Human embryonic stem (ES) cells are derived from the inner cell mass of the preimplantation embryo and have the capacity to differentiate into various types of cells in the body. Hence, these cells may potentially be an indefinite source of cells for cell therapy in various degenerative diseases including neuronal disorders. For clinical applications of human ES cells, directed differentiation of these cells would be necessary. The objective of this study is to develop the culture condition for the expansion of neural precursor cells derived from human ES cells. Human ES cells were able to differentiate into neural precursor cells upon a stepwise culture condition. Neural precursor cells were propagated up to 5000-fold in cell numbers over 12-week period of culture and evaluated for their characteristics. Expressions of sox1 and pax6 transcripts were dramatically up-regulated along the differentiation stages by RT-PCR analysis. In contrast, expressions of oct4 and nanog transcripts were completely disappeared in neural precursor cells. Expressions of nestin, pax6 and sox1 were also confirmed in neural precursor cells by immunocytochemical analysis. Upon differentiation, the expanded neural precursor cells differentiated into neurons, astrocytes, and oligodendrocytes. In immunocytochemical analysis, expressions of type III ${\beta}$-tubulin and MAP2ab were observed Presence of astrocytes and oligodendrocytes were also confirmed by expressions of GFAP and O4, respectively. Results of this study demonstrate the feasibility of long-term expansion of human ES cell-derived neural precursor cells in vitro, which can be a potential source of the cells for the treatment of neurodegenerative disorders.
We studied indium-doped zinc oxide (IZO) film grown by atomic layer deposition (ALD) as transparent conductive oxide (TCO). A variety of TCO layer, such as ZnO:Al (AZO), InSnO2(ITO), Zn (O,S) etc, has been grown by various method, such as ALD, chemical vapor deposition (CVD), sputtering, laser ablation, sol-gel technique, etc. Among many deposition methods, ALD has various advantages such as uniformity of film thickness, film composition, conformality, and low temperature deposition, as compared with other techniques. In this study, we deposited indium-doped zinc oxide thin films using diethyl[bis(trimethylsilyl)amido]indium [Et2InN(TMS)2] as indium precursor, DEZn as zinc precursor and H2O as oxidant for ALD and investigated the optical and electrical properties of IZO films. As an alternative, this liquid In precursor would has several advantages in indium oxide thin-film processes by ALD, especially for low resistance indium oxide thin film and high deposition rate as compared to InCp, InCl3, TMIn precursors etc. We found out that Indium oxide films grown by Et2InN(TMS)2 and H2O precursor show ALD growth mode and ALD growth window. We also found out the different growth rate of Indium oxide as the substrate and investigated the effect of the substrate on Indium oxide growth.
For the production of $B^{30}-homoserine$ insulin analog as a novel anti-diabetic drug, the fermentative study was attempted for the maximal gene expression of HTS-fused $B^{30}-homoserine$ insulin precursor in the recombinant Escherichia coli cells. In a batch fermentation, the maximal production of insulin precursor as much as 38.95 mg/L-h, which occupied more than 12.8% of total cell protein. was achieved when the gene expression was induced by 0.5 mM IPTG at the middle logarithmic growth phase. The HTS-fused $B^{30}-homoserine$ insulin precursor was recovered from a batch culture through the processes of cell harvest, collection of insoluble fraction after sonication and purification by nickel affinity column chromatography. The isolated insulin precursor was 14 mg/L with a recovery yield of 35.9% of expressed gene product. The insulin A and B chain mixture was recovered after the insulin precursor was subjected to CNBr cleavage and purified by nickel affinity column chromatography. The isolated insulin chains were then sulfitolyzed with sodium thiosulfat and sodium tetrathionate, and reconstituted to insulin analog with ${\beta}-mercaptoethanol$, followed by purification with CM-Sepharose C-25 column chromatography.
신정전구세포를 이용한 퇴행성 뇌질환의 세포치료나 유전자치료에서 효율적인 유전자 전달을 목적으로 개량된 아데노바이러스 벡터의 실용 가능성을 쥐의 해마에서 유래된 신정전구세포를 이용하여 조사하였다. 외피단백질을 조작한 개략 아데노바이러스벡터는 분화전과 후의 신정전구세포로 1세대 아데노바이러스 벡터에 비해 6배 정도 유전자를 효율적으로 전달하였다. 또한 바이러스의 감염은 신정전구세포가 신경세포나 신정 아교세포로 분화하는데 영향을 미치는 않았다. 따라서 신정전구세포를 이용한 신정질환의 세포치료나 유전자 치료에서 개량된 아데노바이러스로 유전자를 전달하면 치료의 효율성을 향상시킬 수 있을 것이다.
