• Title/Summary/Keyword: RF 특성

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RF Glow Discharge and TiN Thin Film Characteristics in a Plane Electrode System (평판형 전극계의 RF 글로우 방전특성 및 TiN 박막특성)

  • Kwak, D.J.;Kim, D.H.;Kim, H.J.;Park, C.H.
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 1996.07c
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    • pp.1838-1840
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    • 1996
  • In order to study the relationship between the physical properties of glow discharge plasma and the physical behavior of TiN thin film, electrical characteristics of RF discharge plasma driven at 13.56MHz in a parallel-plate electrode system were measured. Plasma parameters, such as electron density and temperature, are also studied since they may be considered as one of the very important factors deciding the physical properties of TiN thin film under given conditions of applied biasd voltage and pressure. The TiN thin film were fabricated over a wide range of discharge conditions, and some of the general relationships between the measured plasma parameters and the properties of TiN thin film were discussed.

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Developments of High Quality TCO Films

  • Lee, Geon-Hwan
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2010.08a
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    • pp.8-8
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    • 2010
  • 본 발표에서는 OLED, LCD, E-ink 등에 적용되는 고품질 전도성 투명 산화막의 구조, 전기적 성질, 광학적 성질, 표면 거칠기 등에 미치는 공정 변수의 영향을 유연 기판 적용 사례를 들어서 설명한다. 특히 RF superimposed dc sputtering 방법으로 성장시킨 TCO의 특성이 현재 알려진 어떤 방법보다도 우수한 특성들과 유연 기판에 필수적인 내절성을 갖는 결과를 보여주고 있음에 주목하고 그 원리 및 대형화 가능성에 대해서 언급한다. 증착된 박막의 투습성 평가에서 측정 장비의 한계치 이하를 달성하였고 플라즈마를 이용한 중간 처리 과정의 효과로 PC, PET 등의 필름 기판에서도 우수한 성질을 갖는 박막의 성공적인 증착이 이루어 졌음을 설명한다. 여기에는 적절한 산소 분압의 유지가 관건이며 이미 재료연구소에서는 대형 타겟 시스템에 대해서 안정된 공정을 운영하고 있다. RF superimposed dc power의 특징은 타겟에서 반사되는 고속 중성 입자의 유속을 적절하게 제어할 수 있다는 점으로 판단되며 이는 주로 산소 원자와 산소 음이온의 에너지가 높다는 점에 주목할 필요가 있다. Carcia등의 보고에 따르면 산소 음이온의 경우에는 110 eV가 넘는 운동 에너지를 가지고 성장 중인 박막에 입사하여 결함을 생성한다고 한다. 이들 고속 입자들의 에너지를 낮추고 그 수를 감소시킬 수 있는 방법 중의 하나가 RF superimposed dc라고 판단된다.

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Characterization of $RuO_2$ Thin Films Deposited by Rf Magnetron Reactive Sputtering (Rf 마그네트론 반응성 스퍼터링법에 의해 증착된 $RuO_2$ 박막의 특성분석)

  • Jo, Ho-Jin;Hong, Seok-Gyeong;Jo, Hae-Seok;Yang, Hong-Geun;Kim, Hyeong-Jun
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.5 no.5
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    • pp.544-551
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    • 1995
  • Rf 마그네트론 반응성 스퍼터링법을 이용하여 Si, SiO$_{2}$/Si 가판의에 전도성 RuO$_{2}$ 박막을 증착하고, 공정변수가 증착되는 박막의 특성에 미치는 영향을 고찰하였다. 대부분의증착조건에서 주상정 구조의 단일상 RuO$_{2}$ 박막이 증착되었으며, 부착원자들의 표면이동도가 낮은 영역에서는 (101) 우선배향성이 관찰되었고, 높은 영역에서는 (200) 우선배향성이 관찰되었다. 증착조건에 따른 박막의 우선배향성 변화는 박막의 결정구조와연관지어 논의되었다. 기판온도 35$0^{\circ}C$에서 증착된 박막은 치밀하고 표면이 평탄하며, 비저항이 90㏁-cm 정도로 낮아서 고유전율 박막의 전극물질로 이용하기에 적합하였다. 45$0^{\circ}C$ 이상의 기판온도에서 증착된 박막은 46㏁-cm 정도로 매우 낮은 비저항을 갖니만 표면이 거칠었다.

