• 제목/요약/키워드: Porous 3C-SiC

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다공성 흑연 소재를 이용한 바나듐 도핑된 반절연 SiC 단결정 성장의 특성 연구 (Vanadium-doped semi-insulating SiC single crystal growth by using porous graphite)

  • 이동훈;김황주;김영곤;최수훈;박미선;장연숙;이원재;정광희;김태희;최이식
    • 한국결정성장학회지
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    • 제26권6호
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    • pp.215-219
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    • 2016
  • 본 연구에서는 다공성 흑연 캡슐에 Vanadium carbide(VC) 분말을 채워 성장시킨 방법과 SiC 분말과 VC 분말을 혼합하여 다공성 흑연판을 그 위에 덮은 후 성장시키는 방법으로 진행하였으며, 성장된 결정들은 여러 분석방법을 사용하여 각각의 특성들을 관찰하였다. 반절연 SiC 성장은 6H-SiC 종자 결정을 사용하여 PVT(Physical Vapor Transport)법으로 성장을 진행하였다. 반절연으로 성장된 SiC 결정은 XRD를 이용하여 6H-SiC인 것을 확인하였으며, SIMS 분석결과 바나듐 도핑 농도가 바나듐 용해의 한계값 보다 높을 경우 석출물이 발생되며, 결정 품질 저하의 원인이 됨을 확인할 수 있었다.

TEOS-$H_2O$계로부터 다공성 실리카 막의 제조 및 수소-질소 혼합기체의 분리 (Preparation of Microporous Silica Membrane from TEOS-$H_2O$ System and Separation Of $H_2$-$N_2$ Gas Mixture)

  • 강태범;이현경;이용택
    • 멤브레인
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    • 제10권2호
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    • pp.55-65
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    • 2000
  • 다공성 실리카 막을 졸겔법에 의해서 Si(${OC}_2H_5)_4-H_2O$ 로부터 제조하고, 막의 특성을 TG-DTA, XRD, IR, BET, SEN, TEM을 사용하여 조사하였다. 다공성 실리카 막 제조를 위한 Si(${OC}_2H_5)_4$ : $H_2O4$ : $H_2O$ : $C_2H_5{OH}$의 최적 몰비는 1 : 4.5 : 4 이었다. 100$^{\circ}C$~1100$^{\circ}C$~에서 열처리된 막의 비표면적은 3.8 $m^2$/g~902.3$m^2$/g 이었으며, 기공크기는 20$\AA$~50$\AA$이었다. 300$^{\circ}C$~~700$^{\circ}C$~범위에서 열처리된 막의 입자크기는 15nm~30nm이며, 열처리 온도가 증가하면 입자의 크기도 증가하였다. 이렇게 제조한 다공성 실리카 막으로 $H_2$/$N_2$ 혼합기체를 분리하는데 응용하였으며, 다공성 실리카 막에 의한 $H_2$/$N_2$혼합기체분리는 Knudsen flow와 surface flow에 의해서 일어나며 주로 surface flow에 의존하였다. 다공성 실리카 막의 $H_2$/$N_2$ 혼합기체에 대한 real separation factor($\alpha$)는 155.15 cmHg($\Delta$P)와 $25^{\circ}C$에서 5.17이었으며, real separation factor($\alpha$), head separation factor ($\beta$), tail separation factor$\bar{B}$)는 압력이 증가하면 증가하였다.

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다공질유리의 탄소 열적환원반응에 의한 Sialon의 합성에 관한 연구 (Synthesis of Sialon by Carbothermal Reduction of Porous Glass)

  • 김병호;이덕열;김왕섭;전형우;이근헌
    • 한국세라믹학회지
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    • 제26권6호
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    • pp.771-782
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    • 1989
  • Synthesis of $\beta$-Sialon powder was attempted with carbothermal reduction of porous glass. The porous glass was prepared by heat and hydrothermal treatments of 9.32 Li2O.46.5B2O3.37.2SiO2.6.98Al2O3 glass. Carbon pyrolyzed from propane gas was deposited on the porous glass, thereafter activated carbon was added as reducing agents. The synthesized $\beta$-Sialon powder was pressureless sintered at 175$0^{\circ}C$ for 1hr in N2 atmosphere. The characterization of the $\beta$-Sialon powder was performed with XRD, BET, SEM and particle size analysis. The sinterability and mechanical properties of the sintered bodies were investigated in terms of bulk density, M.O.R., fracture toughness, morphology of microstructure and etc. The reduction effect of deposited carbon was better than that of activated carbon mechanically added. The formation of SiC was precominant over that of Si2ON2 and $\beta$-Sialon owing to low partial pressure of N2 inside the pore, wehreas on the surface of porous glass the formation of Si2ON2 and $\beta$-Sialon were predominant. Thereafter, SiC reduced unreacted glass to be $\beta$-Sialon. Single phase of $\beta$-Sialon(Z=1.92) was obtained from PGA porous glass having the largest pore radius by the simultaneous reduction and nitridation method at 145$0^{\circ}C$ for 5hrs. The bulk density, M.O.R., and KIC of the sitered body are 3.17g/cc, 434.4MPa and 4.1MPa.m1/2, respectively.