Variations of reaction sequence of $Pb(Zn_{0.6}Mg_{0.4})_{1/3}Nb_{2/3}O_3$[PZMN] with precusor mixing methods were ex-amined using X-ray diffraction and dielectric characteristics. In the present study three different types of precursor mixing methods (oxide mixing PbO+$ZnNb_2O_6+MgNb_2O_6$[Zn+MN] and PbO+(Zn,Mg)$Nb_2O_6$[ZMN] precursor mixing) were adopted. When the oxide mixing method was used for the PZMN synthesis a Zn-rich perovskite phase and pyrochlore phase were formed. Compared with PbO+ZN+MN precursor mixing method the PbO-ZMN precursor led to a lowering of the formation temperature for perovskite sin-gle phase. These variation of composition and formation temperature of the perovskite phase were dis-cussed in terms of the difference in the solid-reaction requence between these three different types of pre-cursor mixing.
Kim, Hyo-Suk;park, Bo Keun;Kim, Chang Gyoun;Son, Seung Uk;Chung, Taek-Mo
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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pp.364.2-364.2
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2014
Magnesium oxide (MgO) thin films have attracted great scientific and technological interest in recent decades. Because of its distinguished properties such as a wide band gap (7.2 eV), a low dielectric constant (9.8), a low refractive index, an excellent chemical, and thermal stability (melting point=$2900^{\circ}C$), it is widely used as inorganic material in diverse areas such as fire resistant construction materials, optical materials, protective layers in plasma display panels, buffer layers of multilayer electronic/photonic devices, and perovskite ferroelectric thin films. Precursor used in the ALD requires volatility, stability, and low deposition temperature. Precursors using a heteroleptic ligands with different reactivity have advantage of selective reaction of the heteroleptic ligands on substrate during ALD process. In this study, we have synethesized new heteroleptic magnesium precursors ${\beta}$-diketonate and aminoalkoxide which have been widely used for the development of precursor because of the excellent volatility, chelating effects by increasing the coordination number of the metal, and advantages to synthesize a single precursor. A newly-synthesized Mg(II) precursor was adopted for growing MgO thin films using ALD.
In this study, (La,Sr)$MnO_{3+\delta}$ powder used cathode material for SOFC was synthesized with precursor by GNP and the properties of powder, crystal phase, electric properties and deoxidization properties with precursor were investigated. The synthesis powder was prepared when oxidant/fuel mole and pH were 1 and 1, respectively and the synthesis powder was synthesized by GNP method using nitrate solution or oxide solution as precursor. Deoxidization peak of the nitrate solution was appeared lower temperature than the oxide solution, at $450^{\circ}C$. In this result, synthesis (La,Sr)$MnO_{3+\delta}$ powder using nitrate solution with Mn excess was suitable cathode material for SOFC due to had higher deoxidization properties. Also synthesis (La,Sr)$MnO_{3+\delta}$ powder according to precursor had difference electrical conductivity according to influence sintering density and crystal phase with precursor. Specially, the synthesis method and starting material had effect on deoxidization properties for SOFC.
본 연구는 화학증착(Chemical Vapor Deposition, CVD) 시스템에서 전구체 소모량을 모니터링 하기 위한 방법이다. 전구체는 가격이 매우 비싸기 때문에 이를 모니터링 하기 위한 효과적인 방법이 요구된다. 하나의 예로서 용기내 수위진단을 할 수 있는 초음파 센서를 들 수 있는데 이는 비접촉식이고 가격이 저렴한 유리한 점이있다 본 연구에서는, CVD 시스템에서의 전구체 소모량 모니터링을 위한 초음파 진단기술 개발에 관해 연구한다. 또한 반도체 생산라인에 적용이 가능한 실제 진단장치를 개발, 적용한다.
New precursor solution with dichloroacetic acid (DCA) was developed for fabricating high $J_c$ REBCO film. DCA based-precursor solution was coated on $LaAlO_3$(001) substrate by dip coating method. Processing parameters such as oxygen partial pressure, water vapor, ramping rate and pyrolysis temperature were controlled in order to obtain a good epitaxial film. The film with thickness of 0.5 micrometer was obtained by single coating and no crack was observed at calcined films. Oxygen partial pressure was controlled in the range of $100{\sim}1,000$ ppm and conversion heat treatment was carried out at the temperature range of $705-765^{\circ}C$. A critical transition temperature ($T_c$) of 90 K and a critical transport current density ($J_c$) of $>0.5\;MA/cm^2$ (77 K and self-field) were obtained for the GdBCO film. It is thought that fluorine-free MOD solution using DCA is promising precursor solution for fabricating high quality REBCO films.
Superconducting YBCO films were successfully fabricated by MOD process using chemically modified precursor solution. In this study, a chemically modified precursor solution for MOD processing was synthesized using metal-organic salts and organic additives. It was shown that crack-free and uniform precursor films were formed after calcination in humidified Oxygen atmosphere. Less than 3 hours are required to finish the calcination process. XRD measurement shows that $BaF_2,\;CuO,\;Y_2O_3$ are major constituent of precursor films. Furthermore, YBCO films without any secondary phases were successfully fabricated after annealing in wet $Ar/O_2$ atmosphere. The YBCO film prepared on a $LaAlO_3$ single crystal substrate ($10mm{\times}10mm$) gives transport $I_c$ of 10A at 77K. This chemical modification approach is a possible candidate for improving MOD-processing of YBCO coated conductor.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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