발견은 전압변화 측정으로 가능하였으며 잔류기체 분석기로는 물분자를 직접 측정하기보다는 $CH_4$, CO, NO 등 특성 기체의 증가를 분석함으로 누설 여부를 판단할 수 있었다.

MBE에 의한 GaAs 에피층 성장을 위한 사진처리 과정 (Preprocess of GaAs Epitaxial Layer Growth by MBE)

  • 강태원;이재진;홍치유;김진황;정관수
    • 대한전자공학회논문지
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    • 제23권2호
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    • pp.243-248
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    • 1986
  • The impurities in As and Ga sources and the contamination of the GaAs substrate prior to growing of MBE GaAs epitaxial layer have been investigated using RHEED, AES and RGA methods. The as source was contaminated by H2O, CO, CO2 and AsO, and the Ga source was contaminated by H2, H2O, CO and CO2. These contaminants could easily be removed by prebaking the source. On the other hand, GaAs substrate was contaminated principally carbon and oxygen. The oxygen could easily be removed by heating the substrate above 480\ulcorner, and the carbon could also be reduced by sputtering the substrate with 1ke V Ar+. The chemically etched substrate surface prior to growing the layer was rough, but it was made to be smooth and clean by heating it above 530 \ulcorner.

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국내 석유공장의 탈황 폐촉매로부터 유가금속의 회수에 관한 연구 (Recovery of Valuable Metals from the Desulfurizing Spent Catalyst Used in Domestic Petrochemical Industry)

  • 김종화;양종규
    • 자원리싸이클링
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    • 제4권3호
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    • pp.2-9
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    • 1995
  • 탈황 폐촉매 중에 함유되어 있는 Ni, V 및 Mo을 배소, 암모니아 침출 및 용매추출법을 이용하여 분리.회수하는 프로세스에 대하여 연구하였다. 폐촉매를 $400^{\circ}C$로 3시간 동안 배소한 후, 20mesh 이하로 분쇄하여, 고액비 50g/d㎥의 조건에서 100g/d㎥-(NH$_4$)$_2$CO$_3$를 침출제로 하여 $80^{\circ}C$에서 침출한 결과 Ni, V 및 Mo의 침출율은 각각 81.2%, 65%, 87.5%이었다. 이 침출액을 방냉하면 침출액 중의 74%의 V이 바나듐산 나트륨염의 형태로 침전되어 순도 95.7%의 V을 회수할 수 있었다. 1차 침출 후의 잔사에$ Na_2$$CO_3$를 가하여 $1000^{\circ}C$에서 재차 배소한 후, 온수에 침출하여 잔존된 Mo과 V을 95%이상 침출되었다. 1차 침출액 중의 Ni, V 및 Mo을 용매추출법으로 분리.정제하였다. 용액 중의 Ni는 MSP-8, V은 TOMAC을 추출제로 하여 추출.분리하고 Mo은 raffinate로 분리하였다. Batch 추출에 의하여 Ni은 95%, V은 98%가 유기상에 추출되었으며, 역추출액에 환원제를 첨가하여 순도 99%이상의 V을 회수하였다.

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PC/Monitor 구성 전자부품에서 방출되는 휘발성 유기화합물의 분석 (Analysis of Volatile Organic Compounds Emitted from Electronic Parts in PC/Monitor Set)

  • 이창섭;최정우;백규원
    • 대한화학회지
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    • 제44권4호
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    • pp.343-349
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    • 2000
  • PC/Monitor의 구성 전자부품으로부터 방출되는 휘발성 유기화합물(Volatile Organic Com-pounds,VOCs)를 분석하였다. Mpnitor를 구성하는 전자부품으로부터 연속으로 방출되는 VOCs의 경향을 시료챔버에 직접 연결되어있는 잔류가스 분석기(Residual Gas Analyzer,RG A)로 분석하였으며, 이들 전자부품에서 방출되는 VOCs의 성분을 RGA와 GC-MS로 분석하였다. 정성분석된 VOCs 중 소량으로 방출되거라도 불쾌한냄새와 건강상의 장해를 초래할 수 있는 toluene. xylene, cyclohexanone 및 benzofuran에 대하여 GC-MS로 정량분석하였다. 이러한 분석결과, 전자부품중 PCB(CEM-1)을제외하고 나머지 부품들은 가열시작 후 30분에서 1시간동안 toluene, xylene, cyclohexanone 및 phenol이 다량으로 연속 방출되는 경향을 나타내었으며, 거의 모든 전자부품에서 toluene, xylene, phenol, cyclohexanone 및 benzofuran 등의 물질들이측정시간 범위내에서 가장 빈번하게 방출되었다. 부품들 중 Trans가 가장 높은 VOCs의 방출농도를 보였으며, 전자부품으로부터 정량분석된 VOCs중에는 xylene의 방출농도가 550~2482 ${\mu}g/m^2$로 가장 크게 나타났다.

