III-nitrides have attracted much attention for optoelectronic device applications whose emission wavelengths ranging from green to ultraviolet due to their wide band gap. However, due to the strong polarization properties of conventional c-plane III-nitrides, the built-in polarization-induced electric field limits the performance of optical devices. Therefore, there has been a renewed interest in the growth of nonpolar III-nitride semiconductors for polarization free heterostructure optoelectronic and electronic devices. However, the crystal and the optical quality of nonpolar/semipolar GaN have been poorer than those of conventional c-plane GaN, resulting in the relative poor optical and electrical properties of light emitting diodes (LEDs). In this presentation, I will discuss the growth and characterization of high quality nonpolar a-plane and semipolar (11-22) GaN and InGaN multiple quantum wells (MQWs) grown on r- and m-plane sapphire substrates, respectively, by using metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) without a low temperature GaN buffer layer. Especially, the epitaxial lateral overgrowth (ELO) technique will be also discussed to reduce the dislocation density and enhance the performance of nonpolar and semipolar GaN-based LEDs.
The objective of this paper is to evaluate the fracture resistance characteristics of SA508 Cl.1a to SA508 Cl.3 welds manufactured for the reactor coolant loop piping system of nuclear power plants. The effect of the crack plane orientation to the welding process orientation and the preheat temperature on the fracture resistance characteristics were discussed. Results of the fracture resistance test showed that the effect of the crack plane orientation to the welding process orientation of the fracture toughness is significant, while that of preheat temperature on the fracture toughness is negligible. The micro Vickers hardness test, the metallographic observation and the fractography analysis were conducted to analyse the crack jump phenomenon on the L-R crack plane orientation in the multi-pass welding zone. As these results, it is shown that the crack jump phenomenon was produced because of the inhomogeneity between welding beads and the crack plane orientation must be considered for the safety of the welding zone in the piping system.
In this paper, two $4{\times}4$ rectangular patch array antennas operated at 20 GHz are implemented for the satellite communication. Two $2{\times}2$ sub-arrays are designed and used for the design of $4{\times}4$ patch array. The sixteen patch antennas and microstrip feeding line are printed on the single-layered substrate. The spacing between the array elements is chosen to be $0.736{\lambda}$. The HPBW(Half Power Beam Width) of the $4{\times}4$ microstrip patch array is 17.01 degrees in the E-plane and 17.71 degrees in the H-plane with a gain of 11.6dB in the experimental results. The HPBW of the recessed $4{\times}4$ microstrip patch array is 18.66 degrees in E-plane and 17.12 degrees in the H-plane with a gain of 12.55dB in the experimental results.
In this study, polycrystalline diamond was synthesized by chemical vapor deposition (CVD). Diamond films were deposited on a-plane sapphire substrates while changing the concentration of methane for hydrogen (CH4/H2), and the concentrations of methane were 0.25, 0.5, 1, 2, 3 and 4 vol%, respectively. Crystallinity and nucleation density according to changes in methane concentration were investigated. At this time, the discharge power, vacuum pressure, and deposition time were kept constant. In order to deposit polycrystalline diamond, the sapphire substrate was etched with sulfuric acid and hydrogen peroxide (ratio 3:7), and the sapphire surface was polished for 30 minutes with 100 nm-sized nanodiamond particles. The deposited diamond thin film was analyzed by a scanning electron microscope (SEM), a Raman spectra, Atomic force microscope (AFM) and an X-ray diffractometer (XRD). By controlling the ratio of methane to hydrogen and performing appropriate pre-treatment conditions, a polycrystalline diamond thin film having excellent crystallinity and nucleation density was obtained.
