본 실험에서는 Polyimide (PI)의 전구체인 Poly(amic acid) (PAA)의 제조를 위하여 2,2-BIs(3,4-anhydrodicarboxyphenyl)hexafluoropane(6FDA)와 4-aminophenyl sulfone로 PAA를 합성하였다. 이를 열을 가하여 Polyimide가되는 반응을 적외선 분광법을 이용하여 추적하였다. 이미드화 반응은 $80^{\circ}C$에서 1시간, $120^{\circ}C$에서 1시간, $240^{\circ}C$에서 1시간, $250^{\circ}C$에서 1시간, 2경화시킴으로 완결됨을 확인하였다.
Proceedings of the Polymer Society of Korea Conference
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2006.10a
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pp.227-227
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2006
It was attempted to synthesize polyimides from PPMDA and 3FPPMDA with mDAPPO/pPDA in order to afford CTE of 17ppm and adhesion property of 80g/mm, besides high Tg (>$300^{\circ}C$), good thermal stability (>$500^{\circ}C$), low water absorption and good solubility. The polyimides were prepared via a conventional two-step process; preparation of poly(amic-acid), followed by solution imidization by refluxing in NMP with o-DCB and the molar ratio of mDAPPO/pPDA was varied. The polyimides were characterized by FT-IR, NMR, DSC and TGA. In addition, intrinsic viscosity, solubility and coefficient of thermal expansion (CTE) were also measured.
We fabricated the electromagnetic (EM) noise absorber films for high temperature use by blending a soft magnetic powder with poly(amide imide) (PAI). The EM noise absorber films of PAI/soft magnet composite were prepared by casting the solution of poly(amide amic acid)/soft magnet powder into glass substrate with casting applicator device and then thermal imidization. The obtained films were fully characterized and their physical properties including thermal behavior, thermal stability and mechanical properties were studied. The EM noise absorption ability was also investigated using micro-strip line method. At 1 GHz, the power loss of composite film with 150 ${\mu}m$ thickness was about 25%.
A series of transparent polyimide (PI) nanocomposite films was synthesized from bicyclo(2,2,2)oct-7-ene-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride (BTDA) and 1,3-bis(3-aminophenoxy)benzene (BAPB) with various organoclay contents via solution intercalation polymerization to poly(amic acid)s, followed by thermal imidization. Varying organoclay loading in a range of 0 to 1.5 wt% produced variations in the optical transparency, morphology, and oxygen barrier property of the hybrids. An optimum oxygen barrier property was observed for the hybrids containing 1.0 wt% Cloisite 30B; these properties were degraded gradually by further increases in the clay content. The PI hybrid films were found to exhibit excellent optical transparency and almost no color. However, the transparency of the hybrid films decreased slightly with increasing organoclay content. Transparent PI hybrid films containing 1.0 wt% Cloisite 30B were stretched equi-biaxially with various stretching ratios in a range of 100-140% to investigate their optical transparency and oxygen permeability in detail; the variations of clay dispersion and morphology were also determined as a function of equi-biaxial stretching ratio. PI hybrid films with ${\geq}120%$ stretching were found to contain homogeneously dispersed clay in the polymer matrix and exfoliated nanocomposites. The highest barrier to oxygen permeation was found at an equi-biaxial stretching ratio of 130%.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.08a
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pp.254-254
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2011
The memories with nano-particles are very attractive because they are promising candidates for low operating voltage, long retention time and fast program/erase speed. In recent, various nano-floating gate memories with metal-oxide nanocrystals embedded in organic and inorganic layers have been reported. Because of the carrier generation in semiconductor, induced photon pulse enhanced the program/erase speed of memory device. We studied photo-induced electrical properties of these metal-oxide nanocrystal memory devices. At first, 2~10-nm-thick Sn and In metals were deposited by using thermal evaporation onto Si wafer including a channel with $n^+$ poly-Si source/drain in which the length and width are 10 ${\mu}m$ each. Then, a poly-amic-acid (PAA) was spin coated on the deposited Sn film. The PAA precursor used in this study was prepared by dissolving biphenyl-tetracarboxylic dianhydride-phenylene diamine (BPDA-PDA) commercial polyamic acid in N-methyl-2-pyrrolidon (NMP). Then the samples were cured at 400$^{\circ}C$ for 1 hour in N atmosphere after drying at 135$^{\circ}C$ for 30 min through rapid thermal annealing. The deposition of aluminum layer with thickness of 200 nm was followed by using a thermal evaporator, and then the gate electrode was defined by photolithography and etching. The electrical properties were measured at room temperature using an HP4156a precision semiconductor parameter analyzer and an Agilent 81101A pulse generator. Also, the optical pulse for the study on photo-induced electrical properties was applied by Xeon lamp light source and a monochromator system.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.08a
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pp.318-318
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2012
A graphene layer is most important materials in resent year to enhance the electrical properties of semiconductor device due to high mobility, flexibility, strong mechanical resistance and transparency[1,2]. The resistance switching memory with the graphene layer have been reported for next generation nonvolatile memory device[3,4]. Also, the graphene layer is able to improve the electrical properties of memory device because of the high mobility and current density. In this study, the resistance switching memory device with metal-oxide nano-particles embedded in polyimide layer on the graphene mono-layer were fabricated. At first, the graphene layer was deposited $SiO_2$/Si substrate by using chemical vapor deposition. Then, a biphenyl-tetracarboxylic dianhydride-phenylene diamine poly-amic-acid was spin coated on the deposited metal layer on the graphene mono-layer. Then the samples were cured at $400^{\circ}C$ for 1 hour in $N_2$ atmosphere after drying at $135^{\circ}C$ for 30 min through rapid thermal annealing. The deposition of aluminum layer with thickness of 200 nm was done by a thermal evaporator. The electrical properties of device were measured at room temperature using an HP4156a precision semiconductor parameter analyzer and an Agilent 81101A pulse generator. We will discuss the switching mechanism of memory device with metal-oxide nano-particles on the graphene mono-layer.
