• Computers and Concrete
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• 제5권6호
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• pp.545-558
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• 2008

The corrosion of RC structures demonstrates very complicated forms of deterioration intermingled together but all pointing to a decrease in the durability of RC structures due to the corrosion of reinforcing bars. Until now, nondestructive techniques, such as half-cell potential and polarization resistance, have been widely available in the world. The former provides information on the probability of corrosion while the latter is associated with information concerning corrosion rates. Inversion by the boundary element method (IBEM) was developed for considering concrete resistivity. The applicability of the procedure was examined through a numerical analysis and electrolytic tests for RC slabs. A distribution in such concrete resistivity is relatively inhomogeneous including cracks on the surface of slabs. Regarding cracks in concrete, the relative coefficient of concrete resistance was introduced to perform its analysis. Further, the procedure will be developed to identify the corroded region visually using 3-D VRML.

• 자연과학논문집
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• 제18권1호
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• pp.9-16
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• 2007

의료용 고출력 단일 레이저 펄스를 만들기 위한 전기광학적인 Q-스윗칭 방법은 밀도 반전과 Q-스윗칭 시간과의 관계에 영향을 받는다. Q-스윗치로서 $LiNbO_3$ 결정을 사용할 때 발생하는 난점을 해결하기 위하여 각 결정에 대한 인가 전압에 대한 편광실험이 필요하다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제25권11호
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• pp.1641-1644
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• 2004

Several [2]- and [3]rotaxanes bearing some functional groups on their wheel components and spacers with different lengths between two ammonium centers on their dumbbell components were prepared in good yields from dibenzo-24-crown-8-ether derivatives and dumbbell-shaped bis(sec-ammonium salt)s having a centrally located disulfide linkage, by utilizing the reversible thiol-disulfide interchange reaction. The shuttling behaviors of the [2]rotaxanes were investigated by $^1H$ NMR by use of the spin polarization transfer-selective inversion recovery technique. It was found that the change in spacer length in the axle resulted in a drastic change in shuttling rate of the [2]rotaxanes, although the introduction of the functional groups to the wheels did not affect the shuttling behavior at all.

• 지구물리와물리탐사
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• 제16권3호
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• pp.180-189
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• 2013

물리탐사는 금속광상에서 광화대를 탐사하는데 효율적인 방법으로 국내 외에서 전략광물자원을 개발하기 위하여 널리 이용되고 있다. 물리탐사 결과로부터 광화대를 정확하게 해석하기 위하여 암석의 물리적 특성을 이해하는 것이 매우 중요하다. 따라서 이 연구는 국내 대표적 스카른 광상인 가곡광산의 광석 및 모암을 대상으로 실내에서 다양한 물성을 측정하였으며, 그 결과로부터 가곡 스카른 광상을 구성하는 지층의 물리적 특성을 파악하고자 하였다. 암석시료는 시추코어 및 노두에서 채취하였으며, 시료의 물성은 실내 암석물성 측정시스템을 이용하여 밀도, 대자율, 전기비저항, 광대역 유도분극을 측정하였다. 그 결과 광석은 모암에 비하여 낮은 전기비저항과 높은 대자율 및 밀도를 보였으며, 광대역 유도분극에서 큰 위상과 특정한 임계주파수가 나타났다. 광석의 광대역 유도분극 측정 자료를 Cole-Cole 역산을 통하여 얻은 충전성과 시간상수로부터 황화광물의 함량과 입자의 크기를 추정할 수 있어 스카른 광상 탐사에서 유용할 것으로 기대된다.

• 한국세라믹학회지
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• 제42권11호
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• pp.749-752
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• 2005

When an electric field higher than a characteristic coercive field is applied to a ferroelectric such as $LiNbO_3$, the orientation of the spontaneous polarization is reversed, which causes the reversal of the sign of odd-rank tensor properties such as electro-optic and nonlinear optic coefficients. A fabrication process of insulator and periodic external field assisted poling of a z-cut $LiNbO_3$ have been optimized for a periodic $180^{\circ}$ phase inversion along z-axis. The poling jig and the poling control system, fully controlled by a computer, for high quality and reproducible PPLN fabrication have been devised. Periodically polarization reversed PPLN was adjusted based on the fabricated thickness of insulator. The poling structure of PPLN was observed under a microscope after etching PPLN samples by an etching solution ($HF:HNO_3$ = 1 : 2) for about 15 min.

