한반도 남부 지각에서의 지진파 감쇠 양상을 나타내는 Q값을 구하기 위해 한국지질자원연구원(KIGAM)과 기상청(KMA)의 지진파 자료 중 진앙거리가 100km 이내이고 Sampling 비가 80Hz 이상인 NS방향의 540개 자료를 분석하였다. 각각의 자료에 대해 단일 산란 모델을 적용하여, S파 주시의 두 배부터 20초 길이를 가지는 시간창 위에서 1Hz, 1.5Hz, 3Hz, 6Hz, 9Hz, 12Hz, 15Hz, 18Hz의 주파수 별 coda Q 값을 구하였다. 이렇게 구한 각각의 coda Q, 즉 $Q_c$값으로부터 주파수 관계식(f> 1Hz 일 때 $Q_c=Q_{0}f^n$)을 이용하여 1Hz 에서의 coda Q, $Q_0$를 구하였다. 한반도의 $Q_0$값은 50과 250사이 그리고 n 값은 0.5 와 1.0 사이에 있고 그 지역적 분포는 반도 내 지질구조와 잘 연관됨이 밝혀졌다. 또한 반도 서해부근의 Q 값은 중국 동쪽의 값과 잘 연결되는 것을 볼 수 있었다.
민주지산지역의 극상림 산림군집구조를 분석하고 생태계 기초자료를 구축하여 이 지역의 개발압력에 대응하는 생태고나광, 자연학습 등 친환경적 개발에 응용하고자 49개 조사구를 선정하고 군집구조조사를 실시하였다. TWINSPAN분석 결과 각 군집은 소나무-서어나무-졸참나무군집(군집 I), 신갈나무-졸참나무-굴피나무군집(군집 II), 신갈나무군집(군집 III), 들메나무-고로쇠나무군집(군집IV), 층층나무-들메나무군집(군집V), 들메나무-까치박달나무군집(군집 VI) 그리고 들메나무-서어나무군집(군집 VII)으로 분류되었다. 산림의 종조성, 유사도지수, 종다양성분석, 흉고직경분석을 실시한 결과 군집 I~III을 제외하고는 활엽수혼효극상림으로 밝혀졌다.
상록활엽수림의 식생구조 변화를 모니터링 하기 위하여 완도수목원에 20개의 고정시험구를 1996년에 설치했다. 20개의 고정시험구는 10개의 시험구와 대조구로 구분했으며, 시험구는 적정밀도로 택벌한 후 상록활엽수를 식재했다. 시험처리전 20개 고정시험구의 식생구조는 붉가시나무, 붉가시나무와 개서어나무, 소나무 등이 우점하였고, 소나무군락과 낙엽활엽수군락에서 붉가시나무군락으로 천이되는 식생구조를 나타냈다. 시험처리시험구는 붉가시나무와 소나무가 우점하는 식생구조로 바뀌었고, 관목층과 지피층의 출현종수, 개체수, 피도 등이 증가하였다.
3층 구조 대지의 음수 유도분극 반응을 디지탈 선형 필터법으로 구하여 검토하였다. 음수의 유도분극 반응은 전기비저항 구조가 K니 Q형일 때 나타나며, K형 구조의 경우 Q형보다 더 뚜렷한 음수의 반응을 보여 준다. 이러한 구조일 때, 유도분극 계수는 전기비저항 분포와 전극 배치의 함수로 주어지며, 표층의 계수만이 음수의 값을 가질 수 있다. 따라서 음수의 유도분극 반응은 표층이 분극성일 때 생길 가능성이 있으며, 그 외의 층의 분극성은 오히려 음수의 유도분극 반응을 줄이는 역할을 한다.
In this paper, micro cantilevers which are made of two different materials - fused quartz and single crystalline silicon - and have similar dimensions were fabricated and their mechanical Q-factors were evaluated to compare intrinsic damping properties of those two materials. Resonant frequencies and Q-factors were measured for the cantilevers having fixed widths and thicknesses, and different lengths. The measured Q-values are in a range of 64,000 - 108,000 for fused quartz cantilevers, and 31,000 - 35,000 for silicon cantilevers, respectively. Experimental results support high Q-factors of fused quartz compared to single crystalline silicon due to its good intrinsic damping properties.
본 논문에서는 표준 대역통과 필터와 무증폭 바이패스 이득의 조합을 이용한 구조에 근거하여 전문가용 디지털 오디오에 적합한 정교한 주파수응답을 갖고, 실시간 시스템에서 적은 계산량과 메모리로 구현이 용이한 2차 디지털 픽킹 필터의 설계방식을 제안하였다. 이와 같이 설계된 디지털 픽킹 필터는 이득요인에 따라 필터의 대역폭이 왜곡되는 단점을 Q-보정을 통해 제거하였으며, 컨포말 변환에 의한 설계보다 수학적으로 간단하고 구현이 용이하며, 적은 계산량 및 메모리를 필요로 한다.
