• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.16 no.2
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• pp.133-137
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• 2005

A photonic RF true-time delay using a tapered chirped fiber Bragg grating coated with a heating electrode has been proposed and fabricated. For an RF signal carried over an optical signal, the time delay has been achieved by controlling the voltage applied to the electrode and thus adjusting its reflection positions from the fiber grating through the thermooptic effect. It features continuous voltage-controlled operation, requiring no mechanical perturbation and no moving parts. The measured time delay was about 120 ps with the electrical power consumption of $250{\cal}mW$.

• 한국정보통신설비학회:학술대회논문집
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• 2003.08a
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• pp.12-15
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• 2003

이동체 탑재형 안테나는 특성상 소형화 및 신호 추적 시간 단축이 중요한 요소이다. 이러한 특성은 위상변위기를 이용한 전자적인 빔 조향 방식으로 한층 더 보완할 수 있다. 현재 이동체에서 주로 사용되고 있는 DBS (Direct Broadcasting Satellite) 수신용 안테나는 패치 및 슬롯 형태의 안테나 소자를 배열하여 사용한다. 하지만 이러한 안테나 소자는 전방위각에 대해 인공위성 방향(앙각 45도)에서 이득 손실이 있기 때문에 위상변위기를 이용한 빔 조향 방식에서 사용하기에는 문제점을 가지고 있다. 따라서 모든 방위각에 대해 앙각 45도에서 최대 이득 특성을 갖는 안테나 소자를 이용해 이득 손실을 줄이는 것은 큰 의미가 있다. 본 논문에서는 monopole 주변에 PBG(Photonic Band Gap) 구조를 구현함으로써 표면파를 억제하여 앙각 45도 방향에서 최대 이득 특성을 보이는 안테나 소자를 제안한다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.27 no.1
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• pp.74-85
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• 2012

차세대 화합물 반도체 플랫폼으로 각광을 받고 있는 GaN 전자소자 글로벌 연구개발 동향에 관하여 기술하고자 한다. GaN 전자소자는 와이드 밴드갭(Eg=3.4eV)과 고온 안정성($700^{\circ}C$) 등 재료적인 특징으로 인하여 고출력 RF 전력증폭기와 고전력용 전력반도체 응용에 큰 장점을 가진다. GaN 전자소자 기술동향에서는 먼저 미국, 유럽, 일본을 중심으로 한 대형 국책 연구프로젝트 분석을 통한 RF 전력증폭기 연구개발 방향을 살펴보고, 후반부에서는 이동통신 기지국, 선박 및 군용 레이더 트랜시버용 고출력 RF 전력증폭기의 응용 분야에 관하여 알아본다. 이러한 총체적인 동향분석을 통하여 차세대 반도체의 신시장 개척과 선진입을 위한 GaN 전자소자의 연구개발 방향과 조기상용화의 중요성을 함께 생각해보고자 한다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• v.48 no.4
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• pp.511-514
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• 2010

Perfluorinated polymer($Cytop^{TM}$) was deposited on selective area of AlGaN/GaN HEMT structure using low cost and simple spin-coating method, and the electrical characteristics of the device was analyzed for application of passivation layer on semiconductors. Gate lag measurement results of $Cytop^{TM}$ passivated and unpassivated HEMT were compared. Passivated device shows improved 65 % pulsed drain current of dc mode value. Rf measurements were also performed. $Cytop^{TM}$ passivated HEMT have similar rf performance to PECVD grown $Si_3N_4$ passivated device. $Cytop^{TM}$ passivation layer may play an important role in mitigating surface state trapping in the region between gate and drain.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2003.07d
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• pp.2669-2671
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• 2003

