Nonvolatile ferroelectric poly(vinylidene fluoride-co-trifluoroethylene) memory based on an organic thin-film transistor with inkjet-printed dodecyl-substituted thienylenevinylene-thiophene copolymer (PC12TV12T) as the active layer is developed. The memory window is 4.5 V with a gate voltage sweep of -12.5 V to 12.5 V. The field effect mobility, on/off ratio, and gate leakage current are 0.1 $cm^2/Vs$, $10^5$, and $10^{-10}$ A, respectively. Although the retention behaviors should be improved and optimized, the obtained characteristics are very promising for future flexible electronics.
In this work, the high power CW Nd:YAG laser has been used for thermal treatment of inkjet printed Ag films-involving eliminating organic additives (dispersant, binder, and organic solvent) of Ag ink and annealing Ag nanoparticles. By optimizing laser parameters, such as laser power and defocusing value, the laser energy can totally be converted to heat energy, which is used to thermal treatment of inkjet printed Ag films. This results in controlling the microstructures and the resistivity of films. We investigated the thermal diffusion mechanisms during laser annealing and the resulting microstructures. The impact of high power laser annealing on microstructures and electrical characteristic of inkjet printed Ag films is compared to those of the films annealed by a conventional furnace annealing. Focused ion beam (FIB) channeling image shows that the laser annealed Ag films have large columnar grains and dense structure (void free), while furnace annealed films have tiny grains and exhibit void formation. Due to these microstructural characteristics of laser annealed films, it has better electrical property (low resistivity) compared to furnace annealed samples.
By applying a critical field treatment instead of the conventional surface treatments such as soft rubber roller, ion beam irradiation, adhesive taping, and laser irradiation, electron emission properties of screen-printed carbon nanotubes (CNTs) were enhanced and investigated based on the emission current-voltage characteristics through scanning electron microscopy. After nanotube emitters were activated at the applied electric-field of 2.5 V/um, the electron emission current density with good uniform emission sites reached the value of 2.13 mA/$cm^2$ , which is 400 times higher than that of the untreated sample, and the turn-on voltage decreased markedly from 700 to 460 V. In addition, enhancement of the alignment of CNTs to the vertical direction was observed.
$BiNbO_4$ ceramics doped with 0.07wt% $V_2O_5$ and 0.03wt% CuO (BNC3V7) were sucessfully sintered at $900^{\circ}C$ through the firing process with Ag electrode. The BNC3V7 shows typically Dielectric constant of 44.3, Thermal Coefficient of resonance Frequency(TCF) of 2 ppm/$^{\circ} and $Qxf_o$ value of 22,000 GHz. The laminated chip Low Pass Filter (LPF) is very sensitive to chip processing parameters, was confirmed by the computer simulation as a function of Q(Quality factors), filter size, capacitor layer thickness, inductor pattern widths. The multilayer type LPF was fabricated by screen-printing with Ag electrode after tape casting and then compared with the simulated characteristics. The results show that characterization of band pass width was similar to that of designed ones.
This paper represents modeling and optimization techniques for solar cell process on single-crystalline float zone (FZ) wafers with high efficiency; There were the four significant processes : i)emitter formation by diffusion, anti-reflection-coating (ARC) with silicon nitride using plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD); iii)screen-printing for front and back metallization; and iv)contact formation by firing. In order to increase the performance of solar cells, the contact formation process is modeled and optimized. This paper utilizes the design of experiments (DOE) in contact formation to reduce process time, fabrication costs. The experiments were designed by using central composite design which is composed of $2^4$ factorial design augmented by 8 axial points with three center points. After contact formation process, the efficiency of the solar cell is modeled using neural networks. This model is used to analyse the characteristics of the process, and to optimize the process condition using genetic algorithms (GA). Finally, find optimal recipe for solar cell efficiency.
CO sensing thick film gas sensors using $Co_3O_4$ powders prepared by hydrothermal reaction method, were fabricated, and their structural, electrical and CO gas sensing properties were investigated. The specific surface area of the $Co_3O_4$ powders obtained from BET analysis was about 79.0 $m^2/g$. XRD and SEM results show that the thick films heat-treated at $500^{\circ}C$ for 30 min after screen printing had the preferred orientation of (311) direction and the crystalline size was calculated to 221 $\AA$. The maximum activation energy obtained from the temperature-resistance characteristics was 3.11 eV in the temperature range of $290^{\circ}C$ to $310^{\circ}C$. The sensitivity to 1,000 ppm CO was about 150 %. The specific surface area, crystalline size, and maximum activation energy were increased significantly and the sensitivity for CO gas was improved largely.
In this study, we used screen printing on the rear glass with silver electrodes, phosphor and a dielectric which is on the silver electrodes, and carried out firing in the temperature of $550^{\circ}C$, $570^{\circ}C$, $450^{\circ}C$ each. To seal the rear and top glass together, we used crystalline frit paste as a sealing material with dispenser and carried out firing up to $450^{\circ}C$. As using this panel, we focused on optimizing the condition which influences characteristics of discharging by the distance between electrodes, electrode structure, type and pressure of gases for FFL.
Effects of blending of PCC manufactured with emission gas occurred at mill on the characteristics of coating color, optical and printing properties of coated paper were investigated in order to evaluate the possibility of its use as a raw material for producing environmentally friendly coated paper. Low shear viscosity and water retention value of ground PCC 1(d50 = $6.303{\mu}m$) were higher than those of ground PCC 2(d50 = $3.149{\mu}m$). Ink set properties of ground PCC 1 and ground PCC 2 were inferior to that of PCC 3. Thus, the reducing of particle size was required in order to overcome the inferior ink set properties. Ground PCC 1 had a similar properties to clay, and it showed the possibility that ground PCC 1 could be used to produce matte grade coated papers. However, it was required to improve the stability(particle shape, particle size, and compatibility with chemicals used in coating color formulation) in the case of blending with GCC in order to keep the qualities of coated paper.
In this study, we report on the novel lithographic patterning method to fabricate organic-semiconductor devices based on photo and e-beam lithography with well-known silicon technology. The method is applied to fabricate pentacene-based organic field effect transistors. Owing to their solubility, sub-micron sized patterning of P3HT and PEDOT has been well established via micromolding in capillaries (MIMIC) and inkjet printing techniques. Since the thermally deposited pentacene cannot be dissolved in solvents, other approach was done to fabricate pentacene FETs with a very short channel length (~30nm), or in-plane orientation of pentacene molecules by using nanometer-scale periodic groove patterns as an alignment layer for high-performance pentacene devices. Here, we introduce the atomic layer deposition of $Al_2O_3$ film on pentacene as a passivation layer. $Al_2O_3$ passivation layer on OTFTs has some advantages in preventing the penetration of water and oxygen and obtaining the long-term stability of electrical properties. AZ5214 and ma N-2402 were used as a photo and e-beam resist, respectively. A few micrometer sized lithography patterns were transferred by wet and dry etching processes. Finally, we fabricated sub-micron sized pentacene FETs and measured their electrical characteristics.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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