• 한국광학회지
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• 제25권1호
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• pp.1-7
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• 2014

구름에서의 다중산란 효과는 Mie 산란현상을 이용하는 탄성산란 라이다에서 그 해를 구하는데 있어서, 매우 중요한 오차요인으로 작용하기 때문에 이 효과를 보정하는 것은 그 자체만으로도 매우 중요하다. 이를 위하여 구름에서 다중산란되는 현상을 Monte Carlo 방법으로 계산하였으며, 이 결과를 적용하여 물방울 구름의 총량과 유효입자크기를 추출하는 방법을 제안하였다. 구름의 유효입자 크기가 $2.5{\mu}m$ 이하일 경우엔 355 nm나 1064 nm에서 얻은 두 파장의 소광계수로 쉽게 그 값들을 구할 수 있음을 알 수 있었다. 크기가 큰 경우엔 라이다 신호의 안정화된 선형편광도가 유효입자크기, 총량, 그리고 소광계수와 관련이 있음을 알 수 있었으며, 이 관계를 통하여 큰 입자의 경우에도 라만 라이다와 편광 라이다를 이용한다면 유효입자크기와 총량을 구할 수 있다는 것을 알 수 있었다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제40권1호
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• pp.1-10
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• 2003

본 연구에서는 Metal-Ferroelecric-Semiconductor FET (MFSFET) 소자의 특성을 시뮬레이션 하였다. 시뮬레이션에서는 field-dependent polarization 모델과 square-law FET 모델이 도입되었다. MFSFET 시뮬레이전에서 C-V/sub G/ 곡선은 축적과 공핍 및 반전 영역을 확실하게 나타내었다. 게이트 전압에 따른 캐패시턴스, subthreshold 전류 그리고, 드레인 전류특성에서 강유전체 항전압이 0.5, 1V 일 때, 각각 1, 2V 의 memory window 를 나타내었다. 드레인 전류-드레인 전압 곡선은 증가영역과 포화영역으로 구성되었다. 드레인 전류-드레인 전압 곡선에서 두 부분의 문턱전압에 의해 나타난 포화드레인 전류차이는 게이트 전압이 0, 0.1, 0.2 그리고, 0.3V 일 때, 각각 1.5, 2.7, 4.0 그리고 5.7㎃ 이었다. 시간경과 후의 드레인 전류를 분석하였는데, PLZT(10/30/70) 박막은 10년 후에 약 18%의 포화 전류가 감소하여 우수한 신뢰성을 보였다. 본 모델은 MFSFET 소자의 동작을 예측하는데 중요한 역할을 할 것으로 판단된다.

• 천문학회보
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• 제46권1호
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• pp.45.1-45.1
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• 2021

The polarization degree as a function of phase angle (the Sun-target-observer's angle), so-called the polarimetric phase curves (PPC), have provided priceless information on asteroids' albedos since B. Lyot (1929). Succeeding experimental works in 1970s have confirmed the Umow law: There is a universal and strong correlation between the albedo and the PPC slope (slope of the tangential line at the zero of the PPC at phase angle ~ 20 degrees). Experiments in 1990s (ref [1]), on the other hand, have demonstrated that the negative branch of PPC is dependent on the size parameter (X ~ π * particle-size / wavelength), especially when X <~5. The change in particle size changed the minimum polarization degree, location of the minimum, and the width of the negative branch (called the inversion angle). From polarimetry[2] and spectroscopy[3], large asteroids are expected to be covered with fine (<~ 10 ㎛ size) particles due to the gravity. The size parameters are X ~ 30 at the optical wavelength (λ ~ 0.5 ㎛) and X ~ 10 in near-infrared (J, H, Ks bands; λ ~ 1.2-2.2 ㎛), if the representative particle size of 5 ㎛ is considered. Accordingly, the near-infrared polarimetry has a great potential to validate the idea in ref[1]. We conducted near-infrared photopolarimetry of the large asteroid (4) Vesta using the Nishiharima Infrared Camera (NIC) at Nishi-Harima Astronomical Observatory (NHAO). NIC allows simultaneous polarimetric measurements in J, H, and Ks bands, and thus the change of PPC is obtained for three different size parameters. As a result, we found a signature of the change in the negative branch in the PPC of asteroid (4) Vesta. We will introduce our observation and the results and give an interpretation of the regolith on Vesta.

