• 제목/요약/키워드: Pin Diodes

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모서리 접지면 슬롯과 PIN 다이오드를 이용한 편파 변환 마이크로스트립 안테나 (A Polarization-Switchable Microstrip Patch Antenna Using Corner Slots on Ground Plane and PIN Diodes)

  • 박철우;이태학;최준호;윤원상;표성민;김영식
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제21권7호
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    • pp.769-777
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    • 2010
  • 본 논문에서는 모서리 접지면 슬롯과 PIN 다이오드를 이용하여 2.4 GHz에서 활용 가능한 편파 변환 특성의 마이크로스트립 패치 안테나를 제안하였다. 제안된 안테나는 정사각형 구조의 마이크로스트립 패치와 접지면에 위치한 두 쌍의 슬롯과 PIN 다이오드로 이루어져 있다. 제안된 안테나에서는 PIN 다이오드의 스위칭 특성을 이용하여 접지면 슬롯의 전기적 길이를 조정하였고, 이를 통해 선형 편파와 좌회전 편파, 우회전 편파 간의 변환 을 구현하였다. 또한 DC 바이어스 회로로 인한 접지면의 분리를 통해서 안테나는 크기 감소 효과를 얻었다. 안테나의 설계 주파수는 2.4 GHz이며, 선형 편파로 동작할 때에는 15 dB의 반사 손실과 59 MHz의 임피던스 대역폭을 가지고, 좌회전 원형 편파와 우회전 원형 편파시 각각 1.17 dB, 1.67 dB의 최소 축비 특성과 28 MHz, 32 MHz의 3-dB 축비 대역폭을 가진다.

반도체형 실시간 전자적 선량계 개발 (Development of a real time neutron Dosimeter using semiconductor)

  • 이승민;이흥호;이남호;김승호;여진기
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2000년도 추계학술대회 논문집 학회본부 D
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    • pp.754-757
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    • 2000
  • Si PIN diodes are subject to be damaged from the exposure of fast neutron by displacement of Si lattice structure. The defects are effective recombination centers for carriers which migrate through the base region of the PIN diode when forward voltage is applied. It causes an increase in current and a decrease in resistivity of the diode. This paper presents the development of a neutron sensor based on displacement damage effect. PIN diodes having various structures were made by micro-fabrication process, and neutron beam test was performed to identify neutron damage effect to the diode. From a result of the test, it was shown that the forward voltage drop of the diode, at a constant current, has good linearity for neutron dosage. Also it was found that the newton dosage can be measured by the pin diode neutron dosimeter with constant current power.

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전압제어형 PIN 다이오드 감쇄기 설계를 위한 새로운 PIN 다이오드 모델 (A New PIN Diode Model for Voltage-Controlled PIN Diode Attenuator Design)

  • 장병준;염인복;이성팔
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제14권2호
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    • pp.127-132
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    • 2003
  • 본 연구에서는 전압제어형 PIN 다이오드 감쇄기에 사용될 수 있는 새로운 PIN 다이오드 모델을 제안하였다. 종래의 PIN 다이오드 모델의 문제점인 DC해석과 전압/감쇄 특성의 오류의 원인을 분석하였고 분석된 결과를 바탕으로 종래 모델의 문제점을 해결할 수 있는 새로운 PIN 다이오드 모델을 제시하였다. 제시된 모델은 간단한 구성으로 상용 시뮬레이터에 쉽게 삽입되어질 수 장점이 있다. 모델의 유용성을 검증하기 위하여 전압제어형 감쇄기를 설계하여 DC특성과 입력전압에 따른 감쇄특성을 실험한 결과 제시된 모델이 종래 모델이 갖는 문제점을 해결할 수 있을 뿐만 아니라 전압제어형 감쇄기를 정확하게 설계할 수 있음을 확인하였다. 본 논문에서 제시된 모델은 PIN 다이오드를 이용한 다양한 초고주파 회로 설계시 적용되어질 수 있을 것으로 사료된다.

PIN 다이오드를 이용한 다중 편파 재구성 마이크로스트립 안테나 (A Multi-Polarization Reconfigurable Microstrip Antenna Using PIN Diodes)

  • 송태호;이영기;박대성;이석곤;김형주;최재훈
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제24권5호
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    • pp.492-501
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    • 2013
  • 본 논문에서는 S-밴드에서 하나의 급전 회로로 4개의 편파(수직 편파, 수평 편파, 좌선회 편파, 우선회 편파)를 선택적으로 사용할 수 있는 다중 편파 재구성 마이크로스트립 안테나를 제안하였다. 제안된 안테나는 십자 슬롯과 원형 슬롯을 포함하는 정사각형 형태의 마이크로스트립 패치와 4개의 PIN 다이오드로 구성되어 있으며, 커플링을 통한 급전 방식을 이용한다. 각각의 PIN 다이오드에는 직류 전압을 인가하기 위한 바이어스 단이 있으며, 직류 전압의 인가에 따른 다이오드 ON / OFF 동작으로 편파를 재구성할 수 있다. 제작된 안테나는 수직 편파(3.17~3.21 GHz), 수평 편파(3.16~3.20 GHz), 좌선회 편파(3.08~3.19 GHz), 우선회 편파(3.10~3.20 GHz)에서 VSWR 2:1을 만족하며, 선형 편파에서는 20 dB 이상의 교차 편파 및 5 dBi 이상의 이득 특성을 갖고, 원형편파에서는 50 MHz 이상의 3 dB 축비 특성을 나타낸다.