본 논문에서는 변위 손상 현상을 이용하는 중성자 탐지소자와 선량계 모듈에 RF 통신 기능을 추가하여 방사선 환경 내에서 내 방사선화 된 로봇에 의해 가동 중인 원자력 밭전소등의 특정 부분에 대하여 실시간에 측정된 방사선량 데이터의 취득이 가능한 모듈을 개발하였다. 기존의 운용중인 발전소에 대한 방사선량은 휴지기간에 탐지소자를 설치하여 다음 휴지기간에 그 탐지소자를 가지고 나와 누적방사선량을 측정하거나, 설치된 탐지소자에서 유선으로 안전한 곳까지 데이터를 취득해 와서 그 값을 분석하여 왔으나, RF 통신 기능이 추가된 모듈은 내 방사선화 된 로봇에 탑재하여 로봇이 가동 중인 발전소 곳곳을 누비며, 설치된 탐지소자로부터 그 방사선량을 취득한 수 있다. 이는 기존의 취득방식에 비해 많은 부분 효율적인 측면이 있으며, 유지보수 비용의 절감을 가져 올 수 있을 것으로 기대된다. 본 연구에서는 RF 통신을 하기 위한 안테나 회로의 설계 기법과 취득한 정보를 EEPROM에 저장하고, 그 저장 데이터를 로봇에 부착된 Reader에 의해 읽을 수 있는 일련의 흐름을 구성하는데 있어 필요한 여러 가지 기술 혹은 기법에 대하여 살펴보았다.

• Proceedings of the Korean Institute of Navigation and Port Research Conference
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• 2022.11a
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• pp.390-391
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• 2022

Recently, SpaceX, private enterprise dealing in space development company, has reported a plan for launching of low earth orbit satellites via Starlink Business, and launched 900 satellites until now. Concretely, it plans tp operate Ku/Ka band satellite, and launch 7,518 of V band satellites for broadband communication. Therefore, wireless communication service for ship will be provided, and various solutions will be offered through the low earth orbit satellites. In this work, we investigated RF characteristics of coplanar waveguide employing periodic 3D coupling structures, and examined its potential for a development of marine radio communication FISoC (fully-integrated system on chip) semiconductor device.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.27 no.1
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• pp.76-79
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• 2016

This paper describes the successful development and the performance of X-band 50 W pulsed power amplifier using a 50 W GaN-on-SiC high electron mobility transistor. The GaN HEMT with a gate length of $0.25{\mu}m$ and a total gate width of 12 mm were fabricated. The X-band pulsed power amplifier exhibited an output power of 50 W with a power gain of 6 dB in a frequency range of 9.2~9.5 GHz. It also shows a maximum output power density of 4.16 W/mm. This 50 W GaN HEMT and X-band 50 W pulsed power amplifier are suitable for the radar systems and related applications in X-band.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.30 no.4
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• pp.282-285
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• 2019

A 100-nm gate-length metamorphic high electron mobility transistor(mHEMT) with a T-shaped gate was fabricated using a two-step gate recess and characterized for DC and microwave performance. The mHEMT device exhibited DC output characteristics having drain current($I_{dss}$), an extrinsic transconductance($g_m$) of 1,090 mS/mm and a threshold voltage($V_{th}$) of -0.65 V. The $f_T$ and $f_{max}$ obtained for the 100-nm mHEMT device were 190 and 260 GHz, respectively. The developed mHEMT will be applied in fabricating W-band monolithic microwave integrated circuits(MMICs).

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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• v.35D no.11
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• pp.62-69
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• 1998

The general degradation model has been applied to analyze the hot carrier induced degradation of the DC and RF characteristics of RF-nMOSFET. The degradation of cut-off frequency has been severer than the degradation of bulk MOSFET drain current. The value of the degradation rate n and the degradation parameter m for RF-nMOSFET has been equal to those for bulk MOSFET. The decrease of device degradation with the increase of fingers could be explained by the large source/drain parasitic resistance and drain saturation voltage. It has been also found that the RF performance degradation could be explained by the decrease of $g_{m}$ and $C_{gd}$ and the increase of $g_{ds}$ after stress. The degradation of the DC and RF characteristics of RF-nMOSFET could be predicted by the measurement of the substrate current.t.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.14 no.10
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• pp.2194-2200
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• 2010

In this paper, the power detectors using metamaterials were designed and fabricated for multi-band six-port direct conversion method. The RF short-stubs for power detector were designed by using metamaterials which provide multi-band characteristics. The power detectors with metamaterial RF short-stub were analyzed and fabricated by using lumped and distributed element. The measured results of metamaterial power detectors show the good agreement with the simulation results. The performance of lumped-metamaterial RF short-stub shows the insertion loss below 1 dB and the good frequency response characteristics. Also, the distributed-metamaterial RF short-stub shows the good frequency response characteristics and the insertion loss under that of lumped-metamaterial RF short-stub. The multi-band power detectors with metamaterial RF short-stub detect the input RF signal in the designed dual frequency bands very well.