• 한국세라믹학회지
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• 제37권12호
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• pp.1135-1139
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• 2000

본 연구에서는 Pt/Sn $O_2$박막의 CO 감지특성을 향상시키기 위하여 표면 형상을 제어하였다. Pt/Sn $O_2$계 박막센서의 최적 동작온도는 175$^{\circ}C$이었다. Pt가 12초 동안 증착된 Sn $O_2$가 200ppm의 CO 가스에 대하여 1.23의 최대감도를 나타내었고, 그 이상의 Pt 증착시간 증가에 따라 Sn $O_2$위의 Pt의 coverage가 증가하여 센서의 감도를 감소시켰다. 다층박막(multi-layer thin film)의 단층의 Pt/Sn $O_2$복합체 위에 다시 Sn $O_2$및 Pt의 cluster 층들을 연속적으로 증착함으로서 제작되었다. 단지 하나의 Pt 층만을 증착한 Sn $O_2$막보다 다층의 Pt/Sn $O_2$막이 더욱 우수한 감도( $R_{air}$/ $R_{co}$=1.72, CO: 200 ppm)를 나타내었다. Pt/Sn $O_2$다층박막의 우수한 감도의 원인은 Pt와 Sn $O_2$사이의 계면적 증대 때문인 것으로 생각되어 진다.다.

• The Korean Journal of Ceramics
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• 제6권3호
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• pp.315-317
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• 2000

A magnetoplumbite type of Ba ferrite(BaM) layers were deposited on Pt(111) and Pt(200) layers, and their c-axis orientation and magnetic characteristics were compared each other. The as-deposited BaM layer on Pt(111) one at the substrate temperature $T_s$ above $500^{\circ}C$ revealed remarkable c-axis orientation. The saturation magnetization 4$\piM_s$ and the perpendicular coercivity $H_{c⊥}$ of the films as-deposited at $T_s$ of $600^{\circ}C$ were 4.0kG and 2.5kOe, respectively. On the other hand, BaM ferrite layer deposited on Pt(200) layer at $T_s$ as relatively low as $500^{\circ}C$ also revealed weak c-axis orientation as well as (107) one and the films as-deposited at $T_s$ of $600^{\circ}C$ exhibited 4$\piMs_{and}$ $H_{c⊥}$ of 2.8kG and 2.5kOe, respectively. It was suggested that although chemical activity of Pt surface was effective for the formation of BaM crystallites, the lattice matching was also important for obtaining BaM layer with good c-axis orientation and large perpendicular anisotropy.sotropy.

• 에너지공학
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• 제1권1호
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• pp.58-65
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• 1992

인산형 연료전지의 전극성능의 향상을 위해 Hot Pressing공정을 사용하여 Pt이 담지된 다공성 탄소전극(Pt/C)을 제조하였다. Hot pressing의 조건, 촉매층에서의 PTEE 함량을 변화시켜 제조한 Pt/C 전극의 전기화학적 산소환원특성 및 인산형 단위전지 성능특성을 비교하였다. 실험결과 Hot Pressing의 최적조건은 36$0^{\circ}C$, 10kg/$\textrm{cm}^2$이었다. 최대성능은 촉매층에 30wt%의 PTFE 함량을 가진 전극에서 얻어졌으며, 이때 백금의 이용율은 80%이었다. 단위전지의 성능측정 결과, hot pressing한 전극의 성능은 700㎷에서 200mA/$\textrm{cm}^2$이었으며 200시간동안 안정적인 성능이 유지되었다.