높은 격리도와 고속 스위칭의 PIN 다이오드 스위치 (A PIN Diode Switch with High Isolation and High Switching Speed)

  • 주인권;염인복;박종흥
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제16권2호
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    • pp.167-173
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    • 2005
  • 직렬 PIN 다이오드 스위치의 격리도는 PIN 다이오드의 병렬 커패시턴스에 의해 제한을 받으며, 스위치 구동회로는 PIN 다이오드 스위치의 스위칭 속도를 제한한다. 이런 문제를 극복하기 위해, 병렬 공진 인턱턴스와 TTL 호환의 스위치 구동회로가 적용된 높은 격리도와 고속 스위칭의 PIN 다이오드 스위치를 제안하였다. 3 GHz PIN 다이오드 스위치의 측정 결과, 1 GHz의 주파수 대역폭, 1.5 dB 이내의 삽입 손실, 65 dB의 격리도, 15 dB 이상의 반사 손실 그리고 30 ns 이내의 스위칭 속도를 나타내었다. 특히, 병렬 공진 인덕턴스를 사용한 3 GHz스위치는 15 dB의 격리도 향상을 나타내었다.

Dual-Band Microstrip Patch Antenna with Switchable Orthogonal Linear Polarizations

  • Kim, Jeongin;Sung, Youngje
    • Journal of electromagnetic engineering and science
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    • 제18권4호
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    • pp.215-220
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    • 2018
  • This study presents a dual-band polarization-reconfigurable antenna that comprises a large square patch with a pair of corner-cut edges and two small square patches with a shorting via. Two PIN diodes are located between the large square patch and two small square patches. Depending on the bias state applied to the two PIN diodes, each small patch may be disconnected or connected to the large square patch. As a result, the proposed antenna can provide polarization reconfigurability between two orthogonal linear polarizations. Further, the proposed antenna operates at 2.51 GHz and 2.71 GHz. From the measured results, the proposed antenna shows a 10 dB bandwidth of 2.39% (2.49-2.55 GHz) and 2.58% (2.68-2.75 GHz). In this work, the frequency ratio can be easily controlled by changing the size of the small patch.

Reconfigurable Circularly Polarized Microstrip Antenna on a Slotted Ground

  • Yoon, Won-Sang;Han, Sang-Min;Pyo, Seong-Min;Lee, Jae-Hoon;Shin, In-Chul;Kim, Young-Sik
    • ETRI Journal
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    • 제32권3호
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    • pp.468-471
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    • 2010
  • A compact square patch antenna with reconfigurable circular polarization (CP) at 2.4 GHz is proposed. Circular polarization is generated by an arc-shaped slot on the ground plane. In order to switch the CP orientation, the current flow direction of the patch is reconfigured via the PIN diodes mounted on the slot. As the slot and bias circuit are not placed on the patch side, the proposed antenna radiates a CP wave without alteration in the main beam direction. From the experimental results, the impedance and CP bandwidths of the proposed antenna have been demonstrated for up to 80 MHz and 25 MHz, respectively.

Si PIN Radiation Sensor with CMOS Readout Circuit

  • Kwon, Yu-Mi;Kang, Hee-Sung;Lee, Jung-Hee;Lee, Yong Soo
    • 센서학회지
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    • 제23권2호
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    • pp.73-81
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    • 2014
  • Silicon PIN diode radiation sensors and CMOS readout circuits were designed and fabricated in this study. The PIN diodes were fabricated using a 380-${\mu}m$-thick 4-inch n+ Si (111) wafer containing a $2-k{\Omega}{\cdot}cm$ n- thin epitaxial layer. CMOS readout circuits employed the driving and signal processes in a radiation sensor were mixed with digital logic and analog input circuits. The primary functions of readout circuits are amplification of sensor signals and the generation of the alarm signals when radiation events occur. The radiation sensors and CMOS readout circuits were fabricated in the Institute of Semiconductor Fusion Technology (ISFT) semiconductor fabrication facilities located in Kyungpook National University. The performance of the readout circuit combined with the Si PIN diode sensor was demonstrated.

대역폭 확장 특성을 갖는 주파수 Reconfigurable 슬롯 안테나 (A Frequency Reconfigurable Slot Antenna with Bandwidth-Enhanced Characteristics)

  • 이우성;김형락;윤영중
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제17권6호
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    • pp.556-561
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    • 2006
  • 본 논문에서는 기존의 주파수 reconfigurable 안테나의 협대역 특성을 개선하기 위한 대역폭 확장 특성을 가지는 주파수 reconfigurable 슬롯 안테나가 제안되었다. 제안된 안테나는 주파수 reconfigurable 특성을 가지는 동시에 대역폭을 확장시키기 위하여 넓은 슬롯 및 좁은 슬롯 두 부분으로 구성되어 있다. 삼각형 구조의 넓은 슬롯은 제안된 안테나의 대역폭을 증가시키는 역할을 하며, 좁은 슬롯은 PIN diode를 장착하는 역할을 한다. 제안된 안테나는 PM diode의 동작 상태를 바꿈에 따라 슬롯의 총 길이를 변화시키며, 이로 인해 중심 주파수 조절과 임피던스 정합의 변화를 최소화시킨다.