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KSTAR ICRF 방전세정 플라즈마의 특성분석

  • 김선호;왕선정;곽종구;홍석호
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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    • pp.295-295
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    • 2010
  • KSTAR(Korea Superconducting Tokamak Advanced Research) 토카막에 설치되어 있는 ICRF(Ion Cyclotron Range Frequency) 시스템을 이용한 방전세정을 2008년에 이어 2009 KSTAR 플라즈마 campaign 동안에도 시행하였다. ICRF 시스템을 이용한 방전세정인 ICWC(Ion Cyclotron Wall Cleaning)는 ITER와 DEMO 같은 초전도 자석을 이용하는 토카막에서 토카막 shot 중간에 자장을 낮추지 않고 바로 방전 세정을 할 수 있는 방법이다. 토카막에서 방전세정은 탄소나 산소 화합물과 같은 불순물을 제거하여 방사에 의한 플라즈마 냉각을 막고 토카막 초기 start-up시 진공 챔버 벽면으로부터 의도하지 않은 연료주입을 제거하는 역할을 한다. 본 연구에서는 ICWC 방전 세정 플라즈마의 밀도특성과 균일도를 간섭계와 $H_{\alpha}$ line 세기를 통해 관측하고 RGA를 통해서 C, $H_2O$, $O^2$ 불순물의 제거량을 파악하는 한편 토카막의 신뢰성 있는 start-up을 위해 요구되는 벽면에서 토카막 방전가스의 제거량을 HD양을 통해서 조사하였다. 플라즈마 선적분 밀도는 약 $1{\sim}3{\times}10^{17}#/m^2$로 측정되었는데 이는 보통 He을 이용한 방전세정 플라즈마의 밀도에 해당한다. 한편 $H_{\alpha}$ line의 세기를 통해 ICWC 방전 플라즈마의 균일도를 살펴본 결과 안테나 전류띠의 중간이 아닌 끝부분에서 $H_{\alpha}$의 세기가 큰 것으로 나타났는데 이는 ICWC 플라즈마가 Inductive 방전보다는 capacitive 방전에 의해 생성되는 것으로 추정된다. ICWC 방전에서 C, $H_2O$, $O_2$ 불순물의 제거율은 각각 약 $4.2{\times}10^{-5}\;mbar{\cdot}l/sec$, $1.4{\times}10^{-3}\;mbar{\cdot}l/sec$ 그리고 $1.72{\times}10^{-4}\;mbar{\cdot}l/sec$로 각각 나타났는데 ICWC shot이 진행될수록 이 양은 점점 줄어들었다. 대표적인 He/$H_2$, He ICWC 방전 shot인 2118, 2123 shot에서 벽면에서 $D_2$의 제거율은 각각 약 $0.12\;mbar{\cdot}l/sec$$3.9{\times}10^{-3}\;mbar{\cdot}l/sec$로 나타났다. 이는 수소의 첨가로 인해 HD의 형태로 $D_2$의 제거율이 증가되었기 때문이다. 한편 $H_2$의 첨가는 챔버 벽면에 흡착되는 $H_2$ 양을 또한 증가시키므로 차후에 $H_2$ 만을 제거하는 He ICWC를 수행해야 할 것이다.

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Adsorption of residual gases on carbon nanotubes and their field emission properties

  • Lee, Han-Sung;Jang, Eun-Soo;Goak, Jeung-Choon;Kim, Jin-Hee;Lee, Nae-Sung
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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    • pp.51-51
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    • 2008
  • Carbon nanotubes (CNTs) have long been reported as an ideal material due to their excellent electrical conductivity and chemical and mechanical stability as well as their high aspect ratios for field emission devices. CNT emitters made by screen printing the organic binder-based CNT paste may act as a source to release gases inside a vacuum panel. These residual gases may cause a catastrophic damage by electrical arcing or ion bombardment to the vacuum microelectronic devices and may change their physical or electrical properties by adsorbing on the CNT emitter surface. In this study, we analyzed the composition of residual gases inside the vacuum-sealed panel by residual gas analyzer (RGA), investigating the effects of individual gases of different kinds at several pressures on the field emission characteristics of CNT emitters. The residual gases included $H_2$, CO, $CO_2$, $N_2$, $CH_4$, $H_2O$, $C_2H_6$, and Ar. Effect of residual gases on the field emission was studied by observing the variation of the pulse voltages with the duty ratio of3.3% to keep the constant emission current of $28{\mu}A$. Each gas species was introduced to a vacuum chamber up to three different pressures ($5\times10^{-7}$, $5\times10^{-6}$, and $5\times10^{-5}$ torr) each for 1 h while electron emission was continued. The three different pressure regions were separated by keeping a high vacuum of $\sim10^{-8}$ torr for a 1 h. The emission was terminated 6 h after the third gas exposure was completed. Field emission characteristics under residual gases will be discussed in terms of their adsorption and desorption on the surface of CNTs and the resultant change of work function.

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