• 제목/요약/키워드: Photoluminescence spectroscopy

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변색 효과 보석들의 분광학적 특성 (Spectroscopic Characteristics of Gemstones with Color Change Effect)

  • 안용길;서진교;박종완
    • 한국광물학회지
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    • 제22권2호
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    • pp.81-86
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    • 2009
  • 변색 효과를 보이는 6종의 보석들을 대상으로 UV-Vis 분광분석과 Photoluminescence에 의한 발광 및 형광 특성을 조사하였다. 514 nm Ar이온 source로 PL을 측정한 결과 발광 피크의 모양이 다르게 나타났고 같은 천연과 합성 보석에서는 동일한 피크가 나타났다. 이들 발광 및 형광 특성은 보석들의 결정 구조와 관련이 있음을 관찰할 수 있었다. 325 nm He-Cd source에 의한 형광 조사에서는 합성 알렉산드라이트와 합성 칼라체인지 사파이어 그리고 천연 알렉산드라이트에서 강한 형광이 나타났고 이를 PL 피크로 확인하였다.

A New Approach to Synthesis and Photoluminescence of Silicon Nanoparticles

  • Kim, Beomsuk
    • 통합자연과학논문집
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    • 제2권1호
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    • pp.28-31
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    • 2009
  • We describe the synthesis and characterization of silicon nanoparticles prepared by the soluton reduction of SiCl4. These reactions produce Si nanoparticles with surfaces that are covalently terminated. The resultant organic derivatized Si nanoparticles as well as a probable distribution of Water-soluble Si nanoparticles are observed and characterized by photoluminescence(PL) spectroscopy. This work focuses originally on the organic- and water-soluble silicon nanoparticles in terms of the photoluminescence. Further this work displays probably the first layout of hydrogen terminated Si nanoparticles synthesized in solution at room temperature.

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결정성에 따른 TiO2 나노입자의 포토루미네선스 영향 (The Effect of Crystallinity on the Photoluminescence of TiO2 Nanoparticles)

  • 한우제;박형호
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제26권1호
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    • pp.23-28
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    • 2019
  • 타이타니아 ($TiO_2$)는 독성이 없고 매우 높은 굴절률, 촉매 활성 및 생체 적합성을 지니고 있으며 화학적 안정성이 있고 높은 이방성을 갖는 저렴한 재료로써 다양한 분야에서 각광받고 있는 세라믹 소재이다. 이러한 $TiO_2$를 sol-gel법을 이용하여 나노입자화 하였다. 나노입자 형성중에 pH를 조절하여 $TiO_2$의 결정성을 제어하였다. 합성된 나노입자는 엑스선 회절분석법, 퓨리에 분광기(Fourier transform infrared), 전계방사형 주사전자현미경(field emission scanning electron microscopy)과 포토루미네선스(photoluminescence spectroscopy)를 이용하여 분석하였다. 합성된 $TiO_2$ 나노입자는 5 nm 이하의 크기를 갖는 것을 확인하였다. 나노입자의 결정성이 증가됨에 따라 550 nm 영역의 발광세기가 증가함을 확인하였다. 이러한 결과로 $TiO_2$ 나노입자의 결정성 조절을 통한 발광 특성 조절을 기대할 수 있다.

Fourier transform infrared spectroscopy를 이용한 SiNx박막의 수소농도 연구 (Study of the hydrogen concentration of SiNx film by Fourier transform infrared spectroscopy)

  • 이석열;최재하;제지홍;이임수;안병철
    • 한국진공학회지
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    • 제17권3호
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    • pp.215-219
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    • 2008
  • 실리콘 웨이퍼 위에 Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) 방법으로 증착 된 SiNx 박막의 수소 함량을 측정하였다. 제작된 SiNx 박막은 Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FT-IR) 사용하여 박막의 수소함량과 결합상태를 확인하였으며, Atomic Force Microscopy (AFM) 측정을 통하여 박막의 표면 거칠기를 비교, 시료의 조성비 평가를 위하여 Rutherford Backscattering Spectrometry (RBS)을 사용하였다. 또한 SiNx박막의 조성확인을 위하여 Photoluminescence(PL)를 이용하여 FT-IR spectrum의 결과와 비교 해석하였다. FT-IR에서 NH의 수소함량(at%)이 0.92 %에서 0.64 %로 낮아질 수록 AFM을 이용한 표면 거칠기는 12.8 $\AA$에서 10.8 $\AA$로 낮아지고, Si양이 상대적으로 많아지는 것을 PL에서 확인하였으며, RBS에서도 시뮬레이션을 통해 비슷한 결과를 얻을 수 있었는데, 이는 FT-IR을 사용함으로써 SiNx 박막의 수소 함량의 측정이 가능하다는 것을 보여주므로 단위공정에서 신속하게 SiNx 박막 분석이 가능함을 알 수 있었다.

