• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.208.2-208.2
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• 2015

최근 산화물 반도체에 대한 연구가 활발하게 이루어지고 있다. 비정질 산화물 반도체인 In-Ga-Zn-O(IGZO)는 기존의 비정질 실리콘에 비해 공정 단가가 낮으며 넓은 밴드 갭으로 인한 투명성을 가지고 있고, 저온 공정이 가능하여 다양한 기판에 적용이 가능하다. 반도체의 공정 과정에서 열처리는 소자의 특성 개선을 위해 필요하다. 일반적인 열처리 방법으로 furnace 열처리 방식이 주로 이용된다. 그러나 furnace 열처리는 시간이 오래 걸리며 일반적으로 고온에서 이루어지기 때문에 최근 연구되고 있는 유리나 플라스틱, 종이 기판을 이용한 소자의 경우 기판이 손상을 받는 단점이 있다. 이러한 단점들을 극복하기 위하여 저온 공정인 마이크로웨이브를 이용한 열처리 방식이 제안되었다. 마이크로웨이브 열처리 기술은 소자에 에너지를 직접적으로 전달하기 때문에 기존의 다른 열처리 방식들과 비교하여 에너지 전달 효율이 높다. 또한 짧은 공정 시간으로 공정 단가를 절감하고 대량생산이 가능한 장점을 가지고 있으며, 저온의 열처리로 기판의 손상이 없기 때문에 기판의 종류에 국한되지 않은 공정이 가능할 수 있을 것으로 기대된다. 따라서 본 연구에서는 마이크로웨이브 열처리가 소자의 전기적 특성 개선에 미치는 영향을 확인하였다. 제작된 IGZO 박막 트렌지스터는 p-type bulk silicon 위에 thermal SiO2 산화막이 100 nm 형성된 기판을 사용하였다. RCA 클리닝을 진행한 후 RF sputter를 사용하여 In-Ga-Zn-O (1:1:1) 을 70 nm 증착하였다. 이후에 Photo-lithography 공정을 통하여 active 영역을 형성하였고, 전기적 특성 평가가 용이한 junctionless 트랜지스터 구조로 제작하였다. 후속 열처리 방식으로 마이크로웨이브 열처리를 1000 W에서 2분간 실시하였다. 그리고 기존 열처리 방식과의 비교를 위해 furnace를 이용하여 N2 가스 분위기에서 $600^{\circ}C$의 온도로 30분 동안 열처리를 실시하였다. 그 결과, 마이크로웨이브 열처리를 한 소자의 경우 기존의 furnace 열처리 소자와 비교하여 우수한 전기적 특성을 나타내는 것을 확인하였다. 따라서 마이크로웨이브를 이용한 열처리 공정은 향후 저온 공정을 요구하는 소자 공정에 활용될 수 있을 것으로 기대된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.210.1-210.1
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• 2015

