• 전자공학회논문지CI
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• 제47권2호
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• pp.48-53
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• 2010

RC(Remote Control)기술들은 CE(Consumer Electronics)들에게 사용자의 명령을 전달하고 편리하게 제어할 수 있도록 해주는 기술이다. 그러나 CE 기기의 성능 향상과 새로운 개념의 기기들이 개발됨에 따라 다양한 기기간 통신 필요성과 그러한 기기를 제어하기 위한 진보된 RC 기능에 대한 요구가 증대되고 있다. 그러나 기존의 대표적인 IR 기반의 RC 방식은 거리의 제약과 에너지 소모 등 많은 제약사항을 가지고 있다. 본 논문에서는 이러한 제약사항들을 해결하기 위해, 스마트폰 단말에 RF4CE 표준을 지원하는 R-URC(Smartphone based RF4CE Universal Remote Control Framework) URC 프레임워크를 제안한다. 제안된 URC 시스템은 CE 제어와 관한 RC 표준으로 09년 3월에 발표된 ZigBee RF4CE를 기반으로 설계되었으며, 제안한 시스템의 효율성 검증을 위해 기기들 간의 컨텐츠 공유 및 제어 기능을 실제 LED TV, NotePC, 그리고 스마트폰에 적용한 실험을 수행하였다.

• 한국통신학회논문지
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• 제35권6B호
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• pp.970-976
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• 2010

방송과 통신의 융합으로 시작된 미디어 플랫폼간의 융합은 이제 다양한 컨버전스 서비스를 창출하기 위한 S/W 생태계 구축을 시작으로 IT 및 비IT를 망라하여 전 업종으로 융 복합화를 앞당기고 있다. 이러한 컨버전스 환경의 대두와 함께 가정 및 산업용, 그리고 다양한 환경에서의 기기간 자동화 및 연결을 통한 새로운 부가 서비스를 창출하려는 RF4CE (Radio Frequency for Consumer Electronics) 기술이 대두되고 있으며, 본 논문에서는 기기간 효율적인 연결 및 제어를 위해 활용될 수 있는 ZigBee 표준화 기구의 RF4CE 기술에서의 향상된 키 교환 스킴에 대한 방안을 제시하였다. 제시된 방안은 기기간 상호 인증 및 두 단계의 Key Seed 분배 기법 등으로 구성되어 있으며, 본 논문에서는 제안 방안의 분석 및 실제 구현 및 실험을 통해 그 유용성을 검증하였다.

• 전기전자학회논문지
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• 제15권4호
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• pp.287-292
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• 2011

The RF4Control stack is used with microcontrollers and IEEE(R) 802.15.4 transceivers. This paper explains the setup and power consumption measurements for the transceiver based remote controller and target node. It is assumed the reader of this paper has knowledge about RF4CE. The current consumption measurements are made using the ZigBee Platform included with the RF4Control stack. he current consumption measurements are presented, and battery life time is calculated for an remote controller. Note that the results presented in this paper are intended as a guideline only. A variety of factors will influence the battery life calculation and final measurements and calculations should be performed on ZigBee RF4CE Certified Platform.

• 전기전자학회논문지
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• 제22권2호
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• pp.476-479
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• 2018

This paper proposes a method for reducing the amount of current consumption by the transceiver based remote control and the ZigBee RF4CE network layer step. We have studied how to improve power efficiency at short transition time through duty rate management. Also, comparing the measured current consumption before and after the improvement, we confirmed the correlation between the data transmission speed improvement and the current reduction.

• 한국세라믹학회지
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• 제37권10호
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• pp.1014-1020
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• 2000

RF 마크네트론 스퍼터법으로 Ce의 일부를 희토류 원소로 치환한 Ce$_{1-x}$RE$_{x}$O$_{2-y}$(0.1$\leq$x$\leq$0.4, RE=Y, Nd) 박막을 Si(111), $Al_2$O$_3$(1012) 기판 위에 1450~1$600^{\circ}C$로 소결한 target을 이용하여 성장시켰다. Ce$_{1-x}$RE$_{x}$O$_{2-y}$ 박막의 성장시 기판온도 및 증착시간 등을 변화시켜 성장시켰으며, 성장된 박막의 특성분석은 XRD, SEM, TEM으로 행하였다. 증착된 박막의 방향성 및 결정성장 거동은 증착온도 및 시간에 따라 차이를 보였다. Si(111) 기판 위에 증착된 Ce$_{1-x}$Y$_{x}$O$_{2-y}$(x=0.3) 박막의 경우, 80$0^{\circ}C$에 비해 7$50^{\circ}C$에서 증착 시간에 따른 (111) 우선배향성의 정도가 나은 결과를 보였으며, $Al_2$O$_3$(1012) 기판 위에 증착한 Ce$_{1-x}$Nd$_{x}$O$_{2-y}$(x=0.3) 박막 또는 (111) 우선배향성을 나타내었다.을 나타내었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제9권2호
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• pp.27-31
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• 2002