• 멤브레인
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• 제24권6호
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• pp.453-462
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• 2014

폴리에스터(polyester) 부직포 상에 폴리술폰(polysulfone) 고분자 지지체를 만든 후, 그 표면에 폴리아미드 복합 박막을 형성시킴으로써 정삼투(FO) 공정에 적합한 분리막을 제조하였다. PSF 지지체는 19 중량%의 함량으로 디메틸 포름아미드(DMF)에 균일하게 용해된 폴리술폰 용액을 상 전이 공정을 통하여 제조되었으며, 기계적 보강재로 $100{\mu}m$의 두께를 가지는 폴리에스터 부직포를 사용하였다. 19 중량%의 PSF/DMF 용액으로 제조된 PSF 지지층은 sponge-like구조를 가지는 비대칭 내부 구조를 나타내었다. 정삼투(FO) 공정에서 내부의 농도 분극을 줄이기 위하여, $20{\mu}m$의 얇은 부직포 보강층을 가지는 지지체 상에 9~19 중량%의 PSF/DMF 용액으로 PSF 지지체를 제조하였다. 이들 얇은 부직포 보강층에서 제조된 지지층들은 공극률이 향상된 sponge-like구조를 가지는 것을 확인할 수 있었다. 각각의 지지층들 표면에 방향족 폴리아미드 가교 반응을 통하여 복합 박막을 얻을 수 있었다. FO 운전 결과, 12 중량%의 DMF/PSF 용액으로 제조한 지지체를 가지는 복합 박막이 가장 우수한 투과 성능을 보여 주었다. 이 경우 4.5 LMH의 유량과 3.47 GMH의 염의 역확산 속도를 가지는 역삼투 분리막에 사용되는 두꺼운 부직포에 비해 약 2.5배 유량이 많은 24.3 LMH의 유량과 1.5 GMH의 염의 역확산 속도를 보여주고 있다. 부직포의 두께 저하와 이에 적합한 PSF 캐스팅 용액의 최적화를 통하여 부직포와 PSF층의 경계면 공극률을 향상시킬 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.31-31
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• 2010

The growth of the high-quality GaN epilayers is of significant technological importance because of their commercializedoptoelectronic applications as high-brightness light-emitting diodes (LEDs) and laser diodes (LDs) in the visible and ultraviolet spectral range. The GaN-based heterostructural epilayers have the polar c-axis of the hexagonal structure perpendicular to the interfaces of the active layers. The Ga and N atoms in the c-GaN are alternatively stacked along the polar [0001] crystallographic direction, which leads to spontaneous polarization. In addition, in the InGaN/GaN MQWs, the stress applied along the same axis contributes topiezoelectric polarization, and thus the total polarization is determined as the sum of spontaneous and piezoelectric polarizations. The total polarization in the c-GaN heterolayers, which can generate internal fields and spatial separation of the electron and hole wave functions and consequently a decrease of efficiency and peak shift. One of the possible solutions to eliminate these undesirable effects is to grow GaN-based epilayers in nonpolar orientations. The polarization effects in the GaN are eliminated by growing the films along the nonpolar [$11\bar{2}0$] ($\alpha$-GaN) or [$1\bar{1}00$] (m-GaN) orientation. Although the use of the nonpolar epilayers in wurtzite structure clearly removes the polarization matters, however, it induces another problem related to the formation of a high density of planar defects. The large lattice mismatch between sapphiresubstrates and GaN layers leads to a high density of defects (dislocations and stacking faults). The dominant defects observed in the GaN epilayers with wurtzite structure are one-dimensional (1D) dislocations and two-dimensional (2D) stacking faults. In particular, the 1D threading dislocations in the c-GaN are generated from the film/substrate interface due to their large lattice and thermal coefficient mismatch. However, because the c-GaN epilayers were grown along the normal direction to the basal slip planes, the generation of basal stacking faults (BSFs) is localized on the c-plane and the generated BSFs did not propagate into the surface during the growth. Thus, the primary defects in the c-GaN epilayers are 1D threading dislocations. Occasionally, the particular planar defects such as prismatic stacking faults (PSFs) and inversion domain boundaries are observed. However, since the basal slip planes in the $\alpha$-GaN are parallel to the growth direction unlike c-GaN, the BSFs with lower formation energy can be easily formed along the growth direction, where the BSFs propagate straightly into the surface. Consequently, the lattice mismatch between film and substrate in $\alpha$-GaN epilayers is mainly relaxed through the formation of BSFs. These 2D planar defects are placed along only one direction in the cross-sectional view. Thus, the nonpolar $\alpha$-GaN films have different atomic arrangements along the two orthogonal directions ($[0001]_{GaN}$ and $[\bar{1}100]_{GaN}$ axes) on the $\alpha$-plane, which are expected to induce anisotropic biaxial strain. In this study, the anisotropic strain relaxation behaviors in the nonpolar $\alpha$-GaN epilayers grown on ($1\bar{1}02$) r-plane sapphire substrates by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVO) were investigated, and the formation mechanism of the abnormal zigzag shape PSFs was discussed using high-resolution transmission electron microscope (HRTEM).