• 대한전자공학회논문지TC
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• 제49권2호
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• pp.67-71
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• 2012

본 논문은 K-band에서 위상잡음과 출력파워를 향상시키기 위하여 메타 구조로 높은 Q값을 갖는 이중 H자 형태의 메타전자파구조의 공진기를 적용한 Push-Push 구조의 발진기를 제안하였다. 제안된 발진기는 낮은 위상잡음과 높은 출력 전압을 보여준다. 특히 이중 H자 형태의 메타 전자파구조(DHM)는 전기장의 커플링을 강하게 하여 발진 주파수에서 높은 Q 값을 갖도록 설계되었다. 또한 2개의 발진기를 Push-Push 구조로 결합시킴으로 출력 전력을 개선하였다. 실험결과 20.20 GHz에서 3.1 dBm의 출력을 나타내었고, 중심주파수 억압특성은 -23.7 dBc, 위상잡음은 -116.28 dBc @ 100kHz의 특성을 보였다.

• 한국통신학회논문지
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• 제22권5호
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• pp.967-973
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• 1997

In this paper, the designed and fabrication of a K-band push-push oscillator using miniaturized hairpin resonator have been presented. One experimenal oscillator has been designed and fabricated for K-band point-to-point operation. the miniaturized harpin resonator has been analyzed theoretically and simulated by MPIE(Mixed Potential Integral Equation) method. With this results, the analysis of hairpin resonator which coupled microstrip line has been carried out with transmission-mode using this results. an optimized output matching network for the suppression of the fundamental and the 3rd order harmonic was acquired by using a nonlinear analysis method. The fabricated oscillator shows the output power of -2.28dBm, the fundamental frequency suppression of -19dBc, the 3rd order harmonic suppressionof -24dBc and 0.33 percent effiiency at 22.8GHz. The experimental outputs are in good agreement with the theoretical and simulated results.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제46권12호
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• pp.1-5
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• 2009

본 논문은 X-대역에서 높은 Q값을 이용하여 위상 잡음을 줄이기 위하여 metamaterial 공진기를 이용한 Push-Push 발진기를 제안하였다. Metamaterial 공진기는 큰 결합 계수 값을 갖는데, 이는 Q값을 크게 만들고, 발진기의 위상 잡음을 줄일 수 있었다. 1.8 V의 공급 전압을 사용한 Push-Push 발진기는 12 GHz의 주파수 범위에서 -117 dBc/HB @ 100 kHz의 위상 잡음 특성을 가지며 metamaterial 공진기와 일반적인 나선형 공진기를 비교 했을 때, 개선된 Q값 특성은 -29.7 dB와 -47.5 dB이다. 제작된 metamaterial 공진기를 이용한 Push-Push 발진기는 X-대역에서 발진기로 이용될 수 있음을 확인 하였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제13권7호
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• pp.613-624
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• 2002

본 논문에서는 Push-Push FET유전체 공진기 발진기를 20 GHz에서 설계, 제작하고 출력단에 각각 Wilkinson 전력결합기와 T 접합 전력결합기를 사용하였을 때의 각 결합기의 반사손실과 격리도 특성에 따른 발진기의 출력특성을 조사하여 이들 특성이 출력과 위상잡음 특성에 각각 영향을 주는 것을 설명한다. 기본 주파수 10 GHz를 억제하고 제 2고조파 주파수를 이용하는 20 GHz Push-Push발진기는 T $E_{01}$$\delta$/모드의 유전체 공진기와 GaAs MESFET를 높이 H = 20 mil($\varepsilon_{{\gamma}}$/=2.52) 테프론 기판 위에 장착하는 구조로 설계하고 제작하였다. 기본주파수에서 T-접합 전력결합기는 반사손실 -12 dB, 격리도 -3.7 dB 이었고, Wilkinson 전력결합기는 반사손실 -14 dB, 격리도 -11 dB 이었다. 그리고 제 2 고조파 주파수에서 T-접합 전력결합기는 반사손실 -10 dB, 격리도 -7.5 dB 이었고, Wilkinson 전력 결합기 는 반사손실 -23 dB, 격리도 -22 dB를 보였다. 결과적으로 반사손실과 격리도 특성이 좋은 Wilkinson 전력 결합기를 출력 단으로 이용한 Push-Push 발진기 가 출력전력레벨면이나 위상잡음특성면에서 T-접합 전력결합기를 이용한 발진기보다 우수한 특성을 보이는 것을 확인하였다.발진기보다 우수한 특성을 보이는 것을 확인하였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제25권12호
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• pp.1236-1242
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• 2014

본 연구에서는 65-nm CMOS 공정을 이용하여 D-밴드 주파수 대역(110~170 GHz)의 전압 제어 발진기(voltage controlled oscillator)를 제작 및 측정을 수행하였다. 발진기의 구조는 푸쉬-푸쉬(push-push) 방식에 기반을 두고 있다. 제작된 전압 제어 발진기의 동작 주파수의 범위는 152.7~165.8 GHz로 측정되었으며 이때의 출력 전력은 -17.3 dBm에서 -8.7 dBm까지의 값을 보였다. 이 회로의 위상잡음(phase noise)은 10 MHz 오프셋에서 -90.9 dBc/Hz로 측정되었고, 측정용 패드를 포함한 제작된 칩의 크기는 $470{\mu}m{\times}360{\mu}m$이다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2006년도 하계종합학술대회
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• pp.495-498
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• 2006