본 연구는 덕유산 국립공원 설천지구내에 건설되고 있는 무주리조트 골프장예정지의 식물군집구조를 밝히고 환경영향평가서의 식물생태계부분 재평가를 위해 실시하였다. 현존식생은 소나무-신갈나무-졸참나무군집이 33.2%, 참나무류군집이 27.3%, 소나무군집이 20.7%, 고산습지가 4.9%이었으며 본 조사지 삼림은 독특한 환경조건을 이루고 있었다. 녹지 자연도는 등급 8, 9가 전체의 93%를 차지하는 안정된 생태계를 구성하고 있었으며 환경영향평가서상의 녹지자연도등급 산정과 본 조사결과와는 많은 차이를 보였다. 54개 조사구에 대한 DCA 분석에서 분리된 군집은 6개로써 소나무군집, 소나무-신갈나무군집, 소나무-졸참나무-들메나무-물박달나무군집, 신갈나무-졸참나무-소나무군집, 신갈나무-굴참나무군집, 버드나무-물박달나무군집이었고 소나무군집을 제외한 기타의 군집은 소나무$\longrightarrow$참나무류로의 생태적 천이단계에 있는 것으로 예측되었다.
한남금북정맥과 금북정맥 마루금 일대 식생구조를 파악하기 위해 환경조건과 인위적 영향을 고려해 한남금북정맥 2곳, 금북정맥 5곳의 중점조사지를 선정하여 식생조사를 실시하였다. TWINSPAN에 의한 군락분류 결과, 한남금북정맥은 굴참나무-상수리나무군락, 소나무-신갈나무군락, 소나무군락, 소나무-신갈나무-굴참나무군락, 소나무-낙엽성 참나무혼효군락, 잣나무군락, 신갈나무-굴참나무군락, 일본잎갈나무-잣나무군락 등 8개 군락으로 나눠졌다. 금북정맥의 경우는 굴참나무군락, 낙엽활엽수혼효군락, 신갈나무군락, 소나무-신갈나무-굴참나무군락, 상수리나무군락, 소나무-상수리나무-굴참나무군락, 소나무-신갈나무-리기다소나무군락, 소나무-곰솔-낙엽성 참나무혼효군락, 잣나무군락 등 9개 군락으로 유형화되었다. 한남금북정맥과 금북정맥에는 남한의 정맥과 백두대간 마루금 인근에서 폭넓게 분포하는 신갈나무와 소나무를 우점종으로 하는 조사구의 비율이 높았다. 일부 조사구에서 조림된 밤나무와 잣나무가 출현해 과거 인간의 간섭이 있었던 것으로 보인다. 이러한 사실을 통해 볼 때 한남금북정맥과 금북정맥 대부분의 지역에 인간의 간섭이 있었던 것으로 파악할 수 있다. 중점조사지역 중 금북정맥에 해당하는 가야산지역은 해양성기후와 대륙성기후가 교차되는 지역으로 지역적 특성이 반영된 곰솔이 출현하였다.
양자점은 전자와 양공을 3차원으로 속박 시키므로 기존의 bulk나 양자우물보다 양자점을 이용한 레이저 다이오드의 경우 낮은 문턱 전류, 높은 미분이득 및 온도 안전성의 장점이 있을 거라 기대되고 있다. 그러나, 양자점은 낮은 areal coverage 때문에 높은 속박효율을 얻지 못하고 있다. 이러한 양자점의 문제점을 해결하기 위해 양자점을 양자우물 안에 성장시켜 운반자들의 포획을 향상시키는 방법들이 연구되고 있다. 양자우물 안에 양자점을 넣으면 양자우물이 운반자들의 포획을 증가 시키고, 열적 방출도 억제하여 온도 안정성이 향상 되는 것으로 알려져 있다. 광통신 대역의 1.3 ${\mu}m$ 경우, GaAs계를 이용하여 InAs 양자점을 strained InGaAs 박막을 우물층으로 한 dot-in-a-well 구조의 연구는 몇몇 보고된 바 있다. 그러나 InP계를 사용하는 1.55 ${\mu}m$ 대역에서 dot-in-a-well구조의 연구는 아직 미미하다. 본 연구에서는 유기 금속 화학 증착법(metal organic chemical vapor deposition)을 이용하여 InP 기판 위에 InAs 양자점을 자발성장법으로 성장하였으며 dot-in-a-well 구조에서 우물층으로 1.35 ${\mu}m$ 파장의 $In_{0.69}Ga_{0.31}As_{0.67}P_{0.33}$ (1.35Q)를, 장벽층으로는 1.1 ${\mu}m$ 파장의 $In_{0.85}Ga_{0.15}As_{0.32}P_{0.68}$(1.1Q)를 사용하였다. 양자우물층과 장벽층은 모두 InP 기판과 격자가 일치하는 조건으로 성장하였다. III족 원료로는 trimethylindium (TMI)와 trimethylgalium (TMGa)을 사용하였으며 V족 원료 가스로는 $PH_3$ 100%, $AsH_3$ 100%를, carrier gas로는 $H_2$를 사용하였다. InP buffer층의 성장 온도는 640$^{\circ}C$이며 양자점 성장 온도는 520$^{\circ}C$이다. 