The electrical characteristics of solid state devices such as the bipolar junction transistor (BJT), metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET), and other active devices are altered by impinging photon radiation and temperature in the space environment. In this paper, the threshold voltage, the breakdown voltage, and the on-resistance for two kinds of MOSFETs (200 V and 100 V of $V_{DSS}$) are tested for ${\gamma}-irradiation$ and compared with the electrical specifications under the pre- and post-irradiation low dose rates of 4.97 and 9.55 rad/s as well as at a maximum total dose of 30 krad. In our experiment, the ${\gamma}-radiation$ facility using a low dose, available at Korea Atomic Energy Research Institute (KAERI), has been applied on two commercially available International Rectifier (IR) products, IRFP250 and IRF540.
The solar X-ray telescopes, the Yohkoh SXT and the Hinode XRT, have observed for a couple of decades a variety of coronal structures in the range of wide field-of-view (FOV) covering the full solar disk. It has been emphasized that the optical structure of solar telescopes should be designed with care for improving the uniformity over the full FOV. The vignetting effect is one of the important optical characteristics for describing the performance of a telescope, which reflects the ability of collecting the incoming light at different locations and different photon energies. The correction of this vignetting effect would be an important calibration step that should be performed in advance, especially when the observed images are to be used for photometric purposes. Since the vignetting effect of solar X-ray telescopes shows wavelength dependence, a special care should be taken when, for example, performing the temperature analyses with thin and thick filters for flaring activities observed at the periphery of the full FOV. The results of analysis of pre-launch calibration data for the evaluation of vignetting effect will be introduced in detail.
The material processing of UV nanosecond pulse laser cannot be avoided the material shape change and contamination caused by interaction of base material and laser beam. Nowadays, ultra short pulse laser shorter than nanosecond pulse duration is used to overcome this problem. The advantages of this laser are no heat transfer, no splashing material, no left material to the adjacent material. Because of these characteristics, it is so suitable for micro material processing. The processing of sapphire wafer was done by UV 355nm, green 532nm, IR 1064nm. X-Y motorized stage is installed to investigate the proper laser beam irradiation speed and cycles. Also, laser beam fluence and peak power are calculated.
Industrial single photon emission computed tomography (SPECT) is an useful technique to investigate the dynamic behavior of process flow. In the present study, to evaluate the influence of a void on the performance of industrial SPECT, industrial SPECT with various radioisotope sources and gas holdups was modeled by the Monte Carlo simulation. The results are very encouraging; that is, the void little influences the performance of industrial SPECT, which means that industrial SPECT could be a suitable tool to investigate the dynamic characteristics of the flow in a water-air phase process.
A passive type radon monitor adopting two silicon PIN detector as radiation detector has been developed, manufactured and test-evaluated. A radiation signal processing circuit has been electronically tested and then the radiation detection characteristics of this instrument has been performance-tested by using reference radon concentration and a reference photon radiation field. As a result, in a electronic performance test, radiation signals from each detector were well observed in each signal processing circuit. The radiation detection sensitivity of this instrument after several test-irradiations to a Cs-137 gamma radiation source and a standard radon concentration appeared to be 1.37 cph/$\mu$Svh-1 and 1.66 pCi/L respectively. The developed radon monitor in this paper could be used conveniently in monitoring of radon concentration in buildings which population utilize in Korea.
The evolution of X-ray computed tomography (CT) has been based on the discovery of X-rays, the inception of the Radon transform, and the development of X-ray digital data acquisition systems and computer technology. Unlike conventional X-ray imaging (general radiography), CT reconstructs cross-sectional anatomical images of the internal structures according to X-ray attenuation coefficients (approximate tissue density) for almost every region in the body. This article reviews the essential physical principles and technical aspects of the CT scanner, including several notable evolutions in CT technology that resulted in the emergence of helical, multidetector, cone beam, portable, dual-energy, and phase-contrast CT, in integrated imaging modalities, such as positron-emission-tomography-CT and single-photon-emission-computed-tomography-CT, and in clinical applications, including image acquisition parameters, CT angiography, image adjustment, versatile image visualizations, volumetric/surface rendering on a computer workstation, radiation treatment planning, and target localization in radiotherapy. The understanding of CT characteristics will provide more effective and accurate patient care in the fields of diagnostics and radiotherapy, and can lead to the improvement of image quality and the optimization of exposure doses.
Experience shows that the solution to waste management in any national programme is lengthy and burdened with uncertainties. There are several uncertainties that contribute to the costs associated with spent fuel management. In this work, we have analysed the impact of the current nuclear data on the isotopic composition of the spent fuel and consequently their influence on the main spent fuel observables such as decay heat, activity, neutron multiplication factor, and neutron and photon source terms. Nuclear libraries based on the most general nuclear data ENDF/B-VII.0, ENDF/B-VII.1, ENDF/B-VIII.0 and JEFF-3.3 are considered. A typical NPP Krško fuel assembly is analysed using the Monte Carlo code Serpent 2. The analysis considers burnup of up to 60 GWd/tU and cooling times of up to 100 years. The comparison of results showed significant differences, which should be taken into account when selecting the library and evaluating the uncertainty in determining the characteristics of the spent fuel.
The nonlinear rate equations are solved analytically by using the singular perturbation method to study effects of the spontaneous emission factor and the photon lifetime on the primary resonance and the first subharmonic generation(i.e., the onset of the periocd-doubling route to chaos). By large signal modulation of Hitachi CSP laser HLP 1400, the resonance frequency shift than 100 ps with 1 GHz repetition rate are generated. The experimental observations are in reasonable agreement with the theoretical results obtained using measured parameters of the rate equations.
The terahertz (THz) region lies in between the millimeter and infrared spectral bands. A THz wave has the characteristics of non-invasiveness and non-ionization due to low photon energies, while having high penetrability in dielectrics. In addition, since the resonance frequencies of various molecules are included in the THz band, research on the application of spectral analysis and non-destructive testing has been widely studied. Towards this end, the research and development of THz detectors has become increasingly important in order to assess their applications in different areas such as astronomy, security, industrial non-destructive evaluations, biological applications, and wireless communications. In this report, we summarize the operating principles, characteristics, and utilization of various broadband technologies in THz detection devices. Further, we introduce the development status of our Schottky barrier diode technology as one of the broadband THz detectors that can be easily adopted as direct detectors in many fields of applications.
3 가지 세포 타입 (mock, wt, R55A)에 CsA를 처리하여 세포에 영향을 주는 원인과의 관계를 PMT를 가지고 측정했다. ROS와 CsA를 사용하여 활성화 산소 (ROS)의 변화를 측정하였다. 3 가지 세포 타입 (mock, wt, R55A) 의 CsA 처리에 영향을 끼치는 광자를 측정했을 때 광자 양이 증가함을 알 수가 있었다. 이러한 광자 양으로부터 ROS를 발생하게 되는 사실을 발견했다. 따라서 PMT에 의한 측정은 ROS의 생화학적 상태 변화를 측정하는 새로운 분석의 하나이다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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