• 한국진공학회지
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• 제8권4A호
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• pp.482-489
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• 1999

AC PDP(P1asma Display Pane1)s use the mixture of inert gases to generate a discharge inside the display pixels. Impurities such as CO, $CO_2$ and OH inside discharge region may deteriorate the characteristics of PDP operation during long life time of PDP. Electro-negative gas such as CO can cause the sustain pulse amplitude to rise by attaching electrons which will play an important role in the earlier stage of the discharge. MgO film is used to protect the dielectric layer in AC PDP, and is in contact with the free space of display pixel where it is filled with the inert gas mixture. So, MgO film can be a main source of impurities. In this experiment, we observed the change of impurity generation of various MgO films which were deposited by different methods, by using QMS. (quadropole mass spectrometer) The main impurites were $H_2$, CO and $CO_2$. And with the comparison of the TPD (temperature programmed desorption) result, it can be understood that impurity gases are generated by sputtering of MgO surface not by outgassing. Deposition method had effects on the characteristics of the impurity generation. The MgO film manufactured by e-beam evaporation generated more amount of impurity gases than the MgO films manufactured by sputtering or ion-plating. And also heat treatment of MgO film after deposition decreased the magnitude of impurity gas generation.

• 품질경영학회지
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• 제39권4호
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• pp.516-526
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• 2011

The AS9100 standard builds upon the ISO 9001:2000 quality management system requirements(in their entirety) and defines additional quality management system requirements for the aerospace industry. The 9100 standard on quality management system requirements is intended to be used at all levels of the supplier chain. The International Aerospace Quality Group has released a revision to 9100 for the aviation, space and defense industries. This change aims at improvement on quality, schedule and cost performance by adopting new requirements based on stakeholders' needs. This paper is to review how the AS9100 QMS Requirement has been established and improved, and to communicate the significant changes from AS9100, Rev. B to Rev. C focusing on reasons for revisions. The proposed schedule and considerations on the transition of the changes to Rev. C are also dealt with in this paper.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.244-244
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• 1999

Liquid Crystal Displays(LCDs) 투명성 전도막으로 사용하는 Indium Tin Oxide (ITO)의 고밀도 식각특성을 조사하였다. 특히 ITO식각의 경우, pixel electrode 전극에서 사용되는 underlayer인 SiO2, Si3N4와의 최적의 선택비를 얻는데 중점을 두고 있다. 따라서 본 실험에서는 Inductively Coupled Plasma(ICP)를 이용하여 source power, gas combination, bias voltage, pressure 및 기판온도에 따른 ITO의 식각 특성과 이의 underlayer인 SiO2, Si3N4와의 선택비를 조사하였다. Ar과 CH4를 주된 식각가스로서 사용하였으며 첨가가스로는 O2와 HBr를 사용하였다. ITO의 식각특성을 이해하기 위하여 Quadruple Mass Spectrometry(QMS), Optical emission spectroscopy(OES) 이용하였으며, 식각된 sample의 잔류물을 조사하기 위하여 X-ray photoelectron spectroscopy(XPS)를 이용하여 분석하였다. Ar gas에 적정량의 CH4 혼합이 순수한 Ar 가스로 식각한 경우에 비하여 ITO와 SiO2, Si3N4의 선택비가 높았으며, 더 높은 식각 선택비를 얻기 위하여 Ar/CH 분위기에서 첨가가스 O2, HBr을 사용하였다. Source power 및 bias 증가에 따라 ITO의 식각률은 증가하나, underlayer와의 선택비는 감소함을 보였다. 본 실험에서 측정된 ITO의 high 식각률은 약 1500$\AA$/min이며, SiO2, Si3N4와의 high selectivity는 각각 7:1, 12:1로 나타났다. ITO의 etchrate 및 선택비는 source power, bias, pressure, CH 가스첨가에 의존하였지만 기판온도에는 큰 변화가 없음을 관찰하였다. 또한 적정량의 가스조합으로 식각된 시편의 잔류물을 줄일 수 있었다.

