• 한국정보통신설비학회:학술대회논문집
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• 2005.08a
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• pp.422-426
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• 2005

초고속통신, 고 정밀 위치정보 시스템 등을 구현하기 위해 광 대역 특성을 요구하는 UWB(Ultra Wideband) 시스템에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 논문에서는 DS-CDMA(Direct Sequence - Code Division Multiple Access)를 근간으로 하는 3 GHz $\sim$ 5GHz의 주파수 대역을 갖는 UWB 시스템에서 아날로그 QPSK(Quadrature Phase Shift Keying) 변복조, 주파수 변환 및 전력 증폭 기능을 수행하는 RF 트랜시버 설계 방안을 제시하였고, 광 대역 특성을 만족하는 주요 구성 성분들의 설계 방법 및 성능 특성을 분석하였다. 상용 부품 및 제작된 부품 들을 이용하여 구현된 RF 트랜시버에 대한 성능평가를 통해 DS-CDMA 방식의 UWB 시스템을 위한 RF 트랜시버 설계 및 구현 접근 방법을 검증하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.11a
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• pp.13-14
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• 2007

투명전극으로 사용되는 ITO는 우수한 전기적, 광학적 특성으로 인하여 널리 사용되고 있다. 하지만, ITO는 저온공정의 어려움과 ITO의 원료물질인 In의 수급이 불안정하여 원자재의 가격이 높고, 수소 플라즈마에 노출시 열화로 인한 광학적 특성의 변화가 문제점으로 지적되고 있다. 본 논문에서는 ITO 투명전극을 대체하기 위한 실험으로 Al 이 도핑된 ZnO(ZnO:Al) 박막을 상온에서 유리기판 위에 RF 마그네트론 스퍼터 법을 이용하여 제조하였다. 증착된 박막은 ITO물질을 대체하기 위한 투명전극으로의 응용을 위해 후 열처리를 실시하였다. 설정된 열처리 온도는 각각 400도와 300도로 설정하였고 열처리 시간에 따른 변화를 관찰하였다. 열처리된 시편은 각각 XRD, SEM, Hall, U/V 측정을 하여 변화를 관찰하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2004.11a
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• pp.640-643
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• 2004

유도결합형 플라즈마는 낮은 가스 압력에서도 고밀도의 플라즈마를 발생시키기 때문에 무전극 램프에 많이 적용되고 있다. 그리고 무전극 램프는 장 수명을 실현하고 고품질의 빛을 발생하기 때문에 앞으로 광범위하고 다양한 장소에 사용이 예상된다. 본 논문에서는 유도결합형 플라즈마를 이용한 아르곤 가스의 방전 특성 중에서 색 좌표 특성을 살펴보았다. 즉, 외부 안테나에 의해 발생된 13.56[MHz]의 RF Power를 방전관 내부로 전달하고, 아르곤 가스 압력과 RF Power 변화에 따른 아르곤 가스의 방전 특성을 측정하였다. 또한, 유도결합형 플라즈마를 방전시키기 위한 아르곤 가스의 압력은 1[mTorr]에서 100[mTorr], RF 전력은 10[W]에서 120[W]이며 이의 색 좌표 특성과 스펙트럼을 살펴보았다. 측정 결과 RF 출력이 증가하면 색 좌표의 x, y 값이 동시에 감소하였다. 아르곤 가스 압력이 증가하면 농도의 증가로 인해 발광이 어려웠으며, 색 좌표 특성은 압력이 증가하면서 y 값은 변화가 적었으나 x 값이 100[mTorr]일 크게 증가하는 현상이 나타났다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.280-281
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• 2012