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Study on In-doped ZnO films deposited by RF magnetron sputtering (RF 스퍼터링을 이용하여 증착한 In-doped ZnO 박막에 관한 연구)

  • Park, Se-Hun;Park, Sang-Eun;Song, Pung-Geun
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2008.11a
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    • pp.92-92
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    • 2008
  • ZIO(Indium-doped Zinc Oxide) 박막은 고밀도, 고순도 ZIO($In_2O_3$ : 3.33, 6.50, 9.54, 12.44, 15.22 wt%) 타겟 5개를 이용하여 RF 마그네트론법으로 기판온도 RT에서 non-alkali 유리 기판위에 증착하였다. 스퍼터 가스로서는 Ar 가스를 사용하였다. $In_2O_3$ 9.54 wt%인 타겟을 이용하여 RT에서 증착한 박막이 가장 낮은 비저항 $9.13{\times}10^{-4}{\Omega}cm$를 나타내었다. ZIO 박막의 전기적 특성은 Hall 효과 측정장비, 박막의 결정구조는 X-선 회절(XRD), 광학적 특성은 UV 측정장비를 사용하여 측정하였다.

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RF Measurements of the 2nd fabricated KAERI Dual Energy S-band Linac

  • Song, Gi-Baek;Park, Hyeong-Dal;Li, Yonggui;Cha, Seong-Su;Lee, Byeong-No;Kim, Yu-Jong;Lee, Byeong-Cheol
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.08a
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    • pp.111.1-111.1
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    • 2013
  • 전자가속기는 대표적인 방사선 발생장치 중의 하나로서, 오랜 세월 동안 연구개발 되어왔으며 의료 및 산업현장에서 활용되어 왔고 그 이용분야도 매우 폭넓다. 전자가속기는 최근 들어 기술이 확산되고 성능이 고도화되면서 그 활용과 함께 전자가속기 개발 및 연구가 많이 진행되고 있다. 이러한 연구개발에 있어 전자가속기의 가속관 제작은 가장 기본이 되는 중요한 부분 중에 하나이다. 가속관제작에 있어서 RF parameter들인 resonance frequency, bandwidth, 10 GHz 범위의 higher order modes와 quality factor는 가속관에서 중요한 특성이다. 본 연구에서는 9, 6 MeV 에너지를 가지는 2856 MHz의 고주파 전자가속기의 가속관 설계, 제작 및 튜닝에 있어서 network analyzer를 이용하여 RF parameter를 측정하여 가속관의 특성을 분석한다.

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Effect of annealing on the electrical and optical properties of ZTO/GZO double-layered TCO films deposited by DC, RF magnetron co-sputtering (DC, RF 마그네트론 코스퍼터링법으로 증착한 ZTO/GZO 투명전도성막의 열처리 조건이 박막의 물성에 미치는 영향)

  • Kim, Min-Je;Song, Pung-Geun
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2012.05a
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    • pp.207-208
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    • 2012
  • GZO( Ga-doped ZnO) 및 ZTO (zinc tin Oxide) 박막을 DC, RF magnetron sputtering 공정을 이용하여 증착한 후, 대기 및 진공상태에서 200, $300^{\circ}C$ 조건으로 30분 동안 열처리하였다. ZTO/GZO 박막의 전기적 특성은 ZTO 층과 GZO 층의 두께 비에 의존함을 확인 할 수 있었다. 본 연구에서는 GZO단일 박막과 ZTO/GZO double layer 박막의 열처리 온도에 따른 구조적, 전기적, 광학적 특성을 비교검토 하였다.

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Characterization of Nano-Grained ZnO Piezoelectric Thin Films Deposited under Various Sputtering Conditions

  • Zhang, Ruirui;Lee, Eunju;Yoon, Giwan
    • Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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    • 2009.10a
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    • pp.428-430
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    • 2009
  • C-axis-oriented ZnO thin films were successfully deposited on p-Si (100) in an RF magnetron sputtering system. Deposition conditions such as deposition power, working pressure, and oxygen gas ratio were varied. Crystalline structures of the deposited ZnO films were investigated by a scanning electron microscope (SEM) technique. Results show that the deposition parameters can have a strong impact on the preferred orientations and grain sizes of the deposited ZnO films.

