• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.13 no.4
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• pp.150-156
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• 2004

Boron nitride thin films were deposited on Si(100) substrate by RF (Radio-frequency) UBM (Unbalanced Magnetron) sputtering system. The effect of working pressure and substrate bias voltage on microstructure and compressive stress of boron nitride thin films has been investigated. In high working pressure, the alignment of hBN laminates increased with substrate bias voltage, in low working pressure, however, it was high in low substrate bias voltage. Compressive stress evolution and surface morphology of deposited BN films are closely related with the alignment of hBN laminates. The cBN phase without high compressive stress could be nucleated on hBN thin film by controlling the alignment of hBN laminates.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.29 no.5
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• pp.294-297
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• 2016

Titanium oxide ($TiO_2$) thin films were fabricated by unbalanced magnetron (UBM) sputtering. The fabricated $TiO_2$ films were treated by oxygen plasma under various RF powers. We investigated the characteristics of oxygen plasma treatment on the surface, structural, and physical properties of $TiO_2$ films prepared at various plasma treatment RF powers. UBM sputtered $TiO_2$ films exhibited higher contact angle value, smooth surface, and amorphous structure. However, the rms surface roughness $TiO_2$ films were rough, and the contact angle value was decreased with the increase of the plasma treatment RF power Also, the hardness value of $TiO_2$ film as physical properties was slightly increased with the increase of the plasma treatment RF power. In the results, the performance of $TiO_2$ films for self cleaning critically depended on the with the plasma treatment RF power.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.44-44
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• 2011

현존하는 초경도 박막물질 중 입방정 질화붕소(cBN)은 철계 금속과의 반응안정성 및 낮은 온도에서의 합성가능성 등 많은 장점을 가지고 있다. 그러나 필수로 수반되는 이온충돌 효과로 인해 박막 내 높은 잔류응력으로 인한 박리 현상으로 응용이 어려운 실정에 있다. 현재까지 이를 개선하기 위해 수소를 첨가하여 박막의 잔류응력을 줄이는 연구, B4C 타겟을 이용하여 B-C-N 의 gradient layer를 설계하여 점진적으로 잔류응력을 감소시키는 연구 등 많은 연구들이 진행되고 있다. 본 연구에서는 MOCVD로 만들어진 NCD(Nano Crystalline Diamond) buffer layer 위에 RF-UBM(unbalanced magnetron) PVD를 이용하여 BN을 증착시켰다. hBN 타겟을 이용하여 2mTorr에서 400W 의 RF 파워를 사용하여 기판에 RF bias를 인가해 실험하였다. cBN 박막과 기판의 lattice mismatch 를 줄이기 위해서 본 연구소에서 제공되는 NCD 기판을 사용하였으며, 다이아몬드 기판과 cBN 박막의 1:1 에피성장을 이루기 위해 상온에서부터 800도까지 온도 변화를 주어 cBN을 증착시켰다. FTIR(Fourier transform infrared spectroscopy)로 $sp^2$구조인 hBN과 $sp^3$구조인 cBN의 성장유무를 확인하였으며, FTIR peak intensity 차이로 박막내 cBN의 함량을 계산하였고, Scratch test로 박막과 기판사이의 밀착력을 상대적으로 비교하였으며, 격자의 에픽성장을 확인하기 위해 FIB 의 작업을 거쳐 HRTEM 으로 각 위치별로 SAD pattern를 이용하여 성장거동을 확인하였다.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 2006.06a
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• pp.599-600
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• 2006

본 연구는 솔더의 리프로우 현상으로부터 제안되었다. 솔더는 원형 흡착 층 위에서 녹게 되면 단위 면적당 표면 에너지를 최소화 하려는 특성 때문에 구형이 되는데, 이는 자기정렬 기구의 핵심이기도 하다. 본 연구에서 제안되는 새로운 설계가 기존의 설계와 가장 큰 차이점은 그림 1에서 처럼 솔더의 리프로우에 의해 측면 접합을 한다는 것이다. 대부분의 기존 실장 기술은 접합 면과 피 접합 면이 서로 마주보고 있으며 서로 맞닿아야만 접합이 이루어 지는 "intimate contact" 원리인 반면, 본 연구에서 제안된 개념은 접합 면과 피 접합 면이 쏠더에 의해 끼워진 상태에서 측면 접합되는 원리이 기 때문에 접합 면끼리 서로 인접하지 않아도 접 합은 자연적으로 완성되어 접합면의 표면상태에 충분히 둔감하다는 장점을 가질 수 있다. 그림 1의 (b)는 개념도 (a)를 구현하기 위한 제작 공정을 보여준다. 버섯 모양의 구조물을 형성하는 공정과 측벽에 UBM을 선택적으로 형성하는 공정이 핵심 공정이며 이외의 접합 공정은 기존의 방법과 달리 매우 간단하게 완성시킬 수 있다. 본 논문에서는 기본적으로 제안된 방법으로 구현되는 실장결과와 그 기본적인 기계적 강도, 기밀 특성을 살펴 보았다. 그리고 RF 소자의 실장에 있어서 제안된 방법에 의한 전기적 연결의 기초 결과에 대해서 논의한다.