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Characteristics of ZnO Films Deposited on Poly 3C-SiC Buffer Layer by Sol-Gel Method

  • Phan, Duy-Thach;Chung, Gwiy-Sang
    • Transactions on Electrical and Electronic Materials
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    • 제12권3호
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    • pp.102-105
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    • 2011
  • This work describes the characteristics of zinc oxide (ZnO) thin films formed on a polycrystalline (poly) 3C-SiC buffer layer using a sol-gel process. The deposited ZnO films were characterized using X-ray diffraction, scanning electron microscopy, and photoluminescence (PL) spectra. ZnO thin films grown on the poly 3C-SiC buffer layer had a nanoparticle structure and porous film. The effects of post-annealing on ZnO film were also studied. The PL spectra at room temperature confirmed the crystal quality and optical properties of ZnO thin films formed on the 3C-SiC buffer layer were improved due to close lattice mismatch in the ZnO/3C-SiC interface.

졸-겔법으로 제조한 $ZrO_2.SiO_2$다공질유리의 세공제어 (Control of Pore Characteristics of Porous Glass in the $ZrO_2.SiO_2$ System Prepared by the Sol-Gel Method)

  • 신대용;한상목
    • 한국세라믹학회지
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    • 제30권6호
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    • pp.485-491
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    • 1993
  • Porous glass in the ZrO2.SiO2 system containning up to 30mol% zirconia were prepared by the sol-gel method from metal alkoxides and their pore characteristics with reaction parameters were investigated. The gels were made by hydrolyzing and condensation of the mixed metla alkoxides and were converted into the porous glass by heating up to $700^{\circ}C$. As a results, the mean pore radius became larger with increasing contents of HCl, H2O and hydrolysis temperature, and an alcohol with a large molecular weight for making the porous glass. In the case of 20ZrO2.80SiO2 porous glass with heated at $700^{\circ}C$, HCl and H2O content was 0.3mol and 4mol, the specific surface area was 284$m^2$/g, average mean pore radius was about 19.4$\AA$, porosity was 22.55% and pore characteristics depended on heating temperature.

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반응소결된 다공성 뮬라이트의 미세구조 제어 (Microstructure Control of Reaction-Sintered Porous Mullite)

  • 조범래;윤상렬;강종봉
    • Composites Research
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    • 제13권5호
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    • pp.31-36
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    • 2000
  • 금속/세라믹 복합체의 강화제로 사용가능한 다공성 뮬라이트 제조 시 공정변수 변화가 침상형 미세구조 형성에 미치는 영향에 대해 고찰하였다. 출발물질을 $Al_2O_3+SiO_2$$Al(OH)_3+SiO_2$로 달리하여 미세구조 변화를 고찰한 결과, $Al_2O_3$보다 반응성이 우수한 $Al(OH)_3$를 사용한 시편에서 더욱 발달한 침상형 구조가 나타났으며, 첨가제 $AlF_3$의 함량이 증가할수록, $SiF_4$가 발생하는 온도구간인 $900^{\circ}C$에서 유지하는 시간이 길수록 반응을 잘 일어나 시편 전체에서 침상형 뮬라이트가 형성되었다. 소결 온도의 경우 $1200^{\circ}C$에서부터 뮬라이트가 생성되었고, 소결 온도변화에 따른 미세구조는 큰 변화를 관찰할 수 없었다. 기공률은 첨가제의 양이 증가할수록, $900^{\circ}C$에서의 유지시간이 길수록 증가하였다.

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다공질 SiC 반도체와 Ag계 합금의 접합 (Junction of Porous SiC Semiconductor and Ag Alloy)

  • 배철훈
    • 한국산학기술학회논문지
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    • 제19권3호
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    • pp.576-583
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    • 2018
  • 탄화규소는 실리콘과 비교시 큰 에너지 밴드 갭을 갖고, 불순물 도핑에 의해 p형 및 n형 전도의 제어가 용이해서 고온용 전자부품 소재로 활용이 가능한 재료이다. 특히 ${\beta}$-SiC 분말로부터 제조한 다공질 n형 SiC 세라믹스의 경우, $800{\sim}1000^{\circ}C$에서 높은 열전 변환 효율을 나타내었다. SiC 열전 변환 반도체를 응용하기 위해서는 변환 성능지수도 중요하지만 $800^{\circ}C$ 이상에서 사용할 수 있는 고온용 금속전극 또한 필수적이다. 일반적으로 세라믹스는 대부분의 보편적인 용접용 금속과는 우수한 젖음을 갖지 못 하지만, 활성 첨가물을 고용시킨 합금의 경우, 계면 화학종들의 변화가 가능해서 젖음과 결합의 정도를 증진시킬 수 있다. 액체가 고체 표면을 적시면 액체-고체간 접합면의 에너지는 고체의 표면에너지 보다 작아지고 그 결과 액체가 고체 표면에서 넓게 퍼지면서 모세 틈새로 침투할 수 있는 구동력을 갖게 된다. 따라서 본 연구에서는 비교적 낮은 융점을 갖는 Ag를 이용해서 다공질 SiC 반도체 / Ag 및 Ag 합금 / SiC 및 알루미나 기판간의 접합에 대해 연구하였고, Ag-20Ti-20Cu 필러 메탈의 경우 SiC 반도체의 고온용 전극으로 적용 가능할 것으로 나타났다.

