This analyzed a Young's modulus (E), a thermal expansion coefficient (TEC, ${\beta}$) and a thermal conductivity (${\kappa}$) of the material with simple cubic particulate inclusion using two model structures: a parallel structure and a series structure of laminated layers. The derived ${\beta}$ equations were applied to calculate the ${\beta}$ value of the W-MgO system. The accuracy was higher for the series model structure than for the parallel model structure. Young's moduli ($E_c$) of sintered porous alumina compacts were theoretically related to the development of neck growth of grain boundary between sintered two particles and expressed as a function of porosity. The series structure model with cubic pores explained well the increased tendency of $E_c$ with neck growth rather than the parallel structure model. The thermal conductivity of the three phase system of alumina-mullite-pore was calculated by a theoretical equation developed in this research group, and compared with the experimental results. The pores in the sintered composite were treated as one phase. The measured thermal conductivity of the composite with 0.5-25% porosity (open and closed pores) was in accordance with the theoretical prediction based on the parallel structure model.
Silicon carbide-carbon fiber composites have been prepared by partially Infiltrating porous carbon fiber composites with liquid silicon at a reaction temperature of $1670^{\circ}C$. Reaction between molten silicon and the fiber preform yielded silicon carbide-carbon fiber composites composed of aggregates of loosely bonded SiC crystallites of about 10$\mu\textrm{m}$ in size and preserved the appearance of a fiber. In addition, the SiC/C fiber composites had carbon fibers coated with a dense layer consisted of SiC particles of sizes smaller than 1$\mu\textrm{m}$. The physical and mechanical properties of SiC/C fiber composites were discussed in terms of infiltrated pore volume fraction of carbon preform occupied by liquid silicon at the beginning of reaction. Lower bending strength of the SiC/C fiber composites which had a heterogeneous structure in nature, was attributed to the disruption of geometric configuration of the original carbon fiber preform and the formation of the fibrous aggregates of the loosely bonded coarse SiC particles produced by solution-precipitation mechanism.
Modern industry has focused on processing that produce low- loss dielectric substrates used complex micron-sized devices using tick film technologies such as tape casting and slip casting. However, these processes have inherent disadvantages fabricating high density interconnect with embedded passives for high speed communication electronic devices. Here, we have successfully fabricated porous alumina dielectric layer infiltrated with polymer solution by using inkjet printing process. Alumina suspensions were formulated as dielectric ink that were optimized to use in inkjet process. The layer was confirmed by field emission scanning electron microscope (FE-SEM) for measuring microstructure and volume fraction. In addition, the reaction kinetics and electrical properties were characterized by FT-IR and the impedance analyzer. The volume fraction of alumina in porous dielectric alumina layer is around 70% much higher than that in the conventional process. Furthermore, after infiltration on the dielectric layer using polymer resins such as cyanate ester. Excellent Q factors of the dielectric is about 200 when confirmed by impedance analyzer without any high temperature process.
Porous carbon fiber composites (CFCs) having variable specific surface area ranging 35~1150 $\m^2$/g were reacted to produce silicon carbide fiber composites with SiO vapor generated from a mixture of Si and $SiO_2$ at 1673 K for 2 h under vacuum. Part of SiO vapor generated during conversion process condensed on to the converted fiber surface as amorphous silica. Chemical analysis of the converted CFCs resulting from reaction showed that the products contained 27~90% silicon carbide, 7~18% amorphous silica and 3~63% unreacted carbon, and the composition depended on the specific carbide, 7~18% amorphous silica and 3~63% unreacted carbon, and the composition depended on the specific surface area of CFCs. CFC of higher specific surface area yielded higher degree of conversion of carbon to silicon and conversion products of lower mechanical strength due to occurrence of cracks in the converted caron fiber. As the conversion of carbon to silicon carbide proceeded, pore size of converted CFCs increased as a result of growth of silicon carbide crystallites, which is also linked to the crack formation in the converted fiber.
