This study examined the synthesis of large area graphene and the change of its characteristics depending on the ratio of CH4/H2 by using the thermal CVD methods and performed the experiments to control the electron-hole conduction and Dirac-point of graphene by using chemical doping methods. Firstly, with regard to the characteristics of the large area graphene depending on the ratio of CH4/H2, hydrophobic characteristics of the graphene changed to hydrophilic characteristics as the ratio of CH4/H2 reduces. The angle of contact also increased to 78$^{\circ}$ from 58$^{\circ}$. According to the results of Raman spectroscopy showing the degree of defect, the ratio of I(D)/I(G) increases to 0.42% from 0.25% and the surface resistance also increased to 950 ${\Omega}$ from 750 ${\Omega}$/sq. As for the graphene synthesis at the high temperature of 1,000$^{\circ}$ by using CH4/H2 in a Cu-Foil, the possibility of graphene formation was determined as a function of the ratio of H2 included in the fixed quantity of CH4 as per specifications of every equipment. It was observed that the excessive amount of H2 prevented graphene from forming, as extra H-atoms and molecules activated the reaction to C-bond of graphene. Secondly, in the experiment for the electron-hole conduction and the Dirac-point of graphene using the chemical doping method, the shift of Dirac-point and the change in the electron-hole conduction were observed for both the N-type (PEI) and the P-type (Diazonium) dopings. The ID-VG results show that, for the N-type (PEI) doped graphene, Dirac-point shifted to the left (-voltage direction) by 90V at an hour and by 130 V at 2 hours respectively, compared to the pristine graphene. Carrier mobility was also reduced by 1,600 cm2/Vs (1 hour) and 1,100 cm2/Vs (2 hours), compared to the maximum hole mobility of the pristine graphene.
[ $ZnHgGa_4Se_8\;and\;ZnHgGa_4Se_8::Co^{2+}$ ] single crystals were grown by the Bridgman-Stockbarger method. The single crystals crystallized into a defect chalcopyrite structure. The optical energy band gap of the single crystals was investigated in the temperature range 11-300K. The optical energy band gap of the $ZnHgGa_4Se_8:Co^{2+}$ single crystal was smaller than that of the $ZnHgGa_4Se_8$ single crystal. The temperature dependence of the optical energy band gap of the single crystals was well fitted by the Varshni equqtion. The impurity optical absorption spectrum of the $ZnHgGa_4Se_8:Co^{2+}$ single crystal was measured in the wavelength region 300-2300 m at 80 K. Impurity absorption peaks in the spectrum were analyzed within the framework of the crystal field theory and were attributed to the electron transitions between the energy levels of $Co^{2+}$ sited in the Td symmetry point.
최근 들어 디지털 기술의 발전은 문자, 음성, 화상, 비디오 등과 같은 멀티미디어 정보가 매우 큰 비중을 차지하고 있다 이들 중에서 비디오와 관련된 연구로는 비디오 색인 및 검색에 관한 연구가 많이 진행되고 있다. 본 논문에서는 MPEG으로 압축된 비디오 분할을 위한 새로운 알고리즘을 제안한다. Shot 검출 즉 장면전환 검출은 MPEG 비디오 시퀀스에서 분할하는 가장 기본적이면서 중요한 작업이며 비디오 색인 및 검색을 위한 첫 번째 단계이다. 일반적으로 많이 사용되는 분할 알고리즘은 이전 프레임과 현재 프레임을 비교하기 때문에 물체의 빠른 움직임이나 카메라의 움직임, 카메라 후레쉬의 섬광 등 화면 변화에 따라 오검출이 생기는 단점이 있었다 따라서 본 논문에서는 기존 알고리즘에 검출한 장면전환 지점을 사용하여 이웃 프레임들과의 특징차 비교를 통하여 한번 더 판별하였다. 실험 결과 기존 알고리즘 보다 정확한 장면전환 검출을 할 수 있었다.
원전 배관의 건전성평가는 원자로 안전을 위해 중요하며 결함발견 시 반드시 건전성을 확보해야만 한다. 균열을 갖는 구조물에 대한 정확한 응력확대계수 해석과 균열성장속도는 파괴강도와 피로수명을 평가하는데 필요로 한다. 피로설계와 수명평가는 배관, 산업공장장비 등과 같은 구조물을 설계하는데 극히 중요하다. 응력확대계수를 이용한 균열간의 상호 간섭해석은 유한요소법으로 구하였다. 내압을 받는 원통형구조물의 경우 표면균열의 인접점에서 간섭이 가장 크게 일어남을 확인하였다. 또한, 반복하중 균열에 대해서는 균열 성장평가와 더불어 피로하중에 의한 균열진전을 예측하기 위한 피로해석을 수행하였다.