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비정질 산화물 반도체 IGZO 박막의 특성 연구

  • Jang, Yajuin;Kim, Hong-Bae
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2012.08a
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    • pp.287-287
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    • 2012
  • 최근 투명 산화물 반도체(TOS: Transparent Oxide Semiconductor)중에 비정질 산화물 반도체(amorphous oxide semiconductor)를 이용한 트랜지스터 연구가 활발히 진행되고 있다. 비정질 산화물 반도체는 박막 트렌지스터 소자의 Active Layer으로 사용할 수 있다. 본 연구는 RF magnetron sputtering법으로 유리기판 위에 IGZO박막을 증착하였다. 박막 증착 조건은 초기 압력 $3.0{\times}10^{-6}$ Torr, 증착 압력 20 mTorr, 반응가스 Ar 50 sccm, RF power 30w, 증착 온도는 실온으로 고정하였으며, 공정변수로 증착 시간을 변화시키며 IGZO박막을 증착하였다. IGZO 타겟은 $In_2O_3$, $Ga_2O_3$, ZnO 분말을 각각 1:1:1 mol% 조성비로 혼합하여 소결한 타겟을 사용하였다. XRD 분석결과에 따라서 Bragg's 법칙을 만족하는 피크가 나타나지 않는 비정질 구조임을 확인할 수 있었다. 가시광 영역에서(450~700 nm) 모든 박막은 90% 이상 투과도를 나타내었다. 증착시간이 증가할수록 밴드갭이 감소하는 것을 확인하였다. 증착시간이 5분인 경우 캐리어 농도는 $2.2{\times}10^{19}$ $cm^{-3}$, 이동도는 7.5 $cm^2/V-s$, 비저항은 $3.8{\times}10^{-2}{\Omega}$-cm의 반도체 특성을 나타냈고, 박막 트렌지스터 소자의 Active Layer으로 사용할 수 있다.

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Design and Fabrication of S-band Ultra High Power Transistorized Amplifier (마이크로파대 고출력 트란지스터 증폭기의 설계와 시작)

  • 심재철;김종련
    • Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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    • v.14 no.5
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    • pp.7-14
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    • 1977
  • Conventionally, a TIVT has been used for high power amplification in the microwave frequency range. However, an ultra-high-power amplifier in the 2GHz range has successfully been designed and fabricated employing high power transistors developed recently and available commercially. In the design of the amplifier, a balanced-pair configuration is adopted in order to obtain very high microwave power, and a good impedance matching is achieved by making use of microstripline techniques. For the RF power divider as well as combiner, an approach of stripline directional coupler isadopted because of its easiness in fabrication. The coupler so designed and fabricated indicates a satisfactory performance as a quadrature hybrie coupler. Measurements on the amplifier developed for an immediate commercial application also exhibit excellent overall performance characteristics RF power output, 14 watts, gain 14dB, frequency bandwidth, 160MHz, effciency 40%.

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SIP based Tunable BPF for UHF TV Broadcasting (UHF대역 TV방송을 위한 가변형 대역통과필터)

  • Lee, Tae-C.;Park, Jae-Y.
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2008.07a
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    • pp.1925-1926
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    • 2008
  • 본 논문에서는 UHF TV방송 전 대역 Ch.14(473MHz)$\sim$Ch.69(803MHz)까지의 모든 채널에서 동작하는 유도결합구조의 RF동조회로를 설계하였다. 기존 자기결합구조의 RF동조회로는 PCB 양면을 사용하여야 하고 수작업으로 Air Coil 간격을 조절해야만 한다. 부품의 집적화와 양산 효율성 측면에서 자기결합구조의 단점을 해결할 수 있도록 하기 위해 본 논문에서 제안한 유도결합구조는 수동부품인 칩인덕터와 칩커패시터 및 가변용량 다이오드만을 사용하여 RF동조회로를 설계하였다. 칩인덕터는 Air Coil에 비해 낮은 소자 Q값을 가진다. 상대적으로 낮은 Q값을 갖는 칩인덕터를 사용하기 때문에 이를 보완하기 위해 Peaking용 칩인덕터를 설계 디자인에 적용하였다. 가변형 대역통과필터로 동작하기 위해 자기결합구조와 동일하게 가변용량 다이오드를 이용하였다. UHF TV방송 전 대역(470$\sim$806MHz)에서 -2.88 $\sim$ -3.97dB의 삽입손실 특성 및 -8dB 이상의 반사손실 특성과 330MHz의 중심주파수 변화 범위를 갖는다. 현재 상용중인 지상파 튜너에 적용되고 있는 자기결합구조의 RF동조회로를 대치하여 적용될 수 있을 것이다.

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