최근 산화물 반도체에 대한 연구가 활발하게 이루어지고 있다. 비정질 산화물 반도체인 In-Ga-Zn-O (IGZO)는 기존의 비정질 실리콘에 비해 공정 단가가 낮으며 넓은 밴드 갭으로 인한 투명성을 가지고 있고, 저온 공정이 가능하여 다양한 기판에 적용이 가능하다. 반도체의 공정 과정에서 열처리는 소자의 특성 개선을 위해 필요하다. 일반적인 열처리 방법으로 furnace 열처리 방식이 주로 이용된다. 그러나 furnace 열처리는 시간이 오래 걸리며 일반적으로 고온에서 이루어지기 때문에 최근 연구되고 있는 유리나 플라스틱, 종이 기판을 이용한 소자의 경우 기판이 손상을 받는 단점이 있다. 이러한 단점들을 극복하기 위하여 저온 공정인 마이크로웨이브를 이용한 열처리 방식이 제안되었다. 마이크로웨이브 열처리 기술은 소자에 에너지를 직접적으로 전달하기 때문에 기존의 다른 열처리 방식들과 비교하여 에너지 전달 효율이 높다. 또한 짧은 공정 시간으로 공정 단가를 절감하고 대량생산이 가능한 장점을 가지고 있으며, 저온의 열처리로 기판의 손상이 없기 때문에 기판의 종류에 국한되지 않은 공정이 가능할 수 있을 것으로 기대된다. 따라서 본 연구에서는 마이크로웨이브 열처리가 소자의 전기적 특성 개선에 미치는 영향을 확인하였다. 제작된 IGZO 박막트렌지스터는 p-type bulk silicon 위에 thermal SiO2 산화막이 100 nm 형성된 기판을 사용하였다. RCA 클리닝을 진행한 후 RF sputter를 사용하여 In-Ga-Zn-O (1:1:1)을 70 nm 증착하였다. 이후에 Photo-lithography 공정을 통하여 active 영역을 형성하였고, 전기적 특성 평가가 용이한 junctionless 트랜지스터 구조로 제작하였다. 후속 열처리 방식으로 마이크로웨이브 열처리를 1000 W에서 2분간 실시하였다. 그리고 기존 열처리 방식과의 비교를 위해 furnace를 이용하여 N2 가스 분위기에서 $600^{\circ}C$의 온도로 30분 동안 열처리를 실시하였다. 그 결과, 마이크로웨이브 열처리를 한 소자의 경우 기존의 furnace 열처리 소자와 비교하여 우수한 전기적 특성을 나타내는 것을 확인하였다. 따라서, 마이크로웨이브를 이용한 열처리 공정은 향후 저온 공정을 요구하는 소자 공정에 활용될 수 있을 것으로 기대된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.134-134
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• 2009

In this work, we report that crystallization speed as well as the electrical and optical properties about the N-doped $Ge_2Sb_2Te_5$ thin films. The 200-nm-thick N-doped $Ge_2Sb_2Te_5$ thin film was deposited on p-type (100) Si and glass substrate by RF reactive sputtering at room temperature. The amorphous-to-crystalline phase transformation of N-doped $Ge_2Sb_2Te_5$ thin films investigated by X-ray diffraction (XRD). Changes in the optical transmittance of as-deposited and annealed films were measured using a UV-VIS-IR spectrophotometer and four-point probe was used to measure the sheet resistance of N-doped $Ge_2Sb_2Te_5$ thin films annealed at different temperature. In addition, the surface morphology and roughness of the films were observed by Atomic Force Microscope (AFM). The crystalline speed of amorphous N-doped $Ge_2Sb_2Te_5$ films were measured by using nano-pulse scanner with 658 nm laser diode (power : 1~17 mW, pulse duration: 10~460 ns). It was found that the crystalline speed of thin films are decreased by adding N and the crystalline temperature is higher. This means that N-dopant in $Ge_2Sb_2Te_5$ thin film plays a role to suppress amorphous-to-crystalline phase transformation.

• 한국미생물·생명공학회지
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• 제18권5호
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• pp.496-500
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• 1990

Pepsin(8mg/ml)에 의한 0.02 casein의 효소적 가수분해반응에 저해물질의 저해활성은 저해물질농도 20Mu/gml까지는 비례관계였으며,$IC_{50}$ 은 15${\mu}g$/ml였다. 저해물질의 pH 안정성은 pH5-9 범위내에서 $100^{\circ}C$, 10분 가열하였을 때 안정하였고, 열안정성은 pH7.0, $100^{\circ}C$에 20분까지는 100 저해활성이 나타나 비교적 안정하였다. 효소-저해물질 복합체는 형성되었으며 Lineveaver-Burk plot상에서 비경쟁적 저해양식이었다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제15권1호
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• pp.41-47
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• 2015