Investigation of Photoluminescence Properties for Dibenzosiloles and Tetrabenzospirosilole

  • 장승현
    • 통합자연과학논문집
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    • 제3권2호
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    • pp.107-111
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    • 2010
  • Silicon-containing ${\pi}$-conjugated compounds, especially silacyclopentadienes (siloles), have emerged as a new class of electroactive materials with good electron transport properties in OLEDs. 9,9'-spiro-9-silabifluorene compound as well as its starting material 2,2'-dibromobiphenyl have been synthesized with higher yields. Spirosilabifluorene is expected to be an efficient host material for the blue-light emitting diodes. 9,9'-spiro-9-silabifluorene, 1,1-dichloro-1-silafluorene, and 1,1-dimethyl-1-silafluorene were characterized by $^1H$-NMR, UV/Vis and photoluminescence spectroscopy.

온도에 따른 InZnP/ZnSe/ZnS (핵/다중껍질) 양자점의 형광 특성 변화 (The Effect of Temperature on the Photoluminescence Properties of the InZnP/ZnSe/ZnS (Core/Multishell) Quantum Dots)

  • 손민지;정현성;이윤기;구은회;방지원
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제31권7호
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    • pp.443-449
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    • 2018
  • We investigated the temperature-dependent photoluminescence spectroscopy of colloidal InZnP/ZnSe/ZnS (core/shell/shell) quantum dots with varying ZnSe and ZnS shell thickness in the 278~363 K temperature range. Temperature-dependent photoluminescence of the InZnP-based quantum dot samples reveal red-shifting of the photoluminescence peaks, thermal quenching of photoluminescence, and broadening of bandwidth with increasing temperature. The degree of band-gap shifting and line broadening as a function of temperature is affected little by shell composition and thickness. However, the thermal quenching of the photoluminescence is strongly dependent on the shell components. The irreversible photoluminescence quenching behavior is dominant for thin-shell-deposited InZnP quantum dots, whereas thick-shelled InZnP quantum dots exhibit superior thermal stability of the photoluminescence intensity.

수열합성법을 이용한 세륨산화물 나노분말의 특성 및 합성에 대한 연구 (Synthesis and Characterization of $CeO_2$ Powders by the Hydrothermal Process)

  • 공명호;나한길;김현우;양학희
    • 반도체디스플레이기술학회지
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    • 제9권2호
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    • pp.49-54
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    • 2010
  • We have successfully synthesized $CeO_2$ nanopowders by means of the hydrothermal method, in a low temperature range of $100-200^{\circ}C$. In order to investigate the structure and morphology of the nanopowders, scanning electron microscopy and X-ray diffraction have been employed. In addition, for exploring the optical properties, Raman spectroscopy, Fourier transform infrared spectroscopy, and photoluminescence spectroscopy have been used. In the optimized condition, with the pH, velocity, and time of 4.5, 600 rpm, and 60 h, the $CeO_2$ nanopowders with a diameter ranging from 50 to 150 nm have been synthesized. The nanopowders exhibited the visible emission mainly in the blue region. With comparing the reaction time, it is revealed that the extinction of functional groups at 60 h contributed to the growth and homogenization of the $CeO_2$ powders. Since the overgrowth and agglomeration of nanopowders were found, we suggest that the cracking/growth process is more favorable mechanism than the dissolution/precipitation process.

하부 광결정에 따른 InGaN/GaN 양자우물구조의 청색발광 다이오드 발광 특성 (Bottom photonic crystals-dependent photoluminescence of InGaN/GaN Quantum-Well Blue LEDs)

  • 조성남;최재호;김근주
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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    • pp.52-54
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    • 2008
  • The authors investigated the InGaN/GaN multi-quantum well blue light emitting diodes with the implements of the photonic crystals fabricated at the top surface of p-GaN layer or the bottom interface of n-GaN layer. The top photonic crystals result in the lattice-dependent photoluminescence spectra for the blue light emitting diodes, which have a wavelength of 450nm. However, the bottom photonic crystal shows a big shift of the photoluminescence peak from 444 nm to 504 nm and played as a role of quality enhancement for the crystal growth of GaN thin film. The micro-Raman spectroscopy shows the improved epitaxial quality of GaN thin film.

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