• Title/Summary/Keyword: RF 스위치

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RF MEMS Passives for On-Chip Integration (단일칩 집적화를 위한 RF MEMS 수동 소자)

  • 박은철;최윤석;윤준보;하두영;홍성철;윤의식
    • The Proceeding of the Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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    • v.13 no.2
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    • pp.44-52
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    • 2002
  • 본 논문에서는 RF와 마이크로파 응용을 위한 MEMS 수동 소자에 대한 내용이다. 이 수동 소자들을 만들기 위해서 개발된 3타원 MEMS공정은 기존의 실리콘 공정과 완전한 호환성을 가지고 한 칩으로 집적화 시킬 수 있는 공정이다. 이 3차원 MEMS 공정은 기존 실리콘 긍정이 가지고 있는 한계를 극복하기 위한 방법으로써 개발되었다. 개발된 공정을 이용하여 실리콘 공정에서 구현할 수 없었던 좋은 성능의 인덕터, 트랜스포머 및 전송선을 RF와 마이크로파 응용을 위해서 구현하였다. 저 전압, 높은 차단율을 위한 push-pull 개념을 도입한 MEMS 스위치를 구현하였다. 또한 높은 Q를 갖는 MEMS 인덕터를 최초로 CMOS 칩과 집적화에 성공하여 600kHz 옵셋 주파수에서 -122 dBc/Hz의 특성을 갖는 2.6 GHz 전압 제어 발진기를 제작하였다.

수평방향 변위증폭을 위해 U-형상의 PZT 스트립과 지렛대 구조를 이용한 압전구동형 엑츄에이터의 설계, 제작 및 실험

  • 서영호;이택민;이준형;최두선;황경현
    • Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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    • 2004.05a
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    • pp.130-130
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    • 2004
  • 본 논문에서는 RF 스위치의 엑추에이터로 사용하기 위한 수평구동형 박막형 PZT 엑추에이터의 설계, 제작 및 시험에 관한 것이다 기존의 RF 스위치들은 대부분 수직 방향의 접촉 방식을 채택하고 있고, 대부분 구조체가 두껍지 않은 막으로 이루어져 있어서, 엑추에이터로부터 힘을 충분히 전달받지 못한다. 이로 인해, 접촉력이 상대적으로 작게 되어, 접촉저항을 줄이기 위한 접촉압력을 내기 위해 접촉 면적을 줄일 수밖에 없게 된다. 따라서, 본 연구에서는 효과적인 힘의 전달이 가능한 수평방향의 접촉 방식과 상대적으로 큰 힘을 낼 수 있는 PZT 엑추에이터를 사용하고자 한다.(중략)

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GeSbTe 및 GeTe 박막의 전기적 특성에 미치는 도핑 효과

  • Bang, Gi-Su;Lee, Seung-Yun
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2014.02a
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    • pp.297.1-297.1
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    • 2014
  • 칼코겐화합물은 주기율표 6족에서 산소를 제외한 칼코겐 원소가 하나 이상 포함되는 화합물 반도체 소재로 상변화 및 광전변환 특성을 가지고 있다. 이와 같은 칼코겐화합물의 장점을 이용하여 집적회로의 로직 블록 간의 신호 전달을 제어하는 프로그래머블 스위치를 구현 할 수 있다. 본 연구에서는 프로그래머블 스위치에 적용 가능한 칼코겐화합물로 널리 알려진 GeSbTe 및 GeTe 박막의 도핑에 따른 전기적, 구조적 특성 변화를 보고한다. RF magnetron sputtering 방식을 이용하여 doped GST 및 doped GeTe 박막을 증착하고 도핑에 따른 전기적, 구조적 특성을 관찰하였다. GST 박막의 경우 도핑에 의해 면저항 값이 증가하고 결정화 온도가 상승하는 것을 확인하였다. 반면 GeTe 박막에서는 도핑에 의해 면저항 값이 감소하고 결정화 온도가 낮아지는 것을 확인하였다. 이러한 결과로부터 GeSbTe 및 GeTe 박막의 전기적 특성은 도핑에 따라 변화하며, 도핑 조건을 적절히 조절함으로써 프로그래머블 스위치에 적용 가능한 칼코겐화합물의 확보가 가능하다는 결론을 내릴 수 있다.

