• Title/Summary/Keyword: RF 특성

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Studies on reactive ion etching of GaN using BCl$_{3}$ (BCl$_{3}$를 이용한 GaN계 질화합물 반도체의 RIE에 관한연구)

  • 윤관기;최용석;이일형;유순재;이진구;김송강
    • Proceedings of the IEEK Conference
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    • 1998.06a
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    • pp.409-412
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    • 1998
  • BCl/sub 3/ 및 Cl/sub 2/ 반응가스를 사용하여 RIE 장치로 GaN의 건식식각을 연구하였다. RF 전력, 반응가스의 유량 및 반응가스의 혼합비 등의 변화에 따른 최적의 식각공정 조건 및 결합특성을 연구하였다. RF 전력에 따른 GaN의 식각율은 챔버압력 25mTorr, BCl/sub 3/ 유량 40 sccm의 조건에서 RF 전력이 100W일때 17nm/min을 얻었다. BCl/sub 3/의 유량에 따른 식각율은 RF 전력 100W 챔버압력 20mTorr, Cl/sub 2/ 유량 5sccm의 조건에서 BCl/sub 3/ 유량이 40 sccm일때 65nm/min을 얻었다. Cl/sub 2//BCl/sub 3/ 혼합가스 비율에 따른 식각율은 Cl/sub 2/ 유량을 5sccm으로 고정하고 BCl/sub 3/ 유량을 변화시켰을때 RF 전력 100W 및 챔버압력 20mTorr의 조건에서 혼합비가 0.25일때 50nm/min을 얻었다. RF 전력에 따른 PR의 식각율은 챔버압력 25mTorr, Cl/sub 2/ 유량 0 sccm 및 BCl/sub 3/ 유량 40 sccm의 조건에서 RF 전려이 100W일때 15nm/min을 얻었다. 또한, 챔버압력 20mTorr, Cl/sub 2/ 유량 5 sccm 및 BCl/sub 3/ 유량 20sccm의 조건에서 RF 전력이 100W 일때 82nm/min을 얻었다.

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Study on the Extraction of Characteristics of LTCC RF Components (LTCC RF 소자 특성 추출에 관한 연구)

  • 유찬세;이우성;강남기;박종철
    • Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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    • v.9 no.2
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    • pp.45-48
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    • 2002
  • LTCC system has many kinds of advantages, like low loss, low cost of process, stability of process etc. But it is so hard to adjust the characteristics of passives in ceramic module after fabrication. So the exact prediction of behavior of components in high frequency region upper than GHz must be made. In this procedure, the exact measurement is need. In this study, many kinds of measurement Jigs are compared and optimized, and measurement methods of each parameter are designed.

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The Effect of Pd Deposition Condition on the Hydrogen Sensing Performance of Pd Gate MOS Sensor (Pd게이트 MOS센서의 수소검지특성에 Pd 증착조건이 미치는 영향)

  • Ha, Jeong-Gyun;Park, Jong-Uk
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.7 no.8
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    • pp.640-645
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    • 1997
  • Pd게이트 MOS센서의 수소검지특성에 Pd 박막의 증착조건이 미치는 영향에 대해서 조사였다. rf power의 증가와 증착온도의 증가는 모두 센서의 감도와 초기반응속도를 감소시켰으며 rf power의 변화보다는 증착온도의 변화에 의한 효과가 현저하였다. 절연막을 Si$_{x}$N$_{y}$ /SiO$_{2}$로 대신한 결과 SiO$_{2}$에서돠는 달리 시간이 지남에 따라 평탄대역전압이 여러 단계로 변화하는 양상을 보였다. rf power, 증착온도, 기판의 변화가 MOS 센서의 감도나 초기반응속도등의 센서특성에 영향을 미친다는 사실을 확인할 수 있었다.