In this paper, the effective electron Schottky barrier height (${\Phi}_{Bn}$) of the Ni silicide/n-silicon (100) interface was studied in accordance with different thicknesses of the antimony (Sb) interlayer for high performance n-channel MOSFETs. The Sb interlayers, varying its thickness from 2 nm to 10 nm, were deposited by radio frequency (RF) sputtering on lightly doped n-type Si (100), followed by the in situ deposition of Ni/TiN (15/10 nm). It is found that the sample with a thicker Sb interlayer shows stronger ohmic characteristics than the control sample without the Sb interlayer. These results show that the effective ${\Phi}_{Bn}$ is considerably lowered by the influence of the Sb interlayer. However, the current level difference between Schottky diodes fabricated with Sb/Ni/TiN (8/15/10 nm) and Sb/Ni/TiN (10/15/10 nm) structures is almost same. Therefore, considering the process time and cost, it can be said that the optimal thickness of the Sb interlayer is 8 nm. The effective ${\Phi}_{Bn}$ of 0.076 eV was achieved for the Schottky diode with Sb/Ni/TiN (8/15/10 nm) structure. Therefore, this technology is suitable for high performance n-channel MOSFETs.

• 대한기계학회논문집A
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• 제26권2호
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• pp.260-266
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• 2002

DLC films were deposited on Si wafer by RF plasma assisted CVD using CH4 gas. Tribological tests were conducted using rotating type ball on disk friction tester in dry air. Four kinds of mating balls were used. The mating balls were made with stainless steel but apply different annealing conditions to achieve different hardness conditions. Testing results in all load conditions showed that the harder the mating materials, the lower the friction coefficient among the three kind of martensite mating balls. In case of austenite balls, the friction coefficients were lower than fully annealed martensite ball. The high friction coefficient in soft martensite balls seems to be caused by the larger contact area between DLC film and ball. The wear tracks of DLC films and mating balls could have proven that effect. Measuring the wear track of both DLC films and mating balls have similar tendency comparing to the results of friction coefficients. Wear rate of austenite balls were also smaller than that of fully annealed martensite ball. The results of effect of applying load showed, the friction coefficients were become decrease when the applying loads exceed critical load conditions. The wear track of mating balls showed that some material transfer occurs from DLC film to mating ball during the high friction process. Raman spectra analysis showed that transferred material was a kind of graphite and contact surface of DLC film seems to undergo phase transition from carbon to graphite during the high friction process.

• 센서학회지
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• 제9권3호
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• pp.171-176
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• 2000

반응성 스퍼터링과 고주파 마그네트론 스퍼터링으로 각각 증착된 MgO 박막과 그 위에 증착된 백금박막의 열처리 온도 및 시간에 따른 물리적, 전기적 특성을 4침 탐침기, 주사전자현미경 및 X선 회절법을 이용하여 분석하였다. $1000^{\circ}C$, 2시간의 열처리 조건하에서 MgO 박막은 백금박막과 화학적 반응없이 백금박막의 열산화막에 대한 부착특성을 개선시켰으며, 그 위에 증착된 백금박막의 면저항 및 비저항은 각각 $0.1288\;{\Omega}/{\square}$, $12.88\;{\mu}{\Omega}{\cdot}cm$이었다. Lift-off 방법을 이용하여 $SiO_2$/Si기판상에 백금 저항체를 만들었으며, 백금 와이어, 백금 페이스트 그리고 SOG를 이용하여 마이크로 열 센서용 박막형 Pt-RTD를 제작하였다. $25{\sim}400^{\circ}C$의 온도범위에서 $1.0{\mu}m$의 두께를 갖는 제작된 Pt-RTD의 저항온도계수는 벌크 백금에 가까운 $3927ppm/^{\circ}C$로 측정되었다. 측정온도범위내에서 저항값은 선형적인 변화를 보였다.