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Quad-Band Antenna Switch Module with Integrated Passive Device and Transistor Switch (수동 집적 회로 및 트랜지스터 스위치를 통한 4중 대역 안테나 스위치)

  • Jeong, In-Ho;Shin, Won-Chul;Hong, Chang-Sung
    • The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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    • v.19 no.11
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    • pp.1287-1293
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    • 2008
  • Antenna switch module(ASM) for quad-band was developed. This module was integrated by RFIPD(RF integrated passive device) and transistor switch instead of LTCC-type device using low pass filters, diodes and passive elements in RF front end module for cellular phone. This module leads to low cost and miniaturization(The area is $5{\times}5\;mm$ and the thickness is 0.8 mm). The insertion loss and the return loss of each band were averagely measured as 1.0 dB(insertion loss), 15.1 dB(GSM/EGSM return loss) and 19 dB(DCS/PCS return loss), respectively.

Miniaturization Development of Transmit/Receive Module using a 10W MEMS switch (10W급 MEMS 스위치를 이용한 송수신모듈 소형화 개발)

  • Yi, Hui-min;Jun, Byoung-chul;Lee, Bok-hyung
    • Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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    • v.20 no.12
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    • pp.2417-2424
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    • 2016
  • Small size and light weight is very important for components used in radar mounted platform such as airborne radar. Recently, the active phased array radar is developed as an array of antennas for thousands of transmit/receive modules to be used as a multi-function radar that can detect and track targets. In this case, the size and weight of the transmit/receive modules are critical factor for developing the radar. In this paper, we developed a compact transmit/receive module using the 10W RF MEMS switch domestically localizing and reduced the circuit area to about 86.5% compared to using a circulator. The developed module satisfies not only electrical requirements but also MIL-STD's environmental specifications. So it can be used in a military device. It can be used at adaptive tunable receivers, reconfigurable smart active antennas and wide band beam electrical steering antennas.

A Study on a SPDT Switch with High Isolation Using Radial Resonators (방사형 공진기를 이용한 고격리도 SPDT 스위치 연구)

  • Yu Ri SO;Yunjian GUO;Jae Gook LEE;Min Jae LEE;Jong Chul Lee
    • The Journal of The Korea Institute of Intelligent Transport Systems
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    • v.22 no.6
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    • pp.223-229
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    • 2023
  • This papart proposes single pole double throw (SPDT) switch with six-stage radial stub resonators in the 3.6~4.0 GHz band. The switch was simulated using ADS (Advanced Design Software), a design tool for the wireless communication circuits, and evaluated on a pcb substrate. The measurement results of the radial SPDT switch showed an average 90 dB isolation, and 1.5 dB insertion loss. This isolation characteristic was 20 dB superior to higher than those laboratory or commercial products reported thus far. The proposed SPDT switch is applicable to multi-band RF front-end systems, such as WiMAX, LTE/5G, Wi-Fi, and HyperLAN.

다층구조 프로그래머블 스위치용 칼코겐화물 합금재료

  • Bang, Gi-Su;Jeong, So-Un;Lee, Seung-Yun
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2012.02a
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    • pp.300-300
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    • 2012
  • 프로그래머블 스위치는 프로그래머블 로직 디바이스 내에서 사용자의 프로그래밍에 따라 로직 블록과 배선을 연결하거나 차단하는 기능을 수행하는 전자소자이다. 기존의 프로그래머블 스위치는 상변화 특성을 보이는 칼코겐화물을 이용하는데, 상변화 재료만을 이용하는 스위치는 전기신호 누설의 문제점을 가지고 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 본 연구에서는 프로그래머블 스위치의 활성물질로서 상변화 재료 및 문턱(threshold) 스위칭 특성을 보이는 칼코겐화물을 포함하는 다층구조를 제안하고, 다층구조에 적용 가능한 칼코겐화물 합금 특성을 보고한다. RF magnetron sputtering 방식을 이용하여 doped GeSbTe 박막을 증착하고 온도에 따른 면저항 및 표면 형상 변화를 관찰하였다. Doped GeSbTe는 기존의 GeSbTe 상변화 재료와는 뚜렷하게 구분되는 면 저항 및 표면 형상 변화를 나타내었다. 이러한 결과로부터 doped GeSbTe 합금 박막은 다층구조 프로그래머블 스위치의 활성물질로 사용이 가능하다는 사실을 확인할 수 있었다.

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