• 한국재료학회지
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• 제17권5호
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• pp.283-288
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• 2007

This study aimed to investigate the effects of the seed layer with copper electroplating on the surface morphology of copper foil. Three kinds of seed metal such as platinum, palladium, Pt-Pd alloy were used in this study. Electrodeposition was carried out with the constant current density of 200 $mA/cm^2$ for 68 seconds. Electrochemical experiments, in conjunction with SEM, XRD, AFM and four-point probe, were performed to characterize the morphology and mechanical characteristics of copper foil. Large particles were observed on the surface of the copper deposition layer when a copper foil was electroplated on the 130 nm thickness of Pd, Pt-Pd seed layer. However, a homogeneous surface, low resistivity was obtained when the 260 nm thickness of Pt, Pt-Pd alloy seed layer was used. The minimum value of resistivity was 2.216 ${\mu}{\Omega}-cm$ at the 260 nm thickness of Pt-Pd seed layer.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2000년도 International Symposium on Magnetics The 2000 Fall Conference
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• pp.352-362
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• 2000

In this study, effects of novel VMn underlayer on magnetic properties of CoCrPt/VMn longitudinal medium was studied and compared with those of CoCrPt/Cr medium. It was found that the VMn film had (200) preferred orientation and the lattice constant was about 0.2967 nm, which is slightly larger than that of the Cr, 0.2888 nm. The grain size of VMn film was 9.3 nm at 30 nm thickness, and this is about 38 % smaller than that of a similarly deposited Cr film. The CoCrPt/VMn films showed higher coercivity in comparison with the CoCrPt/Cr films. The coercivity increase seems to be attributed to the increased Co (11.0) texture, improved lattice matching between Co (11.0) and VMn (200), and lower stacking fault density. Mn must have diffused into the CoCrPt magnetic layer more uniformly rather than preferentially along grain boundaries this reduced Ms at higher substrate temperature

• Journal of Magnetics
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• 제5권4호
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• pp.143-146
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• 2000

In this study, the magnetic properties of CoCrPt films (far longditudinal recording) on a novel VMn underlayer were measured and compared with similar films on conventional Cr underlayers. It was found that the VMn film had (200) preferred orientation and the lattice constant was about 0.2967 nm, which is slightly larger than that of the Cr film, 0.2888 m. The grain size of the VMn film was 9.8 nm at 30 m thickness, about 39% smaller than that of a similarly deposited Cr. The CoCrPt/VMn films showed higher coercivity in comparison with the CoCrPt/Cr films. The coercivity increase is attributed to the increased Co (11.0) texture, improved lattice matching between Co (11.0) and VMn (200), and lower stacking fault density. V or Mn must have diffused into the CoCrPt magnetic layer uniformly rather than preferentially along grain boundaries. This reduced Ms at higher substrate temperature.

• 한국세라믹학회지
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• 제42권2호
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• pp.104-109
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• 2005

PbO 완충층의 역할을 확인하기 위해, r.f. magnetron sputtering법을 이용하여 p-type (100) Si 기판 위에 $Pt/Pb_{1.1}Zr_{0.53}Ti_{0.47}O_{3}$와 PbO target으로 Pt/PZT/PbO/Si의 MFIS 구조를 제조하였다. MFIS 구조에 완충층으로 PbO를 삽입함으로써 PZT 박막의 결정성이 크게 향상되었고, 박막의 공정온도도 상당히 낮출 수 있었다. 그리고 XPS depth profile 분석 결과, PbO 증착시 기판온도가 PbO와 Si의 계면에서 Pb의 확산에 미치는 영향을 확인하였다. PbO 완충층을 삽입한 MFIS는 높은 메모리 윈도우와 낮은 누설전류 밀도를 가지는 추수한 전기적 특성을 나타내었다. 특히, 기판온도 $300^{\circ}C$에서 증착된 PbO를 삽입한 Pt/PZT(200nm, $400^{\circ}C)PbO(80nm)/Si$는 9V의 인가전압에서 2.OV의 가장 높은 메모리 윈도우 값을 나타내었다.