Yttria stabilized zirconia(YSZ) films were deposited on porous NiO substrates and quartz plates by the thermal CVD using $ZrCl_4, YCl_3$ as precursors, and $O_2$ as a reactive gas at atmospheric pressure. The evaporation temperature of $ZrCl_4$ was varied from $250^{\circ}C$ to $550^{\circ}C$ while the temperatures of $YCl_3$ and the substrate were varied from $1000^{\circ}C$ to $1030^{\circ}C$. As the evaporation temperature of $ZrCl_4$ increased, the deposition rate of $ZrO_2$ decreased, contrary to our expectation. As a result of the decreased deposition rate of $ZrO_2$, the yttria content increase. The high evaporation temperature of $ZrCl_4$ makes the well-faceted crystal while the low evaporation temperature leads to the cauliflower-shaped structure. The dependence of the evaporation temperature on the growth rate and the morphological evolution was interpreted by the charged cluster model.
탄화규소는 실리콘과 비교시 큰 에너지 밴드 갭을 갖고, 불순물 도핑에 의해 p형 및 n형 전도의 제어가 용이해서 고온용 전자부품 소재로 활용이 가능한 재료이다. 특히 ${\beta}$-SiC 분말로부터 제조한 다공질 n형 SiC 세라믹스의 경우, $800{\sim}1000^{\circ}C$에서 높은 열전 변환 효율을 나타내었다. SiC 열전 변환 반도체를 응용하기 위해서는 변환 성능지수도 중요하지만 $800^{\circ}C$ 이상에서 사용할 수 있는 고온용 금속전극 또한 필수적이다. 일반적으로 세라믹스는 대부분의 보편적인 용접용 금속과는 우수한 젖음을 갖지 못 하지만, 활성 첨가물을 고용시킨 합금의 경우, 계면 화학종들의 변화가 가능해서 젖음과 결합의 정도를 증진시킬 수 있다. 액체가 고체 표면을 적시면 액체-고체간 접합면의 에너지는 고체의 표면에너지 보다 작아지고 그 결과 액체가 고체 표면에서 넓게 퍼지면서 모세 틈새로 침투할 수 있는 구동력을 갖게 된다. 따라서 본 연구에서는 비교적 낮은 융점을 갖는 Ag를 이용해서 다공질 SiC 반도체 / Ag 및 Ag 합금 / SiC 및 알루미나 기판간의 접합에 대해 연구하였고, Ag-20Ti-20Cu 필러 메탈의 경우 SiC 반도체의 고온용 전극으로 적용 가능할 것으로 나타났다.
본 연구에서는 부분산화한 Ti 분말을 첨가한 $BaTiO_3$계 세라믹스를 진공중 $1350^{\circ}C$에서 1 h 소결하여 제조하였다. 공기중 가열후 전기적 성질과 미세조직에 미치는 부분산화한 Ti분말 첨가량의 효과를 조사하였다. 그 결과, 5~7vol%의 부분산화한 Ti분말을 첨가한 반도성 $BaTiO_3$계 세라믹스는 비정항의 변화크기가 $10^5$이상인 우수한 PTCR 특성을 나타내었고 또한, 고다공질과 미립화된 조직을 얻을 수 있었다. 5 vol%의 부분산화한 Ti 분말을 첨가한 $BaTiO_3$계 세라믹스의 상대밀도와 입도는 각각 54%, $1.3\;{\mu\textrm{m}}$였다. 부분산화한 Ti 분말의 첨가에 의한 $BaTiO_3$계 세라믹스의 PTCR 특성 발현은 입계에서의 산소 흡착에 기인하였는데, 이는 Heywang모델로써 설명할 수 있었다.