In this paper, the plasma doping is performed on p-type wafers using $PH_3$ gas(10 %) diluted with He gas(90 %). The wafer is placed in the plasma generated with 200 W and a negative DC bias (1 kV) is applied to the substrate for 60 sec under no substrate heating. the flow rate of the diluted $PH_3$ gas and the process pressure are 100 sccm and 10 mTorr, respectively. In order to diffuse and activate the dopant, annealing process such as rapid thermal annealing (RTA) is performed. RTA process is performed either in $N_2$, $O_2$ or $O_2+N_2$ ambient at $900{\sim}950^{\circ}C$ for 10 sec. The sheet resistance is measured using four point probe. The shallow n+/p doping profiles are investigated using secondary ion mass spectromtry (SIMS). The analysis of crystalline defect is also done using transmission electron microscopy (TEM) and double crystal X-ray diffraction (DXRD).
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제8권2호
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pp.164-169
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2008
The effects of the antisite related defects on the electronic structure of silica and the gate leakage current have been investigated using first-principles calculations. Energy levels related to the antisite defects in silicon dioxide have been introduced into the bandgap, which are nearly 2.0 eV from the top of the valence band. Combining with the electronic structures calculated from first-principles simulations, tunneling currents through the silica layer with antisite defects have been calculated. The tunneling current calculations show that the hole tunneling currents assisted by the antisite defects will be dominant at low oxide field whereas the electron direct tunneling current will be dominant at high oxide field. With increased thickness of the defect layer, the threshold point where the hole tunneling current assisted by antisite defects in silica is equal to the electron direct tunneling current extends to higher oxide field.
Electrical conductivity of $TiO_2$ thin films, deposited on $Al_2O_3$ substrates by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), was measured by four-point probe method in a temperature range from $800^{\circ}C$ to $1025^{\circ}C$ and an oxygen partial pressure range from $2.7{\times}10^{-5}$ atm to 1 atm. In the low oxygen partial pressure region n-type conduction was dominant, but in the high oxygen partial pressure region p-type conduction behavior appeared due to substitution of Ti ions by Al ions, which were diffused from the substrate during post deposition annealing process. Electrical conductivity of the film decreases in the n-type region and increases in the p-type region as the oxygen partial pressure increases. The transition points, which show the minimum conductivity, shifted to the higher oxygen partial pressure region as the measuring temperature increased, but it shifted to lower oxygen partial pressure region with an increase in the post annealing temperature. The results were also discussed with the possible defect models.
Purpose : Loss of sensibility over the finger tip resents a grave deficit and is an indication for sensible soft tissue reconstruction. This paper was performed to assess the long term results obtained by nerovascular island flap. Material and Methods : We performed neurovascular island graft for defective sensibility of finger tip loss in 94 cases since 1979 to 2000. The recipient sites were the thumb pulp defect in 79 cases, the amputated thumb in 9 cases, the amputated index in 4 cases, and the velar aspect of interphalangeal joint of thumb in 2 cases. The donor flaps were obtained from the radial side of ring finger in 63 cases, the ulnar side of the ring finger in 21 cases, and the ulnar side of the middle finger in 10 cases. A mean follow-up period was 5.7 years. Results : The flap quality was well vascularized and survived in 89 cases. The two-point discrimination was average 8.7mm. Because of scar contracture, the range of motion of the donor finger was decreased 3.5% of the normal finger in the distal interphalangeal joint, 8,2% in the proximal interphalangeal joint. A phenomenon of double sensibility occurred in 66 cases. Conclusion : This technique was excellent both aesthetically and functionally as a reconstruction of the Loss of fingertip.
By virtue of recent economic development and cultural progress, the desires willing to enjoy a plentiful leisure life among people are on enlarging, then according to this, the demand for a grand performance hall where various cultural events are achievable is also on increasing. However, since the grand performance hall has its characteristics that must accommodate various forms of performances likely from lecture, meeting activity to recital, and because the clearness of sound is on emphasizing, and also it requires the repletion or abundance of sound simultaneously, it could be said that from the designing stage, a sufficient examination and plan with regard to the architectural acoustics design is indispensable. On such view point, for the object of the grand performance hall under actually planning to build, this Study is attempting to compare analyze on Room Acoustics Characteristics using computer simulation from the stage of design. It is considered that the material analyzed in such way could be reflected in maximum basis to the design of the performance hall that minimizes the acoustic defect at the designing step, and also it could be utilized as the useful material at the time of design for a similar form of performance hall in the future.
In case of domestic performance hall, it is real situation that the demand of multipurpose hall that accommodative a lecture, gathering activity, drama and concert than a professional performance hall such as opera house, is on increasing. Accordingly, since such multipurpose hall, in view of its characteristics, is emphasizing the clearness of sound, also it requiring the repletion or abundance of sound simultaneously, it could be said that the sufficient examination and plan with regard to the architectural acoustics design is indispensable. However, since most of multipurpose hall has ever been designed and constructed without any consideration on an acoustic factor, many problem points are generating. Standing on such viewpoint, this Research has measured the physical acoustic characteristics about the small-scaled multipurpose hall recently built without any acoustic consideration, and through the above, tried to grasp the acoustic defect and controversial point thereof. It is deemed that such study result could be utilized as an important material for improvement the acoustic performance of the multipurpose hall.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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