용탕단조법에 의한 Ni, Ni-Cr 다공질 발포금속 강화 AC4C 합금기 복합재료에 관한 연구 (Characterization of the Ni and Ni-Cr Porous Metal Reinforced AC4C Matrix Composites Fabricated by Squeeze Casting)

  • 김억수
    • 한국주조공학회지
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    • 제25권2호
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    • pp.80-87
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    • 2005
  • The microstructure and mechanical property of the Ni and Ni-Cr porous metal reinforced AC4C matrix composites fabricated by squeeze casting were investigated. In this study Ni, Ni-Cr porous metals which are estimated to be easy to fabricate by squeeze casting are used as strengtheners for composite materials. As a matrix material, Al-7wt.%Si-0.3wt.%Mg(AC4C) has been used. In case of Ni/AC4C and Ni-Cr/AC4C composite, $750^{\circ}C$ melt temperature and minimum 25MPa squeezing pressure are needed to produce sound composite materials. The observation of interfacial reaction zone at various heat treatment condition shows that atsolutionizing temperature of above $520^{\circ}C$, the interfacial reaction zone increases proportionally with heat treatment time and the reaction products formed by interfacial reactions are mainly composed by $Al_{3}Ni$ and $Al_{3}Ni_{2}$ phases.

용융 Si 침윤 방법에 의한 다공성 RBSC 제조 (Fabrication of Porous RBSC by Si Melt Infiltration)

  • 서기식;박상환;권혁보
    • 한국세라믹학회지
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    • 제37권11호
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    • pp.1119-1125
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    • 2000
  • 용융 Si 침윤 방법에 의한 새로운 다공질 RBSC 제조공정이 개발되었으며, 용융 Si 침윤공정 방법으로 제조된 다공질 RBSC의 최대 3-점 파괴 강도는 18 MPa, 최대 기공율은 46% 범위이었다. 용융 Si 침윤방법으로 제조된 다공질 RBSC의 기계적 특성 및 기공율은 성형체내 SiC 입자 표면의 카본 source의 양 및 침윤시 사용된 Si의 양에 직접적으로 영향을 받는 것으로 나타났다. 침윤시 상대 Si 양은 40%를 사용하였으며, SiC 입자 표면에 graphite와 phenol resin을 함께 코팅한 성형체를 사용하여 제조된 다공질 RBSC에서 최대 파괴강도 값을 얻었다. 상대 Si의 양의 증가는 다공질 RBSC의 파괴강도를 감소시켰으며, SiC 입자 표면의 카본 source 코팅층은 graphite와 phenol resin을 같이 사용하였을 때 다공질 RBSC의 파괴강도는 증가되었으나, RBSC 내 기공율은 감소되었다.

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구형 나노 실리카를 사용한 다공성 실리콘/탄소 음극소재의 전기화학적 특성 (Electrochemical Characteristics of Porous Silicon/Carbon Composite Anode Using Spherical Nano Silica)

  • 이호용;이종대
    • Korean Chemical Engineering Research
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    • 제54권4호
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    • pp.459-464
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    • 2016
  • 본 연구에서는 리튬이온 전지용 실리콘 음극소재의 사이클 안정성 및 율속 특성 향상을 위해 다공성 실리콘/탄소 복합소재의 전기화학적 특성을 조사하였다. 나노 실리카 제조는 스토버 방법을 사용하고 교반 속도, 교반 온도 및 $NH_3$/TEOS 비율을 조절 하여 100~500 nm 크기의 구형 실리카를 합성하였다. 구형 나노 실리카의 마그네슘 열환원과 산처리 과정을 통해 다공성 실리콘을 얻고, 제조된 다공성 실리콘에 Phenolic resin을 탄소전구체로 사용하여 최종적으로 다공성 실리콘/탄소 활물질을 합성하였다. 또한 $LiPF_6$ (EC:DMC:EMC=1:1:1 vol%) 전해액에서 다공성 실리콘/탄소 음극소재의 충 방전, 순환전압 전류, 임피던스 테스트 등의 전기화학적 특성을 조사 하였다. 다공성 실리콘/탄소 복합소재의 음극활물질로서 코인 전지의 성능을 조사한 결과 초기용량 및 40사이클 용량 보존율은 각각 2,006 mAh/g, 55.4%를 나타내었다.