• 센서학회지
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• 제6권5호
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• pp.400-406
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• 1997

DC 마그네트론 스퍼터링 반응성 스퍼터링으로 각각 증착된 알루미늄산화막과 그 위에 증착된 Pt 박막의 열처리 온도에 따른 전기적, 물리적 특성을 4침 탐침기, 주사전자현미경 및 X선 회절법을 이용하여 분석하였다. $600^{\circ}C$ 이하의 열처리 조건에서는 알루미늄산화막은 Pt 박막과 화학적 반응 없이 Pt 박막의 $SiO_{2}$에 대한 부착특성을 개선시켰으며 그 위에 증착된 Pt 박막의 전기적 특성도 열처리 온도가 증가함에 따라 개선되었다. 그러나 $700^{\circ}C$ 이상의 열처리 온도에서는 알루미늄산화막이 절연특성이 저하되고 그 위에 증착된 Pt 박막과 반응하여 Pt 박막의 전 기적 특성도 저하되었다. Pt-RTD 온도센서를 이용한 Pt 미세발열체의 발열특성 분석에서 활성영역이 작을 수록 발열체의 발인특성이 개선되었으며 활성영역 면적이 $200{\mu}m{\times}200{\mu}m$의 구조를 갖는 Pt 미세발열체는 소비전력 1.5watts에 $400^{\circ}C$ 정도의 양호한 발열특성을 나타냈다.

• 한국자기학회지
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• 제11권2호
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• pp.72-77
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• 2001

DC 마그네트론 방식으로 제조한 PtMn계 상부층형(top) 스핀밸브 박막을 반강자성층인 PtM의 fcc (111) 구조에서 fat (111)구조 천이를 위하여 27$0^{\circ}C$에서 3 kOe의 외부자장을 가해주면서 일차적인 열처리를 한 후, 이차적으로 무자장 열처리를 하여 상온에서 자기적 특성을 조사하였다. Si/A1$_2$O$_3$ (500$\AA$)/Ta(50$\AA$)NiFe(40$\AA$)/CoFe(17$\AA$)/Cu(28$\AA$)/CoFe (30$\AA$)PtMn(200$\AA$)Ta(50$\AA$) top 스핀밸브 시료에서 자기저항비를 조사한 결과 열처리 온도가 높아질수록 자기저항비가 완만히 감소하나 325 $^{\circ}C$ 이상에서 급격히 감소하여 1 %까지 감소하는 것을 확인하였으며, 이것은 열처리 온도가 높아질수록 반강자성층과 피고정층사이의 교환 결합력이 약해지는 것에 기인하는 것으로 판단하였다. 열처리 온도 증가에 따른 교환 바이어스 자장은 325 $^{\circ}C$ 이상에서 급격히 감소하였고, 고정층과 자유층사이의 상호 결합 세기(interlayer coupling field, $H_{int}$)는 $325^{\circ}C$ 이상에서 크게 증가하였는데, 이것은 열처리 온도가 증가함에 다라 Mn의 상호 확산(inter-diffusion)dl 증가하여 계면에서의 거칠기(roughness)가 커지기 때문이라고 생각하였다. 이와 같은 결과에서 PtMn 스핀밸브의 급격한 자기적 특성변화가 일어나는 열처리 온도가 PtMn계 스핀밸브 박막의 블로킹 온도(blocking temperature, $T_b$)와 잘 일치함을 호가인할 수 있었다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제46권4호
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• pp.697-700
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• 2008

본 연구에서는 개미산 연료전지의 연료극에서 Pt 촉매의 안정성과 활성을 높이기 위해 Bi를 UPD법을 이용하여 Pt 촉매 위에 증착시켰다. 증착된 Bi의 활용도를 높이기 위해 다층 전극구조를 적용하였으며, 전자탐침미세분석(EPMA) 결과에서 Bi가 장기성능 실험동안 촉매층에 안정적으로 존재하는 것을 확인할 수 있었다. 연료전지 성능실험에서는 Pt black 촉매 위에 Bi를 UPD한 다층 구조의 전극이 PtRu black 촉매보다 전류밀도 $150mA/cm^2$에서 약 200 mV정도 높은 성능을 나타냈다. Pt black을 40% Pt/C로 대체했을 경우 역시 높은 성능과 장기 안정성을 보였다.