This paper reports a high power 60 GHz push-push oscillator fabricated using 0.12 um metamorphic high electron-mobility transistors (mHEMTs). The devices with a $0.1{\mu}m$ gate-length exhibited good DC and RF characteristics such as a maximum drain current of 700 mA/mm, a peak gm of 660 mS/mm, and an $f_T$ of 170 GHz. By combining two sub-oscillators having $6{\times}50{\mu}m$ periphery mHEMT, the push-push oscillator achieved a 6.3 dBm of output power at 59.5 GHz with more than -35 dBc fundamental suppression. This is one of the highest output power obtained using mHEMT technology without buffer amplifier, and demonstrates the potential of mHEMT technology for cost effective millimeter-wave commercial applications.

• 한국전자파학회논문지
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• 제16권4호
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• pp.345-350
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• 2005

본 논문에서는 저가형 구조에 이용 가능한 X-band 대역의 push-push형 VCO를 제안하였다. 제작된 push-push형 발진기는 부가적인 바렉터 다이오드를 사용하지 않고, 컬렉터 바이어스를 가변하여 X-band에서 넓은 주파수 가변을 얻었다. 측정 결과 컬렉터 바이어스 전압을 $4\~9V$ 가변하였을 때 $10.9\cal{GHz}\~11.8\cal{GHz}$의 $900\cal{MHz}$의 주파수 가변, $-30\;\cal{dBc}$ 이하의 우수한 $f_0$ 억압 특성, $-115\;\cal{dBc/Hz}\;@\;1\;\cal{MHz}$의 위상 잡음 특성을 가졌다.

• 한국항행학회논문지
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• 제7권1호
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• pp.1-5
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• 2003

본 논문에서는 9개의 전형적인 Push-Push FET DRO(Dielectric Resonator Oscillator: 유전체 공진기 발진기)의 드레인단에 게이트단에서 이용했던 동일한 DR을 첨가하여 출력전력과 위상 잡음특성변화를 실험적으로 조사하였다. 9개 발진기는 10 GHz의 기본주파수를 이용하여 20 GHz를 발생할 수 있도록 설계되었고, 출력단에는 3개의 다른 종류의 전력 결합기를 채택했는데, 이들 각각에 대해 측정하였다. 결과적으로 Push-Push FET DRO의 출력전력은 DR을 첨가함으로 향상되어질 수 있는 것과 위상잡음특성은 DR을 첨가하기 전과 대체로 같은 특성을 유지하는 것을 관찰할 수 있었다.

• 한국항행학회논문지
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• 제6권1호
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• pp.52-62
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• 2002

본 논문에서는 출력단에 Wilkinson 전력결합기 또는 T 접합 전력결합기를 사용한 20 GHz Push-Push FET 유전체 공진기 발진기를 설계 제작하고 그 특성을 조사 연구하였다. 기본 주파수 10 GHz를 억제하고 제 2 고조파 주파수를 이용하는 20 GHz Push-Push 발진기를 $TE_{01{\delta}}$ 모드의 유전체 공진기와 GaAs MESFET를 두께 H = 20 mil(${\varepsilon}_r$=2.52) 테프론기판 위에 장착하는 구조로 설계하고 제작하였다. Wilkinson 전력결합기를 이용하여 제작된 발진기는 20 GHz에서 출력 전력이 5.67 dBm, 기본 주파수 억압특성은 -29.33 dBc, 위상 잡음은 100 kHz offset에서 -105.5 dBc/Hz 특성을 나타내었으며, T 접합 전력결합기 이용하여 제작된 발진기는 20 GHz에서 출력 전력이 -1.17 dBm, 기본 주파수 억압특성은 -17.84 dBc, 위상 잡음은 100 kHz offset에서 -102.2 dBc/Hz 특성을 나타내었다.

• 한국통신학회논문지
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• 제25권9B호
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• pp.1635-1640
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• 2000

본 논문에서는 기본파를 억제시키고 2차 고조파가 주 발진신호로 동작되는 18GHz 대역의 push-push 발진기를 semi-MMIC 형태로 설계 및 제작하였다. 마이크로스트립 선로를 포함하는 passive component는 semi-insulating GaAs 기판위에 MMIC 공정을 이용하여 구현하고, Chip 형태의 P-HEMT, 저항, 캐패시터를 Au wire-bonding에의해 연결하였으며, via-hole 대신 접지면을 회로 주변에 구성하여, back-side와 wire-bonding하였다. 실험 결과 -10.5 dBm의 출력 전력 특성을 얻었으며, 기본 주파수 억압은 -17.3 dBc/Hz의 특성을 보였다. 위상 잡음은 100kHz offset에서 -97.7 dBc/Hz를 얻었다.