차세대 디스플레이에서 3차원 감성 터치 또는 플렉시블 기판 등에 사용되고 있는 ITO(Tin-doped Indium Oxide) 박막은 고 해상도 및 소자 효율 향상을 위해 전 가시광 영역에서 높은 투과율이 요구되고 있다. 일반적으로 ITO 박막은 두께 감소에 따라 빛의 두께 산란 없이 전 가시광 영역에서 높은 투과율을 가지는 반면, 두께가 감소할수록 박막 성장 시 비정질 기판의 영향을 크게 받아 박막 결정성 감소와 더불어 전기전도성이 감소되는 경향을 보인다. 특히, 매우 얇은 두께에서의 ITO 박막 물성은 초기 박막 핵 생성 및 성장과 증착 공정 중에 발생하는 고 에너지 입자(산소 음이온, 반사 중성 아르곤 등)의 박막 손상에 대한 영향을 크게 받을 뿐만 아니라 ITO 박막 내의 SnO2 도핑함량에도 매우 의존한다. 따라서, 매우 얇은 두께에서 높은 투과율과 뛰어난 전기전도성을 동시에 가지는 고품질 ITO 초박막 제조를 위해서는 박막 초기 핵 성장 제어기술 및 SnO2 함량에 따른 ITO 초박막의 전기적, 광학적 거동에 관한 연구가 필요하다. 본 연구에서는 다양한 SnO2 함량에서 고품질의 ITO 초박막을 DC/RF 중첩형 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 박막 증착 중에 발생하는 고에너지 입자의 기판충격으로 인한 박막손상을 최소화하여 증착된 박막의 전기적, 광학적 특성 및 미세구조를 관찰하였다. 그리고 전체파워에서 RF/(RF+DC) 비율을 제어하여 증착한 ITO 초박막의 물성을 최적화 하였으며, 상온 및 결정화 온도 이상에서 다양한 SnO2 함량을 가진 ITO 박막을 두께(150 nm, 25 nm)에서 각각 증착하여 전기적, 광학적 거동 및 XRD를 통한 박막의 미세구조 변화를 비교 분석하였다. 그리고 증착된 모든 ITO 초박막에서 가시광 투과율은 빛의 두께 산란 없는 높은 투과율(>85 %) 을 보이는 것을 확인 할 수 있었다. 증착된 ITO 박막의 전기적 특성 및 미세구조는 RF/(DC+RF)비율 50%에서 최적임을 확인하였다. 이는 RF/(DC+RF) 비율 증가에 따른 캐소드 전압 최적화로 박막의 초기 핵 성장 과정에서 기판상의 고에너지 입자로 인한 박막 손상의 감소 및 리스퍼터 되는 산소량을 최적화 시키고, 이는 박막의 결정성 향상으로 이어져, 박막내의 결함 밀도 감소 및 SnO2 고용 효율을 증가시켜 전기전도성 향상에 기인하였다고 판단된다. 또한, 증착된 ITO 초박막은 SnO2 함량 변화에 따라 박막의 결정성 및 전기적 특성에서 미세한 변화를 보였다. 이러한 ITO 박막의 물성변화는 박막 두께 감소에 따른 결정성 감소와 함께 SnO2의 고용 한계 변화로 인한 것으로 판단된다. 또한, RF/(DC+RF) 비율의 증가에 따른 ITO 초박막의 전기적, 광학적 및 미세구조는 Vp-Vf의 변화와 관련하여 설명되어 진다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.177-177
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• 2012

진공을 기초로 한 다양한 반도체 식각 공정에서 RF bias가 결합된 유도 결합 플라즈마 소스는 널리 사용되고 있다. 하지만, 대부분의 연구는 RF bias에 의한 자기 바이어스 효과에만 한정되어 있으며, 공정 결과와 소자 품질에 결정적인 역할을 하는 플라즈마 변수들(전자 온도, 플라즈마 밀도)과 RF bias의 상관관계에 대한 연구는 거의 없는 실정이다. 본 연구에서는 RF bias가 플라즈마 변수에 미치는 영향과 비충돌 전자 가열 메커니즘의 실험적 증거에 관한 연구를 진행하였다. 플라즈마 밀도는 RF bias에 의하여 감소 또는 증가하였으며, 이러한 결과는 Fluid global model에 의한 계산과 잘 일치하는 결과를 보였다. 전자 온도는 RF bias에 의하여 증가하였으며, 적은 RF bias 전력에서는 플라즈마 전위에 갇혀있는 낮은 에너지 그룹의 전자들의 가열이 주가 되었으나, 큰 RF bias 전력에서는 높은 에너지 그룹의 전자들의 가열이 주가 됨을 관찰하였다. 이는 높은 에너지 그룹의 전자 가열 메커니즘이 anomalous skin effect에서 collisionless sheath heating으로 전이되는 것을 나타내며, bounce resonance heating이 RF bias의 전자가열에 중요한 역할을 함을 보여주는 실험적 근거이다. 플라즈마 밀도의 공간 분포는 RF bias의 인가에 의하여 더욱 균일함을 보였으며, 이는 (electro-static and electro-magnetic) edge effect에 의한 영향으로 해석될 수 있다. 이러한 RF bias와 플라즈마 변수들의 상관관계 및 전자 가열 메커니즘에 대한 연구는 방전 특성의 물리적 이해뿐만 아니라, 반도체 식각 공정에서 소자 품질 및 공정 개선을 위한 최적의 방전 조건 도출과 외부 변수 제어에 큰 도움을 주리라 예상된다.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.24 no.10
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• pp.994-1000
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• 2013