• 한국표면공학회지
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• 제29권6호
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• pp.816-823
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• 1996

Chlorine containing high density plasmas are widely used to etch various materials in the microelectronic device fabrication. In this study, the characteristics of inductively coupled $Cl_2(O_2/N_2$) plasmas and their effects on the formation of silicon etching have been investigated using a Langmuir probe, quadrupole mass spectrometry(QMS), X-ray photoelectron spectroscopy(XPS), and Scanning Electron Microscopy(SEM). The addition of oxygen for chlorine plasmas reduced ion current densities and chlorine radical densities compared to the nitrogen addition by the recombination of oxygen with chlorine. Also, when silicon is etched in $Cl_2/O_2$ plasmas, etch products recombined with oxygen such as $SiCl_xO_y$ emerged. However, when nitrogen is added to chlorine, etch products recombined with nitrogen or Si-N bondings on the etched silicon surface were not found. All the silicon etch characteristics were dependent on the plasma conditions such as ion density, radical density, etc. As a result sub micron vertical silicon trench etch profiles could be effectively formed using optimized etch conditions for $Cl_2/O_2\; and \;Cl_2/N_2$ gas combinations.

• 품질경영학회지
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• 제41권1호
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• pp.15-38
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• 2013

Purpose: This study is to search for the core factors of improving business performance of small and medium venture manufacturing company and to do an in-depth analysis of the relations with management performance through systematic approach and to provide implications of importance of the management for the improvement factors for the domestic small and medium venture manufacturing company. Methods: The data have been analyzed via the regression and path analysis using AMOS. Results: this study is absorptive capacity affects the business performance of manufacturing companies. absorptive capacity has the role of the parameters of the Quality Management System and business performance. Conclusion: This study suggests how to run absorptive capacity according to type of management performance, and how to enhance Quality Management System to efficiently promote absorptive capacity in order to grow of management performance. also, this study shows a way to enlarge the valuation standard for management and customer performance reflecting the growth potential of an enterprise in circumstance where the valuation standard focuses on financial performance.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.237-237
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• 2012

반도체 소자를 취급하는 반도체 산업은 여러 산업 중에서도 부가가치율이 높은 것의 하나이다. 반도체 공정은 산화막과 질화막은 각각 다양한 두께와 방법으로 제조되고 있으며 CVD, PEALD 이용한 증착 공정을 기반으로 하고 있다. 하지만 양산에서의 많은 문제 요소를 가지고 있다. 첫째, 양적인 실시간과 전구체의 정상상태를 확인 할 수 없으므로 인한 질 적인 저하등을 요소를 가지고 있으며 둘째, 양산 후 남은 전구체를 외관상의 변색, 점도 변화를 통해 변질을 확인하고 전구체를 교체함으로써 엄청난 경제적인 손실과 안정적인 공급에 어려움이 있다. 그러므로 본 연구에서는 reference 전구체와 공정에서 사용된 전구체를 이용하여 Vapor Pressure 측정과 FT-IR (Fourier transform-infrared), QMS을 이용하여 개발된 전구체의 기상 안정성 및 반응성을 실시간으로 진단하여 기존의 전구체와의 차별성을 확인하고 우수한 전구체를 선별하기 위한 연구를 진행하였다. 또한 변화에서의 분자 상태 변형을 진담함으로 인해 기업의 양산의 경제적인 손실을 줄일 수 있을 뿐만 아니라 성장 조건에 따라 전구체 박막 특성을 논의 할 수 있을 것이다.

• 한국재료학회지
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• 제7권7호
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• pp.576-581
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• 1997

TDEAT(TI[N(C$_{2}$H$_{5}$)$_{2}$]$_{4}$)와 NH$_{3}$반응기체를 이용하여 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)TiN 박막을 형성하였다. 반응기체들은 chamber내에 주입하기 전에 적절한 기상반응을 유도시켜 주었으며, TiN박막 형성에 미치는 예비혼합 효과를 관찰하였다. 두 반응기체의 예비혼합을 이용하여 낮은 탄소의 함유와 함께 -800$\mu$Ωㆍcm의 비교적 낮은 비저항을 나타내었다. 또한 NH$_{3}$의 유량 증가에 따라 도포성이 상당히 증가되고 있는데 이같은 도포성 향상 효과는 기상반응에 의하여 형성되는 중간상의 낮은 흡\ulcorner계수에 기인하는 것으로 여겨진다. QMS(Quadruple Mass Spectrometer)분석을 이용하여 두가지 경쟁적 반응을 포함한 전체 반응식을 제시하였다. TDEAT/NH$_{3}$혼합증착원의 경우 particle이 관찰\ulcorner지 않았으며 이것은 기상반응의 정도를 효과적으로 조절한데 기인하는 것으로 여겨진다. 결과적으로 반응기체의 예비혼합은 막질 및 도포성 개선과 함께 particle생성억제에 매우 효율적인 방법임을 알 수 있었다.다.