• 한국대기환경학회지
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• 제28권3호
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• pp.306-315
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• 2012

In this study, storage stability of reduced sulfur compounds ($H_2S$, $CH_3SH$, DMS, $CS_2$, and DMDS) and $SO_2$ in sampling bags was investigated in terms of two contrasting storage approaches between forward (F) and reverse (R) direction. The samples for the F method were prepared at the same time and analyzed sequentially through time. In contrast, those of reverse (R) method were prepared sequentially in advance and analyzed all at once upon the preparation of the last sample. In addition, relative performance between two different bag materials (PVF and PEA) was also assessed by using 100 ppb standard. The response factors (RF) of gaseous RSC samples were determined by gas chromatography/pulsed flame photometric detector (GC/PFPD) combined with air server (AS)/thermal desorber (TD) system at storage intervals of 0, 1, and 3 days. There is no statistical difference in all RSCs between two storage methods. However, the results of relative recovery indicated 2.58~12.8% differences in compound type between the two storage methods. Moreover, loss rates and storage stability of $H_2S$ and $SO_2$ were considerably affected by bag materials than any other variables. Therefore, some considerations about storage methods (or bag material types) for sulfur compounds are needed if stored by sampling bag method.

• 한국식품과학회지
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• 제10권2호
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• pp.194-202
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• 1978

In order to evaluate the utility of the anthocyanin pigments in Ganges Amaranth as an edible pigment, this study was designed to isolate and identify the anthocyanins. The anthocyanins present in leaves of Ganges Amaranth were extracted with 0.1% HCl in methanol. The extracted pigments were purified by organic solvent treatment and Amberlite CG-400 Type cation exchanger, and then separated into individual pigments by paper chromatography with n-butanol-formic acid-water(100:25:60, v/v) as a solvent system. The separated pigments were identified by their Rf values, sugar moieties, complete hydrolysis and spectral characteristics in the visible and ultraviolet regions. The amounts of individual anthocyanins were also determined. The results obtained from these experiments were as follows. 1. Chromatograms of the Ganges Amaranth extract developed with BFW yielded three anthocyanin bands. The two of the anothocyanin bands were tentatively identified as malvidin-3-glucoside(acylated with caffeic acid) in band 1 and peonidin-3-glucoside (acylated with caffeic acid) in band 2. But the anthocyanin in band 3 was not identified due to extremly low concentration. 2. The amount of total anthocyanins was 101.57 mg/100g fresh weight of leaves in which 82.15 mg of malvidin-3-glucoside (acylated with caffeic acid) and 27.20 mg of peonidin-3-glucoside(acylated with caffeic acid) were contained per 100g fresh weight. Maividin-3-glucoside acylated with the acid was, therefore, the most abundant pigment in the Ganges Amaranth.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제18권7호
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• pp.325-330
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• 2017

블루투스 4.0은 다양한 기기간의 통신에 활용되어 사물 인터넷에 적합한 기술이다. 자동차와 접목하여 서비스를 창출에 적합하다. 본 논문에서는 사물 인터넷 서비스의 구현 사례로, 블루투스 4.0 기술과 차량용 시스템을 연계하여 보안인증 체계를 설계한다. 보안 인증을 위한 절차를 설계하고, 데이터 서버를 활용한 인증 방법을 제안한다. 보안 인증 기능을 제공시, 위험 알림, 사용자 행동 이력에 대한 정보 수집 기능을 활용하여 다양한 부가 서비스를 창출할 수 있다. 또한 블루투스 기술과 기술의 표준화 및 발전 과정에서 소비전력을 낮춘 저전력 상에서 통신이 가능하고 접근성을 높인 무선통신 기술인 BLE(Bluetooth Low Energy) 기술을 접목하여 RFID 또는 NFC 방식을 활용하여 배터리 수명을 개선하고 인식 가능한 범위를 확장하였다. 비접촉식으로 인증 가능한 범위를 확장되어 보안 서비스를 확대할 수 있다. 본 논문에서 제안한 시스템을 활용하면 기존 무선 주파수(Radio Frequency) 기반 시스템의 문제점과 휴대성 및 배터리 사용 문제를 극복하면서, 맞춤형 서비스를 제공할 수 있다.