본 논문에서는 EBG(Electromagnetic Band Gap) 구조에 존재하는 두 단위 셀을 신호 전달 평면상의 브릿지 라인으로 연결하는 새로운 형태의 EBG 구조를 제안하였다. 이와 같은 구조를 갖는 EBG는 단위 셀을 연결하는 비아 홀과 브릿지 라인으로 인해 전원면에서 SSN(Simultaneous Switching Noise)를 효과적으로 차단하였으며, 또한 신호 평면상에서 존재하는 신호선들 사이에서는 우수한 신호 전달 특성을 보였다. 제안된 구조의 EBG는 특정 사이즈에서 차단 주파수 1.2 GHz, 저지 대역폭은 8.3 GHz로 넓은 주파수 대역에서 -30 dB 이하의 저지 대역특성을 나타내었다. 또한 광대역의 저지 대역폭을 유지하면서 신호 평면상에 위치한 신호선이 우수한 신호 전달 특성을 가질 수 있는 전원면/접지면의 위치를 최종적으로 제안하였다.
본 논문에서는 CRLH 구조의 대역통과여파기를 이용하여 선형성이 개선된 전력증폭기를 구현하였다. CRLH 구조를 이용한 대역통과여파기외 구조는 윗변에는 인터디지트 형태의 신호선으로, 아랫면에는 CSRR 형태의 구조로 이루어져 있으며 via를 통해 윗면과 아랫면이 연결되어 있다. 전력증폭기의 동작대역에서 손실을 최소화하고 CRLH 전송 선로를 이용하여 2차 고조파 성분을 제한시켜서 전력증폭기의 선형성을 개선하였다. 2.l4GHz에서 동작하는 전력증폭기의 측정된 출력 전력은 33dBm 기준으로 2차 고조파는 -53.527 dBc, 3차 혼변조 신호는 -36.16 dBc, 부가전력효율은 33.14% 가 측정되었으며, 이는 기존의 전력증폭기에 비해 2차 고조파는 약 16 dB, 3차 혼변조 신호는 약 12 dB 개선되었다.
This paper presents a nonlinear method to control a DC-DC converter and track the Maximum Power Point (MPP) of a Photovoltaic (PV) system. A backstepping controller is proposed to regulate the voltage at the input of a buck-boost converter by means of Lyapunov functions. To make the control initially faster and avoid local maximum, a regression plane is used to estimate the reference voltages that must be obtained to achieve the MPP and guarantee the maximum power extraction, modifying the conventional Perturb and Observe (P&O) method. An experimental platform has been designed to verify the validity and performance of the proposed control method. In this platform, a buck-boost converter has been built to extract the maximum power of commercial solar modules under different environmental conditions.
The flow and heat transfer characteristics inside a solar chimney power plant system are analyzed in this article. 3-D model with the $k-{\varepsilon}$ turbulence closure was developed. In this model, to solve the radiative transfer equation the discrete ordinates radiation model was implemented, using a two-band radiation model. To simulate radiation effects from the sun's rays, the solar ray tracing algorithm was coupled to the calculation via a source term in the energy equation. Simulations were carried out for a system with the geometry parameters of the Manzanares power plant. Based on the numerical results, the velocity and temperature distributions were illustrated and the results were validated by comparing with experimental data of the Manzanares prototype power plant. Moreover, temperature profile of the ground surface of the system was illustrated.
This paper discussed the theoretical simulation results for developing the blumlein pulsed power source and showed the circuit configuration and the discharge characteristics of the realistic manufactured pulsed power system. In the simulation, the output voltage characteristics at a load resistor showed the general impulse shape when the impedance of a single coaxial cable is matched with the that of a load resistor. In addition, it is confirmed that output values of the pulsed power can be easily controlled by the duplication of coaxial cables and the pulsed waveform showed the general impulse characteristics. Specifically, the inception discharge voltage in the gap distance of 5[mm] between needle and plane electrodes is about 20[kV] and which is lower than about 29[kV] in 9[mm] due to the difference of the reaching time of the inception voltage. Therefore, this paper showed that the output voltage of the blumlein pulsed power source can be easily controlled.
This paper explains a network for various participants of the electricity market to make bids on the power exchange. The power exchange accepts bids for various markets such as day-ahead, realtime, and financial over this interface. It exists on the IT plane of the market hierarchy and the participants are able to access it over the internet.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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