본 연구에서는 ICP 식각장비에서 700 W의 RF전력과 -200 vo1t의 dc 바이어스 전압 및 15 mTorr의 반응로 압력에서 $Ar/CF_2$ 혼합가스에 $C1_2$가스를 첨가하면서 $CeO_2$ 박막을 식각하였다 최대식각 속도는 10%의 $C1_2$ 가스를 첨가하였을 시에 250 $\AA$/min이었고, 이 조건에서 SBT에 대한 식각 선택비는 0.4이었다. XPS를 이용하여 식각된 $CeO_2$ 박막의 표면반응을 검토하였다. Ce 피크는 대부분 $CeO_2$또는 $Ce_2O_3$형태로 Ce-O 결합상태임을 관찰할 수 있었다. 대부분의 Cl 피크는 CeClx 또는 $Ce_x/O_yCl_z$ 형태로 Ce 원자와 결합하고 있었다

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제19권1호
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• pp.107-109
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• 1998

The $SnO_2$, Sn-doped $In_2O+3\; and \;Ce-doped\; TiO_2$ films have been prepared by RF sputtering method, and their opto-electrochemical properties were investigated in view of the applicability as counter electrodes in the electrochromic window system. These oxide films could reversibly intercalate $Li^+$ ions owing to the nanocrystalline texture, but remained colorless and transparent. The high transmittance of the lithiated films could be attributed to the prevalence of the $Sn^{4+}/Sn^{2+}\; and\; Ce^{4+}/Ce^{3+}$ redox couples having 5s and 6s character conduction bands, respectively. For the Ce-doped $TiO_2$ film, $(TiO_2)_{1-x}(CeO_2)_x$, an optimized electrochemical reversibility was found in the film with the composition of x = 0.1.

• Progress in Superconductivity
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• 제7권2호
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• pp.120-129
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• 2006

We comparatively studied the epitaxial growth conditions of $CeO_2$ and $Y_2O_3$ thin buffers on textured Ni tapes using rf magnetron sputtering and investigated the feasibility of getting a single mixture layer or sequential layers of $CeO_2$ and $Y_2O_3$ for more simplified buffer architecture. All the buffer layers were first deposited using the reducing gas of $Ar/4%H_2$ and subsequently the reactive gas mixture of Ar and $O_2$, The crystalline quality and biaxial alignment of the films were investigated using X-ray diffraction techniques (${\Theta}-2{\Theta},\;{\phi}\;and\;{\omega}\;scans$, pole figures). The $CeO_2$ single layer exhibited well developed (200) epitaxial growth at the condition of $10%\;O_2$ below an $450^{\circ}C$, but the epitaxial property was decreased with increasing the layer thickness. $Y_2O_3$ seldom showed optimum condition for (400) epitaxial growth. The sequential architecture of $CeO_2/Y_2O_3/CeO_2$ having good epitaxial property was achieved by sputtering at a temperature of $700^{\circ}C$ on the initial $CeO_2$ bottom layer sputtered at $400^{\circ}C$. Cracking of the sputtered buffer layers was seldom observed except the double layer structure of $CeO_2/Y_2O_3$.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 추계학술대회 논문집 Vol.18
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• pp.236-237
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• 2005

The structural properties of $(Bi,Ce)_4Ti_3O_{12}(BCT)$ thin films with post-annealing temperature were investigated. $(Bi,Ce)_4Ti_3O_{12}(BCT)$ thin films were deposited by RF sputtering method on Pt/Ti/$SiO_2$/Si substrates with optimum deposition condition. The $(Bi,Ce)_4Ti_3O_{12}(BCT)$ thin films was post-annealed at 600$^{\circ}C$, 650$^{\circ}C$, 700$^{\circ}C$, 750$^{\circ}C$, 800$^{\circ}C$ in furnace,respectively. Increasing the post-annealing temperature, the grain size, density and peak intensity of (117) and c-axis orientation were increased. The $(Bi,Ce)_4Ti_3O_{12}(BCT)$ thin films that annealed at 750$^{\circ}C$ exhibited well crystallized phase and had no vacancy and grain was uniform. but there are some secondary phases observed. At this time, the average thickness of $(Bi,Ce)_4Ti_3O_{12}(BCT)$ thin films was 2000 ${\AA}$.

• 한국항행학회논문지
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• 제16권5호
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• pp.766-772
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• 2012

본 논문에서는 RF4CE ZigBee 리모컨에 적용할 수 있는 광대역 모노폴 슬롯 안테나를 설계 하였다. 먼저 사용 주파수 대역인 2.45GHz에서 ${\lambda}/4$길이를 가지는 I형 노폴 슬롯안테나를 설계 하였고, 마이크로스트립 급전선과 슬롯을 둘러싸고 있는 접지면과의 비아를 통한 직접연결 방법을 사용하여 광대역의 특성을 얻을 수 있었다. 안테나 점유공간의 축소를 위해 슬롯의 형태를 L형과 T형으로 변경하였고, 그 결과 안테나 성능이 개선되어짐을 확인 할 수 있었다. 최종적인 안테나 구조인 T형 모노폴 슬롯안테나의 경우 VSWR<2 대역폭이 약 3.32GHz였으며, 전 대역에서 90%이상의 방사효율과 2.1dBi 이상의 이득을 얻을 수 있었다. 본 논문에서 설계되어진 3가지 구조의 방사패턴은 모두 슬롯이 개방된 방향으로 엔드파이어 방사특성을 가진다.