Conventional MIMO system is required to a number of RF chains as much as a number of antennas. If the number of antennas increased then the number of RF chains increased. Therefore, it is difficult to apply conventional MIMO system to mobile terminals with limited power. In this paper, we propose a TDM(time division multiplexing)-based single RF chain MIMO system. The outcome shows that performance of the proposed system is similar to conventional MIMO system using multiple RF chains when STO is corrected by phase angle estimation and the synchronizing signal of received signal. Therefore, it is possible to implement the MIMO-OFDM system of low power and complexity through a single RF chain.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.21 no.1
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• pp.17-21
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• 2012

Ga-doped ZnO (GZO) thin films for application as transparent conducting oxide film were deposited on the glass substrate by using rf-magnetron sputtering system. The effects of working pressure on electrical and optical characteristics of GZO films were investigated. Regardless of the working pressure, all films were oriented along with the c-axis, perpendicular to the substrate. The electrical resistivity was about $8.68{\times}10^{-3}{\Omega}{\cdot}cm\sim2.18{\times}10^{-3}{\Omega}{\cdot}cm$ and the average transmittance of all films including substrates was over 90% in the visible range. The good transparents and conducting properties were obtained due to controle the working pressure. The obtained results have acceptable for application as transparent conductive electrodes in LCDs and solar cells.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.7 no.1
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• pp.1-5
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• 2000

Co-fired resistors for high frequency MCM-C (Multi Chip Module-Cofired) were fabricated and measured their RF properties from DC to 6 GHz. LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramics) substrates with 8 layers were used as the substrates. Resisters and electrodes were printed on the 7th layer and connected to the top layer by via holes. Deviation from DC resistance of the resistors was resulted from the resister pastes, resistor size, and via length. From the experimental results, the suitable equivalent circuit model was adopted with resistor, transmission line, capacitor, and inductor. The characteristic impedance $Z_{o}$ of the transmission line from the equivalent circuit can explain the RF behavior of the buried resistor according to the structural variation.

• Proceedings of the Korea Electromagnetic Engineering Society Conference
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• 2000.11a
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• pp.171-174
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• 2000

금속간 접촉에서의 Passive IMD는 Contact의 비선형 요인에 의해 발생된다고 알려져 있다. 금속접촉을 이루는 RF Conntctor의 PIMD 측정은 측정환경의 변화로 인해 재현성 있는 측정이 어렵다. 본 논문에서는 접촉력, 온도 및 습도로 인한 접촉조건의 변화에 의해 발생하는 PIMD 특성을 연구하고자 4 종류의 도금 재질을 갖는 어댑터를 설계 및 제작하였다. 제작된 어댑터의 PIMD 측정결과. PIMD 수준이 주로 접촉력 및 온도에 영향을 받으며, 측정환경의 명확한 규정이 PIMD의 측정 및 제어에 필수적임을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2011.05a
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• pp.127-127
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• 2011

수소가 아닌 헬륨을 희석 가스로 사용하여 나노결정질 실리콘박막을 증착하였고 압력과 RF power에 따른 특성을 살펴보았다. 특히, 4 Torr이상의 공정압력과 낮은 $SiH_4$ 유량을 사용하여 high pressure depletion(HPD)조건을 구현하였다. 그 결과, 6 Torr의 압력과 100W의 RF power를 사용하여 67%의 결정화도와 0.28nm/s의 증착속도를 얻었다.