본 논문은 고속 고출력 레이저 다이오드(Laser Diode: LD) 구동에 사용되는 펄스형 전원장치의 개발에 관하여 논 하였다. 고속 고출력 레이저는 주로 가공기기나 의료기기 등에 응용되고 있어 그 사용 범위가 넓어지는 추세이나 관련된 기술에 대한 연구는 활발히 이루어지지 않은 편이다. 본 연구에서는 고속 고출력 LD의 구동에 적합한 LLC컨버터에 관한 연구를 수행 하였으며 특히 LD의 수명을 고려하여 구동 전류의 주파수를 유지하며 인가되는 전류의 크기를 임계전류를 고려한 방식으로 설계하여 드라이버 설계를 수행하였으며 그 결과를 실험을 통하여 확인하였다.
Previous studies have been focused on the voltage of Bypass diode and Isc(Short Circuit Current) of the influenced solar cell. The Bypass diode starts working when it gets the reverse applied voltage. Previous studies have only concentrated on Isc of the influenced solar cell and Imp of PV module to explain the bypassing performance. PV module is usually working together with inverter having MPPT(Maximum Power Point Tracking) function for best performance. bypassing point is regulated by MPPT function of inverter. In this paper, simulation results of Bypass diode in PV module have been analyzed to represent the relationship of the bypassing point with the composition of PV module. From the results, the more cells are connected with each string, the earlier bypassing performance happens under the fixed number of strings. As diode groups increase or irradiation decreases, the bypassing performance starts fast.
Kim, Ju-Yeon;Park, Seung-Uk;Kim, Nam-Soo;Park, Jung-Woong;Lee, Kie-Yong;Lee, Hyung-Gyoo
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제14권1호
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pp.47-51
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2013
A high power MOSFET switch based on a 0.35 ${\mu}m$ CMOS process has been developed for the protection IC of a rechargeable battery. In this process, a vertical double diffused MOS (VDMOS) using 3 ${\mu}m$-thick epi-taxy layer is integrated with a Zener diode. The p-n+Zener diode is fabricated on top of the VDMOS and used to protect the VDMOS from high voltage switching and electrostatic discharge voltage. A fully integrated digital circuit with power devices has also been developed for a rechargeable battery. The experiment indicates that both breakdown voltage and leakage current depend on the doping concentration of the Zener diode. The dependency of the breakdown voltage on doping concentration is in a trade-off relationship with that of the leakage current. The breakdown voltage is obtained to exceed 14 V and the leakage current is controlled under 0.5 ${\mu}A$. The proposed integrated module with the application of the power MOSFET indicates the high performance of the protection IC, where the overcharge delay time and detection voltage are controlled within 1.1 s and 4.2 V, respectively.
본 논문에서는 3상 다이오드 정류기의 고장에 따른 해석 및 고장 판별 기법을 제안한다. 입력전원이나 다이오드소자에 고장이 발생하게 되면 출력 직류단 전압에 큰 맥동을 유발하며 이는 인버터 시스템의 제어 성능을 저하시킬 뿐만 아니라 커패시터의 수명 단축을 야기한다. 본 논문에서는 입력측의 지락 사고 및 다이오드 개방 사고 시의 직류단 전압 특성을 분석하고, 계통주파수의 6배에 주파수마다 측정된 직류단의 순시전압을 직류단 평균 전압과 비교함으로서 고장의 유무 및 종류를 판별하는 알고리즘을 제안하였다. 제안한 알고리즘은 직류단 전압 센서만을 이용하므로 구현이 간단하고 고장 진단을 위한 추가적인 하드웨어가 요구되지 않는다. 실험과 시뮬레이션을 통해 제안한 고장 진단 알고리즘의 타당성을 검증하였다.
최대 1.9 W의 레이저 다이오드 출력을 Nd:YV $O_4$결정 단면에 집속시키고 공진기 내부에 KTP 결정을 두어서 제2고조파 변환시켜 녹색광(532 nm) 레이저를 발생시켰다. 다이오드 레이저 스퍽트럼과 레이저 결정의 흡수 스펙트럼을 비교하여 최적의 다이오드 작동 온도를 찾았다. 공진기 길이와 출력경의 곡률을 변화시키면서 출력의 변화를 관측한 결과, 최대 80 ㎽의 녹색광 레이저 출력을 얻었으며 최대 출력을 내는 공진기 조건에서는 집속된 여기광의 직경과 TE $M_{00}$ 모드의 직경이 일치함을 알았다. 발생된 녹색광 레이저는 다중모드로 발진하였으며 출력 요동이 심하였다. 단일모드 발진을 시키기 위하여 브루스터 판과 에탈론 등을 사용하는 여러 가지 형태의 공진기를 시도하여 보았다. 실험 결과, 에탈론을 사용한 공진기에서 가장 큰 출력인 60 ㎽ 의 단일 종모드 출력을 얻었다. 단일모드로 발진하는 레이저의 출력 요동은 다중 모드에 비하여 1/10이하로 감소하였다.