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A Method for Reduction of Spurious Signal in Digital RF Memory (디지털 고주파 기억 장치에서의 스퓨리어스 신호 저감 방법)

  • Kang, Jong-Jin
    • The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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    • v.22 no.7
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    • pp.669-674
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    • 2011
  • In this paper, a method for reduction of spurious signal in Digital RF Memory(DRFM) is proposed. Spurious response is a major performance issue of DRFM. This method is based on mixing a random phase LO signal into input IF signal and sampling it. The random phase LO signal is generated by high speed phase shifting characteristic of Direct Digital Synthesizer(DDS). Through this technique, we achieved an enhancement of 5~10 dB of spurious response.

Effect of Ar Flow Ratio on the Characteristics of Al-Doped ZnO Grown by RF Magnetron Sputtering (마그네트론 스퍼터를 이용한 Ar 가스 유량 조절에 따른 AZO의 특성 변화)

  • Lee, Seung-Jin;Jeong, Young-Jin;Son, Chang-Sik
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 2011.11a
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    • pp.61.2-61.2
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    • 2011
  • 본 연구에서는 박막 태양전지용 투명전극으로 사용하기 위해서 Gun-type RF 마그네트론 스퍼트링을 이용하였다. 챔퍼안의 타겟은 AZO타겟(Zn: 98[wt.%], Al:2[wt.%]을 장착하였고 공정압력은 고진공을 유지하였다. 온도는 $300^{\circ}C$로 고정하였고 전력은 70W로 고정하였다. $Ar^+$ 가스유량비를 20sccm~100sccm으로 변화를 주어 기판 위에 AZO를 증착하여 AZO의 구조적 및 광학적 특성의 의존성을 알아보았다. 모든 가스변화에서 400에서 700 nm까지의 가시광 영역에서의 AZO 박막의 평균 투과도는 약 85% 이상의 우수한 투과율을 보인다. AZO 박막 내의 결정 구조는 (002)면으로 우선 배향을 하는 wurtzite 구조를 가지며, $Ar^+$변화에 의해 두께가 증가하면서 결정립의 주상 (columnar) 성장이 향상되고 결정립의 크기도 증가한다. 이러한 경향성은 $Ar^+$변화에 의해 결정성이 향상된다는 것을 의미한다. 이와 같은 구조 및 광학 특성을 가지는 유리 기판 위에 증착된 AZO는 박막 태양전지용 투명 전극으로 응용이 가능할 것이다.

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RF Magnteron Sputtering법으로 증착한 ZnO 박막의 구조적, 광학적 특성

  • Jeong, Yeong-Ui;Jo, Chang-U;Park, Seong-Gyun
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2012.02a
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    • pp.330-330
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    • 2012
  • RF magnetron sputtering법을 이용하여 사파이어, 유리 기판위에 ZnO박막을 기판온도를 달리하여 증착하여 ZnO박막의 구조적, 광학적 특성을 조사하였다. 또한, RTA (Rapid Thermal Annealing)를 이용하여 ZnO박막의 열처리 효과도 확인하였다. XRD (X-ray diffraction)결과 사파이어 기판에서는 상온에서, 유리 기판에서는 $400^{\circ}C$일 때 ZnO박막의 가장 좋은 특성을 나타냈다. UV-vis spectrometer측정 결과 가시광선 영역에서 사파이어 기판에서는 80%가 넘는 투과율을 유리 기판에서는 90%가 넘는 투과율을 보였다. 열처리 후 XRD peak의 세기가 높아졌고, 반치폭도 감소함을 보여 ZnO박막의 결정성이 향상되었다. 그리고 밴드갭의 변화도 관찰되었다.