Five eucryptite and ten spodumene compositional powders were syntehsized from three sillimanite group, two kaolin group, and five pyrophyllite group silicate minerals. Those powders were isotatically pressed and fired at 1200~135$0^{\circ}C$ for 2 hrs, and then the sintered bodies were characterized. Silicate minerals with molar ratio of Al2O3 to SiO2 correspond to those of eucryptite and spodumene are kaolin and pyrophyllite group silicate minerals, respectively. Sintering characteristics of eucryptite from kaolin group and spodumene from pyrophyllite group mineral were superior to those from other silicate minerals. Eucryptite sintered bodies with 95~97% relative densities and densified microstructures can be obtained using Hadong pink kaolin as starting materials by sintering over broad temperature zone(1250~135$0^{\circ}C$). The eucryptite sintered bodies which were fired at 130$0^{\circ}C$ for 2hrs, from Hadong pink kaolin had within 3.0wt% microstructural compositional variations compaired with stoichiometric compound, and had good negative thermal expansiion property with -3.55$\times$10-6/$^{\circ}C$ thermal expansion coefficient. Spodumene sintered bodies which were prepared from pyrophyllite group silicate minerals, had dense microstructures and high densities by densification through liquid phase sintering with enlarged temperature range. The specimens which were fired at 130$0^{\circ}C$ for 2 hrs from Gusipyrophillite, had dense microstructure with crystallines mainly, and low thermal expansion property with 0.62$\times$10-6/$^{\circ}C$ thermal expansion coefficient. The porous texture and residual glass phase in LAS system ceramics which were prepared from silicate minerals, tend to increase the thermal expansion properties of sintered bodies to positive direction.
It was investigated in this study that a preparation method, activation energy, surface area, pore volume, pore size distribution and DTA analysis of the dry gel in process of producing monolithic porous gel in Li2O-Al2O3-TiO2-SiO2 system by the sol-gel technique using metal alkoxides. Activation energy for gellation according to the variation of water concentration and the kind of catalysts ranged from 10 to 20kcal/mole. Monolithic dry gels were prepared after drying at 9$0^{\circ}C$ when the amount of water for gellation was 4~8 times more than the stoichiometric amount, that was necessary for the full hydrolysis of the mixed metal alkoxide. The specific surface area, the pore volume, the average pore radius of the dried gel at 18$0^{\circ}C$ according to the various kinds of catalyst were about 348~734$m^2$/g, 0.35~0.70ml/g and 10~35$\AA$, respectively. It showed that the dry gels were porous body. As a result ofthe analysis of DTA, it was confirmed that the exothermaic peaks at 715$^{\circ}C$ and 77$0^{\circ}C$ was clue to the crystallization of dried gel.
석고몰드의 단점을 극복할 수 있는 다공질 알루미나 몰드의 제조저건을 확립하였다. 다공질 알루미나 몰드의 제조를 위해 활성탄의 질량비에 따라 조성비를 달리하여 첨가한 후, ESA와 유동특성 등을 조하삼으로써 안정된 이상 슬러리를 제조하였으며, 이를 석고몰드에 캐스팅하여 얻은 원통형 알루미나 몰드를 사용하여 활성탄의 양과 소결온도에 따른 수축율 변화와 마모에 대한 저항성을 측정하였다. 다공질 알루미나 몰드의 소결에서는 비수축 소결구인 표면확산에 의해 입자간 넥 강도의 증진을 통한 몰드의 강도 증진을 도모하는 것이 바람직하며, 이를 위해 1,00$0^{\circ}C$이하에서 유지시간의 변화에 따른 열역학적 방법, 1,00$0^{\circ}C$이상의 온도에서 알루미나의 수축을 억제하면서 빠른 승온속도를 열처리온도에 따른 동역학적 방법과 이 두가지 방법을 혼합하는 방법 등으로 구분하여 다동질 알루미나 몰드의 소결조건을 분석하였다. 위 방법들에 대한 다공질 알루미나 몰드의 캐스팅 특성을 분석한 결과, 복합 소결법이 최적임을 알수 있었다. 제조된 다공질 알루미나 몰드의 비교적 높은 강도를 보였으며, 석고몰드레 비해 빠른 건조시간, 산, 염기에 대한 내식성 및 캐스팅 특성이 우수하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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