This paper presents a radio frequency-to-direct current (RF-to-DC) converter for special RF power harvesting application at 915 MHz. The major featured components of the proposed RF-to-DC converter is the combination of a cross-coupled rectifier and an active diode: first, the cross-coupled rectifier boosts the input voltage to desired level, and an active diode blocks the reverse current, respectively. A prototype was implemented using $0.18{\mu}m$ CMOS technology, and the performance was proven from the fact that the targeted RF harvesting system's full-operation with higher power efficiency; even if the system's input power gets lower (e.g., from nominal 0 to min. -12 dBm), the proposed RF-to-DC converter constantly provides 1.47 V, which is exactly the voltage level to drive follow up system components like DC-to-DC converter and so on. And, maximum power conversion efficiency is 82 % calculated from the 0 dBm input power, 2.3 mA load current.
Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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제31권8호
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pp.975-982
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2007
The single-phase switched reluctance motor(SRM) drive requires DC source which is generally supplied through a rectifier connected with a commercial source. The rectifier is consist of a diode full bridge and a filter circuit. Usually the filter circuit uses capacitor with large value capacitance to reduce ripple component of DC power. Although the peak torque ripple of SRM is small, the short charge and discharge current of the filter capacitor draws the low power factor and system efficiency. A modified single phase SRM drive system is presented in this paper, which includes drive circuit realizing reduction of torque ripple and improvement of power factor. In the proposed drive circuit, one switching part and diode which can separate the output of AC/DC rectifier from the filter capacitor is added. Also, a upper switch of drive circuit is exchanged a diode in order to reduce power switching device. Therefore the number of power switch device is not changed, two diodes are only added in the SRM drive. To verify the proposed system, some simulation and experimental results are presented.
전력증폭기에서는 특유의 비선형 특성에 의해 출력에 왜곡이 발생하므로 이를 보상할 수 있는 방안을 강구하여야 한다. 본 논문에서는 쇼트키 다이오드를 직렬로 삽입한 전력증폭기용 프리디스토터의 특성에 관하여 연구하였다. 이를 통해 쇼트키 다이오드의 비선형 특성을 이용한 프리디스토터를 전력증폭기 전단에 삽입하면 전력증폭기를 선형화 시킬 수 있음을 확인하였다. 즉, 입력 신호 레벨이 낮으면 입력된 신호는 전력증폭기로 그대로 들어가지만 입력 신호레벨이 높으면 프리디스토터에서 감쇄되어 전달된다. 그러므로 전력증폭기는 항상 saturation 영역에서만 동작하게 된다. Serenade 8.0을 이용하여 모의 실험을 통해 약 3% 가량의 효율이 개선됨을 확인할 수 있었다. 또한 500MHz에서 2.2㎓까지의 대역 중 1.8㎓ 대역에서 가장 확실한 비선형특성을 얻을 수 있음을 확인하였다.
In the present work, we have developed the simulator to optimize the process conditions of the AR(antireflection) and HR(high-reflection) coatings for the high power laser diode. The simulator can run on the PC. After making the simple optical model, we establish the Maxwell equations for the model by the operator conversion. By using the Mathematica, we derive a matrix for the multilayer system by applying the equations to the model and optimize the AR and HR coating process conditions by obtaining the reflection rate from the matrix. We also prove the validity of the simulator by comparing the simulation with the characteristics of the laser diode which is AR and HR coated according to the optimized conditions.
A widely tunable SG-DFB (Sampled Grating Distributed Feedback) laser diode is proposed and its feasibility is confirmed through simulation. The new SG-DFB laser diode is composed of a pair of sampled gratings, some parts of which are gain sections and the other parts of which are phase control sections. It is shown that a few tens of nanometers can be tuned through the adjustment of two currents into the phase control sections. Higher output power is expected compared with a SG-DBR laser diode with similar parameters. The dynamic single mode operation is also observed in the time-domain simulation.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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