• 한국표면공학회지
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• 제24권3호
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• pp.119-124
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• 1991

Recently, the trend of research in hard coating is concentrate on developing the process of ionization rate under low operating pressure, to get the thin film with high adhesion and dense microstructures. In this study ionization rate enhancement type PVD process using permanent magnet is developed, which enhances the ionization rate by confining the plasma suppressing the wall loss of electron. By the result to investigate the characteristic of glow discharge, the ionization rate of this process is enhanced about twice as high as that of triod BARE process (about 26%), and more dense TiN microstructures are obtained in this process. Cylindrical ion energy analyzer is made and attached in front of a quadrupole mass filter for the analysis of the energy distribution of reactive gas and activated gas ions from the plasma zone. To analyze the operation mechanism of ion energy analyzer, computer simulation is performed by calculation the electric field environment using finite element method. By these analyses of ion energy distribution of outcoming ions from the plasma zone, it is found that magnetic field enhances ion kinetic energy as well as ionization rate. The other results of this study is that the foundation of feed-back system is constructed, which automatically control the partial pressure of reactive gas. In can be possible by recording the data of mass spectrum and ion energy analysis using A-D converter.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2006년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.117-118
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• 2006

In this work, we investigated etching characteristics of $HfO_2$ thin film and Si using inductive coupled plasma (ICP) system. The ion energy distribution functions in an inductively coupled plasma was analyzed by quadrupole mass spectrometer with an electrostatic ion energy analyzer. The maximum etch rate of $HfO_2$ is 85.5 nm/min at a $BCl_3/(BCl_3+Ar)$ of 20% and decreased with further addition of $BCl_3$ gas. From the QMS measurements, the most dominant positive ion energy distributions (IEDs) showed a maximum at 20 % of $BCl_3$. These tendency was very similar to the etch characteristics. This result agreed with the universal energy dependency of ion enhanced chemical etching yields. And the maximum selectivity of $HfO_2$ over Si is 3.05 at a O2 addition of 2 sccm into the $BCl_3/(BCl_3+ Ar)$ of 20% plasma.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2006년도 제37회 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1382-1383
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• 2006

ZnO 박막은 wide band gap(Eg=3.37eV)의 derect band gap을 갖고 있기 때문에 여러 소자로의 응용가능성에 큰 기대를 하고 있는 물질이다. 본 논문에서는 소자 제조과정에서 요구되는 ZnO 박막의 식각변수에 따른 식각율과 식각특성에 관하여 연구하였으며 Inductively coupled plasma(ICP)를 사용하여 $BCl_3$/Ar 가스를 혼합하여 식각을 하였다. $BCl_3$/Ar=8/2 플라즈마에서 화학적 식각의 도움을 받아 ZnO 박막의 식각률은 1724 ${\AA}/min$ 로 최고를 보였으며 이때의 공정 조건은 800 W 의 RF power, 400 W 의 bias power, 1 Pa 의 공정 압력이었다. 식각시에 플라즈마 내부의 이온 거동상태를 측정하기위해 quadrupolemass spectrometer(QMS)를 사용하여 분석하였고 식각후 ZnO 박막의 식각률은 surface profiler(KLA fencer, ${\alpha}$-step 500)을 이용하여 측정하고 ZnO 박막과 B, Cl 라디칼과의 표면 반응 상태를 고찰하기 위하여 식각된 ZnO 박막의 표면을 X-ray photoelectron spectroscopy(XPS)로 분석하였다. XPS를 통하여 ZnO 박막과 Cl 라디칼과 반응을 하여 식각된다는 것과 낮은 휘발성으로 인하여 Ar 이온에 의한 스퍼터링 효과의 도움에 의해서 식각이 진행됨을 확인하였다.