A high flux metal plasma pulse ion source, which can simultaneously perform ion implantation and deposition, was developed and tested to evaluate its performance using the prototype. Flux of ion source was measured to be 5 A and bi-polar pulse power supply with a peak voltage of 250 V, repetition of 20 Hz and width of 100 ${\mu}\textrm{s}$ has an output current of 2 kA and average power of 2 kW. Trigger power supply is a high voltage pulse generator producing a peak voltage of 12 kV, peak current of 50 A and repetition rate of 20 Hz. The acceleration column for providing target energy up to ion implantation is carefully designed and compatible with UHV (ultra high vacuum) application. Prototype systems including various ion sources are fabricated for the performance test in the vacuum and evaluated to be more competitive than the existing equipments through repeated deposition experiments.
PSII (Plasma Source Ion Implantation) using high density pulsed ICP source was employed to implant oxygen ions in Si wafer. The PSII technique can achieve a nominal oxygen dose of $3 {\times}10^{17}atoms/cm^2$ in implantation time of about 20min. In order to prevent oxidation of SOI layer during high temperature annealing, the wafer was capped with $2,000{\AA}$$Si_3N_4 $ by PECVD. Cross-sectional TEM showed that continuous $500{\AA}$ thick buried oxide layer was formed with $300{\AA}$ thick top silicon layer in the sample. This study showed the possibility of SOI fabrication using the plasma source ion implantation with pulsed ICP source.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
/
2006.11a
/
pp.328-329
/
2006
반도체 소자의 소형화, 고질적화는 junction 깊이 감소와 도핑농도의 증가를 요구한다. 현재 상용화되는 도핑법은 이온빔 주입(Ion Beam Ion Implantation, IBII)인데, 이 방법은 낮은 가속에너지를 가하는 경우 이온빔의 정류가 금속이 감소해 주입 속도가 낮아져 대랑 생산이 어렵고 장비가 고가라는 단점이 있다. 하지만 플라즈마를 이용한 이온주입법 (Plasma Source Ion Implantation, PSII)은 공정 속도가 빠르고 제조비용이 매우 저렴해 새로운 이온주입법으로 주목받고 있다. PSII법에서 플라즈마 특성은 그 결과에 큰 영향을 미치므로 플라즈마 특성의 적절한 제어가 필수적으로 요구된다. 본 연구에서는 공정압력과 RF power를 변화시키며 플라즈마 밀도 측정했다. 그 결과 공정압력이 증가함에 따라서 플라즈마 밀도는 감소되었고 RF power 증가함에 따라서 플라즈마 밀도는 증가되었다.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
/
v.14
no.1
/
pp.24-27
/
2013
In this paper, we investigated the effect of luminescence properties of various concentrations of magnesium-doped ZnS:Mn phosphor excited by plasma luminescence device. The PL intensity was evaluated in the range of 300~500 nm excitation wavelengths. We found the highest PL intensity of the phosphors excited by 365 nm and 450 nm was observed at Mg concentrations of 1.4 wt% and 0.8 wt%, respectively. In addition, an emission peak was distinguished at 580 nm wavelength. With increasing Mg dopant level, enhanced PL intensity was observed, which is possibly applicable to color converting materials by blue emission for white light sources. Finally, we evaluated the luminance properties of color converting ZnS:Mn,Mg phosphors with plasma blue light source. the white luminance of plasma light source with CIE(0.36,0.26) was established by color converting phosphors of ZnS:Mn with 0.8 wt% Mg.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
/
2006.05a
/
pp.91-95
/
2006
In whole world consciousness of environment maintenance have increased very quickly for the end of the 20th century. To use and disuse toxic substances have been controled at the field of industry. Also the field of lighting source belong to environmental control. And in the future the control will be strong. In radiational mechanism of fluorescence lamp mechanism is the worst environmental problem. In radiational mechanism of fluorescence lamp mercury is the worst environmental problem root. In the mercury free lighting source system the Xe gas lamp is one type. And the Ne:Xe mixing gas lamp improvements firing voltage of Xe gas lamp. Purpose and subject of this study are understand, efficiency, ideal of Ne:Xe plasma which mercury free lamp. Before ICP was designed, basic parameters of plasma, which are electron temperature and electron density, were measured and calculated by Langmuir probe data. Property of electron temperature and electron density were confirmed by changing ratio of Ne:Xe.