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RF Sputter로 증착한 $Si_{1-x}$ $C_x$ 박막 내 실리콘 양자점의 광학적 특성평가

  • Mun, Ji-Hyeon;Kim, Hyeon-Jong;Lee, Jeong-Cheol
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2009.05a
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    • pp.53.1-53.1
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    • 2009
  • 실리콘 다층박막 태양전지를 위한 초고효율 실리콘 양자점 박막을 연구하기 위해 Silicon target과 Carbon target을 동시에 스퍼터하여 Silicon Carbide 박막을 증착하였다. Silicon Carbide 박막의 조성비는 target에 인가되는 RF Power를 조절하여 Auger Electro Spectroscopy를 사용하여 Si, C, O, N원소의 양을 정량화하여 측정하였다. Si Power를 200W에 고정하고, C Power를 0W에서 400W까지 변화시킬 때, $Si_{1-x}$ $C_x$ 박막에서 조성비 x는 0 ~ 0.43 범위였다. 이 박막을 증착 한 후에 질소 분위기에서 600 ~ $1000^{\circ}C$ 온도로 열처리를 진행하였다. High resolution TEM과 Raman 분석을 통해, 박막의 열처리 후 $Si_{1-x}$ $C_x$ 박막 내에 실리콘 양자점이 형성되었음을 관찰할 수 있었고, 2 ~ 10 nm 의 크기를 가지는 것으로 확인할 수 있었다. 이 실리콘 양자점을 포함한 $Si_{1-x}$ $C_x$ 박막을 적층하여 UV-VIS-NIR spectroscopy, FTIR및 PL와 같은 측정을 통해 광학적 에너지 밴드갭의 변화와 그에 따른 특성을 확인하였다.

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High-Tunable Capacitor Using a Multi-Layer Dielectric Thin Film for Reconfigurable RF Circuit Applications (재구성 RF 회로 응용을 위한 다층유전체 박막을 이용한 고-가변형 커패시터)

  • Lee, Young-Chul;Lee, Baek-Ju;Ko, Kyung-Hyun
    • Journal of Advanced Navigation Technology
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    • v.16 no.6
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    • pp.1038-1043
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    • 2012
  • In this work, a high tunable capacitor using a multi-layer dielectric of BZN/BST/BZN is designed and characterized for reconfigurable RF applications. By utilizing a high tunable BST ferroelectric and a low-loss BZN paraelectric thin film, a multi-layer dielectric of BZN/BST/BZN obtained a tunability of 47 % and $tan{\delta}$ of 0.005. The fabricated tunable capacitor on a quartz wafer using this multi-layer dielectric achieved a Q-factor of 10 and tunability of 60 % at 800 MHz and 15 V. Its size is $327{\times}642{\mu}m2$.

Structural, Optical and Electrical Properties of N-doped ZnO Nanofilms by Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (플라즈마 원자층 증착 방법을 이용한 N-doped ZnO 나노박막의 구조적.광학적.전기적 특성)

  • Kim, Jin-Hwan;Yang, Wan-Youn;Hahn, Yoon-Bong
    • Korean Chemical Engineering Research
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    • v.49 no.3
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    • pp.357-360
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    • 2011
  • N-doped ZnO nanofilms were prepared by plasma enhanced atomic layer deposition method. $Zn(C_{2}H_{5})_{2}$, $O_{2}$ and $N_{2}$ were used as Zn, O and N sources, respectively, for N-doped ZnO films under variation of radio frequency (rf) power from 50-300W. Structural, optical and electrical properties of as-grown ZnO films were investigated with Xray diffraction(XRD), photoluminescence(PL) and Hall-effect measurements, respectively. Nitrogen content and p-type conductivity in ZnO nanofilms increased with the rf power.

A RF Module for digital terrestrial and multi-standard reception (디지털 지상파 및 다중 표준 수신을 위한 RF 모듈 설계)

  • Go, Min-Ho;Park, Wook-Ki;Shin, Hyun-Sik;Park, Hyo-Dal
    • The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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    • v.1 no.1
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    • pp.8-19
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    • 2006
  • The RF Module which can be adjusted for a digital terrestrial and multi standard(DVB-C, ISDB-T, DVB-H) reception is developed. The Module by single conversion does divide a broadband(45MHz~860MHz) broadcasting channels into three-bands(UHF, VHF_HIGH, VHF_LOW) to satisfy some electrical performances such as image signal rejection, phase noise, IF flatness etc and digital reception specifications such as analog and digital adjacent channel protection, co-channel protection which is important in environment with co-existence both analog and digital broadcasting systems.

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