양자점 형성은 원자력간 현미경(Atomic force microscopy)를 이용하여 확인하였으며, 박막의 결정성은 쌍결정 회절분석(Double crystal x-ray deffractometry)를 이용하여 확인하였다. 확인된 성장 조건을 이용하여 양자점 시료를 성장하였으며 광여기분광법(Photoluminescence)을 이용하여 광특성을 분석하였다. Fig. 1은 dot in a barrier 와 dot-in-a-well 시료의 성장구조이다. Fig. 1(a)는 일반적인 dot-in-a-barrier 구조로 InP buffer층을 성장하고 1.1Q를 100 nm 성장한 후 양자점을 성장하였다. 그 후 1.1Q 100 nm와 InP 100 nm로 capping하였다. Fig. 1(b)는 dot-in-a-well 구조로 InP buffer층을 성장하고 1.1Q를 100 nm 성장 후 1.35Q 우물층을 4 nm 성장하였다. 그 위에 InAs 양자점을 성장하였다. 그 후에 1.35Q 우물층을 4 nm 성장하고 1.1Q 100 nm와 InP 100 nm로 capping하였다. Fig. 2는 dot-in-a-barrier 시료와 dot-in-a-well 시료의 상온 PL data이다. Dot-in-a-barrier 시료의 PL 파장은 1544 nm이며 반치폭은 79.70 meV이다. Dot-in-a-well 시료의 파장은 1546 nm이며 반치폭은 70.80 meV이다. 두 시료의 PL 파장 변화는 없으며, 반치폭은 dot-in-a-well 시료가 8.9 meV 감소하였다. Dot-in-a-well 시료의 PL peak 강도는 57% 증가하였으며 적분강도(integration intensity)는 45%가 증가하였다. PL 데이터에서 높은 에너지의 반치폭 변화는 없으며 낮은 에너지의 반치폭은 8 meV 감소하였다. 적분강도 증가에서 dot-in-a-well 구조가 dot-in-a-barrier 구조보다 전자-양공의 재결합이 증가한다는 것을 알 수 있으며, 반치폭 변화로부터 특히 높은 에너지를 갖는 작은 양자점에서의 재결합이 증가 된 것을 알 수 있다. 이는 양자우물이 장벽보다 전자-양공의 구속력을 증가시키기 때문에 양자점에 전자와 양공의 공급을 증가시키기 때문이다. 따라서 낮은 에너지를 가지는 양자점을 모두 채우고 높은 에너지를 가지는 양자점까지 채우게 되므로, 높은 에너지를 가지는 양자점에서의 전자-양공 재결합이 증가되었기 때문이다. 뿐만 아니라 파장 변화 없이 PL peak 강도와 적분강도가 증가하고 낮은 에너지 쪽의 반치폭이 감소한 것으로부터 에너지가 낮은 양자점보다는 에너지가 높은 양자점에서의 전자-양공 재결합율이 급증하였음을 알 수 있다. 우리는 이와 같은 연구에서 InP계를 이용해 1.55 ${\mu}m$에서도 dot in a well구조를 성장 하여 더 좋은 특성을 낼 수 있으며 앞으로 많은 연구가 필요할 것이라 생각한다.
소각중성자산란 (Small-angle neutron scattering, SANS)은 물질의 내부 나노구조 분석에 매우 중요한 실험방법론이다. 본 논문에서는 30MW HANARO 연구용 원자로의 냉중성자 연구시설에 설치하기 위하여 한국과학기술원과 한국원자력연구소가 공동으로 개발 중인 40m SANS장치의 개념설계 결과를 보고한다. 장치의 설계 최적화를 위한 전산모사를 수행하였으며, 이를 바탕으로 40m SANS 장치의 주요설계 인자를 결정하였다. 40m SANS 장치의 가능한 Q-range는 $0.0005\;\AA^{-1}-1.0\AA^{-1}$ 이며, 이는 세계 최고 수준의 SANS Q-range에 해당된다. 각 Q-range에 따른 시료위치에서의 중성자 속을 계산하였으며 전산모사에 사용된 냉중성자원이 구현될 시 세계적 수준의 값을 얻을 수 있을 것으로 예상된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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