We developed an inductively coupled plasma (ICP) etcher for GaN etching using a parallel plasma electrode source with a multifunctional chuck matched to it in order for the low power consumption and low process cost in comparison with the conventional ICP system with a helical-type plasma electrode source. The optimization process condition using it for the micro light-emitting diode (µ-LED) chip fabrication was established, which is an ICP RF power of 300 W, a chuck power of 200 W, a BCl3/Cl2 gas ratio of 3:2. Under this condition, the mesa structure with the etch depth over 1 ㎛ and the etch angle over 75° and also with no etching residue was obtained for the µ-LED chip. The developed ICP showed the improved values on the process pressure, the etch selectivity, the etch depth uniformity, the etch angle profile and the substrate temperature uniformity in comparison with the commercial ICP. The µ-LED chip fabricated using the developed ICP showed the similar or improved characteristics in the L-I-V measurements compared with the one fabricated using the conventional ICP method
Hwang, Sang Hyuk;Kwon, Hee Tae;Kim, Woo Jae;Choi, Jin Woo;Shin, Gi-Won;Yang, Chang-Sil;Kwon, Gi-Chung
Korean Journal of Materials Research
/
v.27
no.4
/
pp.211-215
/
2017
Reactive Ion Etching (RIE) and wet etching are employed in existing texturing processes to fabricate solar cells. Laser etching is used for particular purposes such as selective etching for grooves. However, such processes require a higher level of cost and longer processing time and those factors affect the unit cost of each process of fabricating solar cells. As a way to reduce the unit cost of this process of making solar cells, an atmospheric plasma source will be employed in this study for the texturing of crystalline silicon wafers. In this study, we produced the atmospheric plasma source and examined its basic properties. Then, using the prepared atmospheric plasma source, we performed the texturing process of crystalline silicon wafers. The results obtained from texturing processes employing the atmospheric plasma source and employing RIE were examined and compared with each other. The average reflectance of the specimens obtained from the atmospheric plasma texturing process was 7.88 %, while that of specimens obtained from the texturing process employing RIE was 8.04 %. Surface morphologies of textured wafers were examined and measured through Scanning Electron Microscopy (SEM) and similar shapes of reactive ion etched wafers were found. The Power Conversion Efficiencies (PCE) of the solar cells manufactured through each process were 16.97 % (atmospheric plasma texturing) and 16.29 % (RIE texturing).
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
/
2014.02a
/
pp.250.1-250.1
/
2014
A multicusp ion source has been used widely in negative hydrogen cyclotrons mainly for radioisotope productions. The ion source is designed to have cusp geometries of magnetic field inside plasma chamber, where ions are confining and their mean lifetimes increase. The magnetic confinement produced a number of permanent magnetic poles helps to increase beam currents and reduce the emittance. Therefore optimizing the number of magnets confining more ions and increasing their mean lifetime in plasma has to be investigated in order to improve the performance of the ion source. In this work a numerical simulation of the magnetic flux density from a number of permanent magnets is carried to optimize the cusp geometries producing the highest plasma density, which is clearly indicated along the full-line cusp geometry. The effect of magnetic fields and a number of poles on the plasma structure are investigated by a computing tool. The electron confinement effect becomes stronger and the density increases with increasing the number of poles. On the contrary, the escape of electrons from the loss cone becomes more frequent as the pole number increases [1]. To understand above observation the electron and ion's trajectories along with different cusp geometries are simulated. The simulation has been shown that the optimized numbers of magnets can improve the ion density and uniformity.
Lee Joung-Ho;Choi Dae-Kyu;Choi Sang-Don;Lee Byoung-Kuk;Won Chung-Yuen;Kim Soo-Seok
Proceedings of the KIPE Conference
/
2006.06a
/
pp.470-474
/
2006
This dissertation discuses about a ferrite core plasma source using low operating frequency without sputtering problem by the stored electric field. Compared with the conventional RF power system with 13.56MHz switching frequency, the proposed plasma power system is only separated at 400kHz, so that it makes possible to use of low cost switching elements, PWM control and soft switching. Moreover, it could improve the coupling efficiency for plasma and antenna by using the ferrite core in order to transfer the energy of the load This dissertation tried to analyze new plasma generation method for the plasma generation system by modeling the plasma load and grafting the concept of impedance matching in order to interpret it with the formula This dissertation verified the ferrite core inductive coupling plasma source authorized for 400kHz of low frequency power by applying to the semi-conductor ash process thru the measurement of ash capacity and uniformed plasma distribution on the actual wafer.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
/
v.11
no.2
/
pp.95-100
/
1998
A helical inductively coupled plasma asher, which produces low energy and high density plasma, has been built and investigated for photoresist stripping process. Oxygen ion density in the order of $10^{11}/cm^3$ is measured by Langmuir probe, and higher oxygen radical density is observed by Optical Emission Spectrometer. As RF source power is increased, the plasma density and thus photoresist stripping rate are increased. Independent RF bias power to the wafer stage provides a dc bias to the wafer and an ability to add the ion assisted reaction. At 1 KW of the source power, the coupling mechanism of the RF power to the plasma is changed from the inductive mode to the capacitive one at about 1 Torr. This change causes the plasma density and ashing rate decreases abruptly. The critical pressure of the mode change becomes larger with larger RF power.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.