In this study, poly(amic acid) was prepared via a polycondensation reaction of 3,3'-dihydroxybenzidine and pyromellitic dianhydride in an N-methyl-2-pyrrolidone solution; reduced graphene oxide/polybenzoxazole (r-GO/PBO) composite films, which significantly increased the electrical conductivity, were successfully fabricated. GO was prepared from graphite using Brodie's method. The GO was used as nanofillers for the preparation of r-GO/PBO composites through an in situ polymerization. The addition of 50 wt% GO led to a significant increase in the electrical conductivity of the composite films by more than sixteen orders of magnitude compared with that of pure PBO films as a result of the electrical percolation networks in the r-GO during the thermal treatment at various temperatures within the films.
Mathewst, Anu Stella;Jung, Yu-In;Lee, Tae-Sung;Park, Sung-Soo;Kim, Il;Ha, Chang-Sik;Selvaraj, M.;Han, Mi-Jeong
Macromolecular Research
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v.17
no.9
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pp.638-645
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2009
We report the effect of the amount of the mesoporous material, SBA-15, on the basic traits of fully aliphatic polyimides (API). For this purpose, water soluble, fully aliphatic poly(amic acid) triethyl amine salts ($PAA_{(s)}$) were prepared and mixed with various amounts of SBA-15. Fully aliphatic polyimide hybrid composites containing the SBA 15-type mesoporous silica were synthesized successfully from bicyclo [2.2.2] oct-7-ene-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride and alicyclic diamine, 4,4'-methylene bis(2-methylcyclohexylamine). The structure of the hybrid composites was confirmed by IR spectroscopic analysis. Scanning electron microscopy revealed the morphology of the compounds. The hybrid composites exhibited good thermal stability, reasonable transparency, and a low dielectric constant.
A series of colorless polyimide (PI) nanocomposite films were synthesized from 2,2'-bis(3,4-dicarboxyphenyl)hexafluoropropane dianhydride (6FDA) and 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-diaminobiphenyl (TFDB) with various organoclay contents by solution intercalation polymerization to poly(amic acid)s, followed by thermal imidization. The variation with the organoclay content of the thermomechanical properties, morphology, and optical transparency of the hybrids was examined at organoclay loadings ranging from 0 to 1.0 wt%. The hybrid films showed high optical transparency and almost no color, with cut-off wavelengths ranging from 352 and 356 nm and very low $b^*$ values of 1.19-1.77. The hybrid PI films showed good thermal properties with a glass transition temperature of $280-287^{\circ}C$. Most films did not show any significant thermal decomposition below $490^{\circ}C$. The addition of only a small amount of organoclay was sufficient to improve the tensile properties of the PI films with maximum enhancement being observed at 0.25 wt% organoclay. Moreover, these PI hybrids also had low coefficients of thermal expansion (CTE).
Transactions of the Korean hydrogen and new energy society
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v.32
no.5
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pp.308-314
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2021
Chemical durability issue in polymer electrolyte membranes has been a challenge for the commercialization of polymer electrolyte membrane fuel cells (PEMFCs). In this study, we proposed a manufacturing method of Nafion composite membrane containing a stable polyimide antioxidant to improve the chemical durability of the membrane. The thermal casting of the Nafion solution with poly (amic acid) induced polyimide reaction. We evaluated proton conductivity, oxidative stability with ex-situ Fenton's test, and fluoride ion emission to analyze the effect of polyimide antioxidants. We confirmed that incorporating the polyimide antioxidant improves the chemical durability of the Nafion membrane while maintaining inherent proton conductivity.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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